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Fターム[5F110CC09]に分類される特許
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半導体装置の作製方法
【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】GRTA装置を用いて、第1の酸化物半導体膜に熱を加え、熱が加えられた第1の酸化物半導体膜に、酸素を添加して第2の酸化物半導体膜とし、GRTA装置を用いて、酸素が添加された第2の酸化物半導体膜に熱を加える。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置であって、当該GRTA装置を用いると短時間での高温加熱処理が可能となる。
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半導体装置の製造方法
【課題】結晶性の優れた炭化シリコン膜を形成することができる炭化シリコンからなる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に、絶縁膜2を介してシリコン膜3が形成された半導体基板を用意し、炭化シリコン膜6形成予定領域を選択的に被覆するマスク膜5を形成する。このマスク膜5で被覆されない領域のシリコン膜3を酸化し、酸化シリコン膜4を形成する。マスク膜5を除去し、シリコン膜3を露出させ、露出したシリコン膜3を炭化し、炭化シリコン膜6を形成する。その後、炭化シリコン膜6上に炭化シリコンのエピタキシャル成長膜8を形成する。
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高分子化合物及びそれを用いた電子素子
【課題】光電変換素子に含まれる有機層に用いた場合に、開放端電圧が大きくなる高分子化合物の提供。
【解決手段】式(I)で表される構成単位、及び、式(II)で表わされる構成単位を有する高分子化合物。
(I)(II)〔式(I)及び式(II)中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミノ基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基、アリールアルケニル基、カルボキシル基又はシアノ基を表す。Yは、2価の基を表す。〕
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不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法
【課題】チャネル移動度を向上させた不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板20上に設けられたメモリトランジスタ40と選択トランジスタ50を有する。メモリトランジスタ40は、導電層41a〜41d、メモリゲート絶縁層43、柱状半導体層44、及び酸化層45を有する。導電層41は、メモリトランジスタ40のゲートとして機能する。メモリゲート絶縁層43は、導電層の側面に接する。半導体層44は、導電層と共にメモリゲート絶縁層43を一方の側面で挟み、半導体基板20に対して垂直方向に延び、メモリトランジスタ40のボディとして機能する。酸化層45は、半導体層44の他方の側面に接する。半導体層44は、シリコンゲルマニウムにて構成される。酸化層45は、酸化シリコンにて構成される。
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トランジスタ
【課題】新たな半導体材料を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】水素濃度が1×1016cm−3以下の領域を有する酸化物半導体層又はキャリア密度が1×1014cm−3未満の領域を有する酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層の膜厚は、酸化物半導体層のドナー密度に基づく空乏層の広がり得る最大幅よりも薄いトランジスタである。
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パワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
【課題】酸化物半導体を用いたパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(パワーMISFET)を提供する。
【解決手段】半導体層103を挟んでゲート電極105とドレイン電極102を形成し、ゲート電極105の側面に半導体層109を形成し、ゲート電極105の頂上部と重なる部分で、半導体層109とソース電極112が接する構造を有する。このようなパワーMISFETのドレイン電極とソース電極の間に500V以上の電源と負荷を直列に接続し、ゲート電極105に制御用の信号を入力して使用する。
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非線形素子
【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子(例えば、ダイオード)を提供
する。
【解決手段】水素濃度が5×1019/cm3以下である酸化物半導体を有するトランジ
スタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φmsと、酸化物半導体に接
するドレイン電極の仕事関数φmdと、酸化物半導体の電子親和力χが、χはφms以上
かつφmd未満の関係になるように構成し、酸化物半導体とソース電極の接触面積よりも
酸化物半導体とドレイン電極の接触面積を大きくし、トランジスタのゲート電極とドレイ
ン電極を電気的に接続することで、整流特性の良い非線形素子を実現することができる。
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高分子化合物及びそれを用いた有機トランジスタ
【課題】電界効果移動度が高い有機トランジスタ作製に有用な高分子化合物を提供する。
【解決手段】式(1−1)〜式(1−3)で表される構造単位からなる群から選ばれる少なくとも1種の構造単位と、アリーレン基または2価の芳香族複素環基からなる構造単位とを含む高分子化合物とする。
式中、R1は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、1価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表す。R2は、炭素数が2以上のアルキル基を表す。Eは、−O−、−S−、−Se−または−N(Ra)−を表す。Raは、水素原子、アルキル基、アリール基または1価の芳香族複素環基を表す。環Aは、芳香環または複素環を表す。n2は0以上の整数を表し、n3は1〜3の整数を表す。]
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新規な有機半導体材料およびそれを用いた電子デバイス
【課題】塗工や印刷あるいは蒸着等の簡便なプロセスで、二次元的に結晶成長することにより連続膜が成膜できる、特性の優れた有機半導体材料を提供すること。
【解決手段】下記一般式(I)で示される構造を有することを特徴とする有機半導体材料。
(上記一般式(I)中、R1乃至R6はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、置換されていても良いアルキル基等である。)
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高分子化合物及びそれを用いた有機トランジスタ
【課題】有機トランジスタの活性層の構成材料として用いる高分子化合物を提供する。
【解決手段】式
〔式中、Eは、−O−、−S−又は−Se−を表す。〕で表される構造単位と、式(1)で表される構造単位とは異なる式
〔式中、Ar1は、2価の芳香族基、−CR3=CR3−で表される基又は−C≡C−で表される基を表す。〕で表される構造単位とを含む高分子化合物。
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半導体装置
【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子(例えば、ダイオード)を提供
する。
【解決手段】水素濃度が5×1019/cm3以下である酸化物半導体を有する薄膜トラ
ンジスタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φmsと、酸化物半導体
に接するドレイン電極の仕事関数φmdと、酸化物半導体の電子親和力χが、φms≦χ
<φmdの関係になるように構成する。また、薄膜トランジスタのゲート電極とドレイン
電極を電気的に接続することで、さらに整流特性の良い非線形素子を実現することができ
る。
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半導体装置
【課題】1個の柱を用いてインバータを構成することにより、高集積なCMOSインバータ回路からなる半導体装置を提供する。
【解決手段】第1のシリコンと、該第1のシリコンとは極性が異なる第2のシリコンと、前記第1のシリコンと前記第2のシリコンとの間に配置され、基板に対して垂直方向に延びている第1の絶縁物とからなる1本の柱と、前記第1のシリコンの上下のそれぞれに配置され、前記第1のシリコンとは極性が異なる第1の高濃度不純物を含むシリコン層と、前記第2のシリコンの上下のそれぞれに配置され、前記第2のシリコンとは極性が異なる第2の高濃度不純物を含むシリコン層と、前記第1のシリコンと前記第2のシリコンと前記第1の絶縁物とを取り囲む第2の絶縁物と、前記第2の絶縁物を取り囲む導電体とを含む半導体装置により、上記課題を解決する。
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高分子化合物及びそれを用いた電子素子
【課題】開放端電圧が十分に高い有機薄膜太陽電池を製造することが可能な高分子化合物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される構成単位を含む高分子化合物。
(I)〔式中、Aは、特定の3価の芳香族炭素環基又は3価の芳香族複素環基及び4価の芳香族炭素環基又は4価の芳香族複素環基よりなる〕
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メモリ装置、及びメモリ装置の作製方法
【課題】可能な限り占有面積が削減され、データ保持期間の極めて長いメモリ装置を提供する。
【解決手段】メモリ装置内のメモリ素子のセルトランジスタとして、リーク電流の極めて小さいトランジスタを用いる。さらにメモリセルの占有面積を縮小するために、ビット線とワード線とが交差する領域に、当該トランジスタのソース及びドレインが縦方向に積層されるように形成すればよい。さらにキャパシタは、当該トランジスタの上方に積層すればよい。
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半導体装置及びその作製方法
【課題】生産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供すること
を目的の一とする。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第1の結晶性を有する酸化物半導体膜及び第2の結晶性を有する酸化物半導
体膜が積層された酸化物半導体積層体を有する縦型トランジスタ及び縦型ダイオードであ
る。当該酸化物半導体積層体は、結晶成長の工程において、酸化物半導体積層体に含まれ
る電子供与体(ドナー)となる不純物が除去されるため、酸化物半導体積層体は、高純度
化され、キャリア密度が低く、真性または実質的に真性な半導体であって、シリコン半導
体よりもバンドギャップが大きい。
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半導体装置
【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供すること
を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物
半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第1の加熱処理を行う。次いで
、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注
入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び
、酸化物半導体膜が露出した状態で第2の加熱処理を行う。
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半導体装置
【課題】プロセスの複雑化を招くことなく、サイリスタとしての機能を実現することの出
来る半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】リセット動作及び初期化動作により所定の電位が記憶されたメモリ回路を有
する半導体装置において、トリガー信号の供給に応じて、メモリ回路の書き換えが行われ
る回路を設ける構成とする。そして、メモリ回路の書き換えにより、半導体装置に流れる
電流を負荷に流す構成とすることで、サイリスタとしての機能を実現しうる半導体装置と
する。
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非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
【課題】透明酸化物膜を用いた半導体デバイスや回路を提供する。
【解決手段】電子キャリア濃度が1015/cm3以上、1018/cm3未満である、In―Zn―Ga酸化物、In―Zn―Ga―Mg酸化物、In―Zn酸化物、In―Sn酸化物、Sn−In−Zn酸化物、In酸化物、Zn―Ga酸化物、及びIn―Ga酸化物のうちのいずれかである非晶質酸化物を、N型半導体として用いたN型TFTを含む回路を構成要素としており、前記N型TFTは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が10マイクロアンペア未満であり、電界効果移動度が1cm2/(V・秒)超であることを特徴とする集積回路。
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高分子化合物及びそれを用いた有機トランジスタ
【課題】有機トランジスタの活性層の構成材料として優れた電界効果移動度を発揮することができる高分子化合物を提供すること。
【解決手段】下式で表される第1構造単位とチオフェン環、又は、少なくとも1つのチオフェン環を含む縮合環を表し、且つ、前記第1構造単位とは異なる構造を有する第2構造単位とを含む高分子化合物。
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芳香環を有するπ電子共役系化合物を含有する膜状体の製法、及び該π電子共役系化合物の製法
【課題】低いエネルギー付与でπ電子共役化合物を得る製造方法、及びこの技術を利用し、難溶性π電子共役系化合物の連続した薄膜の効率的な製造方法を提供する。更に該薄膜の有機電子デバイスへ応用する。
【解決手段】π電子共役系化合物前駆体(I)を含む溶媒の塗工液を基材に塗布して形成された塗工膜より、式(II)で示される脱離性置換基を脱離させ(Ia)で示されるπ電子共役系化合物を含有する膜状体を生成することを特徴とする膜状体の製造方法。
[式(I)、(Ia)、(II)中、XおよびYは水素原子もしくは脱離性置換基を表す。Q2乃至Q5はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子または、1価の有機基であり、Q1とQ6は水素原子、ハロゲン原子または、前記脱離性置換基以外の一価の有機基である。Q1乃至Q6は隣り合った基同士でそれぞれ結合して環を形成していてもよい。]
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