【課題】配線密度を高くしすぎることなく断線を修復することが可能であり、フレキシブル性を持たせる場合に短絡や断線などを抑えることが可能な薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】第１導電層と、前記第１導電層の少なくとも一部に対向して、前記第１導電層に合わせた平面形状の開口を有する絶縁膜と、前記開口を塞ぐと共に前記開口内で前記第１導電層に接するパッチ部を含む第２導電層とを備えた薄膜トランジスタアレイ。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置及びその不良画素の修復方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁基板と、第１の絶縁基板上に実質的に第１の方向に互いに平行するように配値されたゲート配線およびストレージ配線と、ゲートおよびストレージ配線と絶縁されて交差し、実質的に第２の方向に配値されたデータ配線と、データ配線上に形成された保護膜と、保護膜上に形成された第１の画素電極と第２の画素電極と、第１の画素電極に隣接する第２の画素電極を含み、ストレージ配線は、実質的に第１の方向に配値された水平部および水平部から実質的に第２の方向に分枝し、データ配線とオーバーラップする垂直部を含み、垂直部は、第１の画素電極および第２の画素電極とオーバーラップし、第１の画素電極と垂直部がオーバーラップする幅は第２の画素電極および垂直部の間のオーバーラップする幅と実質的に同一であることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルな基板を用いても、高い精度で薄膜トランジスタを形成することができる薄膜トランジスタの製造装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板上に薄膜トランジスタを製造する製造装置であり、基板に関する基板情報を取得する取得部と、取得部で得られた基板に関する基板情報に基づいて、基板の伸縮強度が高い方向を特定し、伸縮強度が高い方向と薄膜トランジスタのチャネル領域を挟んでソース電極およびドレイン電極が配置される配置方向とが直交するように薄膜トランジスタを形成する向きを設定する設定部とを有する。 （もっと読む）

【課題】フレキシブルな基板を用いても、高い精度で薄膜トランジスタを形成することができる薄膜トランジスタの製造装置およびその製造方法、ならびにプログラムを提供する。
【解決手段】本発明は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極が少なくとも設けられた薄膜トランジスタの製造方法である。ソース電極およびドレイン電極を形成する工程において、基板の歪み、または基板の伸縮率に基づいて、露光データを、スケーリング処理を用いて薄膜トランジスタのチャネル長を固定した状態で補正して第１の補正データを作成する。この第１の補正データに基づいて、ソース電極およびドレイン電極の形成領域にレーザ光を照射し、その形成領域を親液性にする。この形成領域に、ソース電極およびドレイン電極となる液滴を、打滴データに基づいて打滴する。 （もっと読む）

【課題】ショート欠陥部の破片の発生を抑えつつ、かつ確実に配線のショートを解消すること。
【解決手段】薄膜トランジスタを内蔵するＴＦＴパネルと、前記ＴＦＴパネルの表面上にマトリクス状に配置され、かつ画素電極を含む画素と、を有するディスプレイパネルの製造方法であって、前記ＴＦＴパネルを準備する工程と、前記ＴＦＴパネルの表面に画素電極をパターニングする工程と、前記画素電極のショート欠陥部を検出する工程と、前記ショート欠陥部に電圧を印加し、前記ショート欠陥部を溶断する工程と、を有する、ディスプレイパネルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁層を有する電子素子の配線短絡を簡素な工程により絶縁することが可能な電子素子の製造方法および電子素子を提供する。
【解決手段】配線層２１，２２の上に有機絶縁層１２を形成したのち、配線層２１，２２の短絡部２３に、有機絶縁層１２に対して透過性を持つ波長のレーザ光ＬＢを有機絶縁層１２を介して照射、または基板１１に対して透過性を持つ波長のレーザ光ＬＢを基板１１を介して照射する。レーザ照射領域２４では短絡部２３が消失して、配線層２１と配線層２２との間の絶縁が回復する。短絡部２３の上下に接する有機絶縁層１２または基板１１は残されている一方、レーザ照射領域２４（短絡部２３が消失した部分）には空洞２５が生じる。 （もっと読む）

【課題】放射線により生じた画素トランジスタの特性変動を回復可能な放射線撮像装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】行列状に配置された複数の単位画素２０を有し、入射した放射線に応じて電気信号を発生する画素部と、この画素部の単位画素２０を選択的に駆動するための駆動部と、画素トランジスタの特性回復部とを有する。単位画素２０には３つの画素トランジスタ（読出トランジスタ２３等）と光電変換素子２１とが含まれる。特性回復部には、アニール用定電流源３１Ｂと、放射線の非測定時において単位画素２０からの電流流路をアニール用定電流源３１Ｂ側に切り換えるための切換えスイッチ３２とが含まれる。画素トランジスタに対してアニール電流が流れることによりその特性が回復する。 （もっと読む）

【課題】回路基板製造方法に関し、各レジスト膜又はレイヤーのパターンを適切に検査する方法を提案する。
【解決手段】回路基板２００は、基板２１０に薄膜を形成する薄膜形成工程；薄膜にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程；レジスト膜をマスクとして薄膜を剥離するエッチング工程；レジスト膜を剥離するレジスト剥離工程；を含む一連の工程によって予め定められたパターンのレイヤーを形成し、当該一連の工程が繰り返される。検査工程は、一連の工程において形成されたレジスト膜又はレイヤーのパターンの画像と、次工程以降で形成されるべきレジスト膜又はレイヤーのパターンの情報を含む参照情報とに基づいて、当該一連の工程で形成されたレジスト膜又はレイヤーのパターンを検査する。 （もっと読む）

【課題】高密度で微細なパターンの断線を低温プロセスによって修正可能な回路基板の欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成された配線３の断線箇所Ｄを含む基板１の露出面領域に、光照射によって濡れ性が変化する物質を用いた濡れ性調整層５を成膜する。次の第２工程では、濡れ性調整層５における断線個所Ｄに対応する部分、またはそれ以外の部分に光を照射する。これにより濡れ性調整層５における断線個所に対応する部分の電極形成液に対する濡れ性を、それ以外の部分よりも高くする。その後断線個所Ｄに対応する濡れ性調整層５部分上に電極形成液を供給して乾燥させる。これにより、断線個所Ｄに電極形成液を乾燥させた修正電極パターン７を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、液晶ディスプレイを初めとする半導体装置や、その他の電子部品に欠陥が生じたとき、その欠陥箇所を修復して機能を回復させる修復装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、単層又は多層の薄膜をその薄膜の物理的特性を維持したまま他の箇所に転写することにある。
【解決手段】超短パルスレーザーを適宜調整して発生する超短パルスレーザー発生装置と、前記超短パルスレーザー発生装置から照射された超短パルスレーザーを所定の形状に成形するフレキシブル・マスク・パターン・ジェネレーターと、該超短パルスレーザーを集光する光学系と、修復すべき電子部品を載置して位置決めする第１のステージとを含む電子部品の欠陥修復装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を行うときにマスクとして使用するフィルムを搬送する時に、これに生じる張力を調整することで、フィルムの延びを防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理ステージよりも上流側にあるダンサーローラ１１２ａと、処理ステージよりも下流側でフィルムテープ１０１に搬送のための駆動力を与えるアクチュエータ１１７とをみ、ダンサーローラ１１２ａは、一定の力に応じてフィルムテープ１０１に張力を与え、張力が増大すると一定の力とは反対の方向に移動してフィルムテープ１０１を送り出す。フィルムテープ１０１は、処理ステージでワークピース１６のプラズマジェット５によって処理される部分上に開口部１００が位置するように配置され、開口部１００を介してプラズマジェット５による処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した薄膜層を転写部材に歩留りよく簡単に転写する方法、および薄膜層転写用粘着テープを提供することである。
【解決手段】基板１上に形成された分離層２上にＴＦＴ１０（薄膜層）を形成する工程と、このＴＦＴ１０上に、側鎖結晶性ポリマーを含有する粘着剤層１６を基材フィルム１７の片面に設けてなり、かつ前記側鎖結晶性ポリマーの融点未満の温度で粘着力が低下する粘着テープ１５を貼付する工程と、分離層２に光を照射してＴＦＴ１０と基板１とを分離し、ＴＦＴ１０を基板１から粘着テープ１５に転写する工程と、転写したＴＦＴ１０を、接着層２０を介して転写部材２１上に接着する工程と、粘着テープ１５の粘着力を低下させ、ＴＦＴ１０を粘着テープ１５から転写部材２１に転写する工程と、を含む薄膜層の転写方法であり、粘着テープ１５からなる薄膜層転写用粘着テープである。 （もっと読む）

【課題】表示欠陥を完全にリペアすることができ、開口率の低下を伴わない液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】紫外線の照射によって高導電率化されたＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物のソース領域及びドレイン領域を有する主ＴＦＴ及び冗長ＴＦＴを備え、冗長ＴＦＴの透明なドレイン領域を画素電極と重なり合うようにして信号線に設けられたリペア領域にまで延ばして形成する。リペア領域と冗長ＴＦＴのドレイン領域の端部とは絶縁層によって絶縁されている。表示欠陥の生じた画素部に対して、主ＴＦＴを画素電極から切り離すとともに、冗長ＴＦＴのドレイン領域の端部と信号線とをリペア領域において溶着させる。これにより、冗長ＴＦＴがスイッチング素子として機能し表示欠陥が完全にリペアされる。 （もっと読む）

【課題】短絡欠陥が微小であっても、その欠陥を確実に修正する。
【解決手段】アクティブマトリクス基板１０は、複数の第１配線１４と、第１配線１４に絶縁膜を介して交差する複数の第２配線１５と、第１配線１４及び第２配線１５が互いに交差している領域である第１領域１１の外側に形成された第２領域１２とを備えている。第２領域１２には、第１配線１４に絶縁膜を介して交差する幹線部２６が配置され、第１配線１４は、幹線部２６に交差するように配置された複線部５０と、その両端にそれぞれ接続された単線部５１とを有している。そして、絶縁膜上には、幹線部２６の幅方向外側に、複線部５０の両端側部分に交差する導電膜５２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】表示品位の低下を抑制して、薄膜トランジスタの欠陥を修正する。
【解決手段】複数のサブ画素Ｐａ及びＰｂを有する複数の画素Ｐと、サブ画素Ｐａ及びＰｂにそれぞれ設けられ、各々、ソース電極１４ａａ、ドレイン電極１４ｂａ及び半導体層１３ａを有する複数のＴＦＴ５ａ及び５ｂと、各ＴＦＴ５ａ及び５ｂにドレイン線１４ｂを介してそれぞれ接続された複数のサブ画素電極１６とを備えたＴＦＴ基板の製造方法であって、サブ画素Ｐａ及びＰｂのＴＦＴ５ａ及び５ｂの欠陥を検出する工程と、欠陥が検出されたサブ画素Ｐａのドレイン線１４ｂを切断する工程と、サブ画素Ｐａのサブ画素電極１６及びサブ画素Ｐｂのサブ画素電極１６の間の導通を取る工程と、サブ画素Ｐｂの半導体層１３ａをアニールする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の表示品位の低下を抑制して、薄膜トランジスタの欠陥を修正する。
【解決手段】各画素毎にゲート電極が規定され、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１ａと、各画素のゲート電極に絶縁膜を介して重なるように島状に設けられた第１半導体層１３ａと、各画素毎に各ゲート線１１ａに絶縁膜を介して重なるように島状に設けられた第２半導体層１３ｂと、各画素毎に第１半導体層１３ａを介してゲート電極の一方の端部に重なるようにソース電極１４ａａが規定され、各ゲート線１１ａと交差する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１４ａと、各画素毎に第１半導体層１３ａを介してゲート電極の他方の端部に重なると共にソース電極１４ａａと対峙するようにドレイン電極１４ｂａが規定され、各画素電極にそれぞれ接続するように設けられた複数のドレイン線１４ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】
画素電極と共通電極又はコモン線との間の確実な短絡を可能とし、また、点欠陥の修正作業の作業効率を高めた液晶表示装置及びその点欠陥修正方法を提供すること。
【解決手段】
ゲート信号線ＧＬと、該ゲート信号線に直行するドレイン信号線ＤＬと、該ゲート信号線と該ドレイン信号線によって囲まれた画素領域と、該画素領域のそれぞれには、画素電極ＰＸ及び共通電極ＣＴと、該画素電極を駆動するスイッチング素子と、該スイッチング素子と該画素電極とを接続するソース線ＳＬと、該共通電極に接続されるコモン線ＣＬが設けられる液晶表示装置において、該共通電極上に形成され、且つ該ソース線と重畳する位置に配置されるメタルパターン２を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】再度のフォトリソグラフィ工程を必要とせずに特性値を変更することが可能な抵抗体を提供する。
【解決手段】抵抗体は、互いに直列接続された複数の第１の抵抗体ユニットと、前記複数の第１の抵抗体ユニットのうちの一部に並列接続される第２の抵抗体ユニットを有する。そして、半導体集積回路測定後に、必要に応じて前記第２の抵抗体ユニットを電気的に切断する。なお、第１の抵抗体ユニットは、単体の抵抗体から構成されたユニットでも、複数の抵抗体から構成されたユニットでもどちらでも良い。 （もっと読む）

【課題】 修正の領域、材料、あるいは種類等における適用範囲を大幅に拡大できる表示装置の修正方法およびその装置の提供。
【解決手段】 基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置の前記パターン欠陥を修正する修正装置であって、
前記パターン欠陥の領域に局所的なプラズマの照射によって前記パターン欠陥を修正するプラズマ照射手段を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】配線基板の生産歩留りおよび生産性を向上する配線基板製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る配線基板製造装置１における欠損検出部１１０は、絶縁膜における欠損を検出する。続いて、欠損数算出部１２０は、検出した絶縁膜における欠損のうち、交差部における欠損の数を算出する。そして、修正指示部１３０は、算出した欠損の数が０より多く、かつ、所定の閾値Ｔｈ１未満である場合に、交差部における欠損を修正すべきであると判断する。 （もっと読む）