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Fターム[5F110DD11]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | 基板 (39,595) | 表面層を有するもの (14,711)

Fターム[5F110DD11]の下位に属するFターム

表面層材料 (12,167)
複数層 (2,111)
両面 (80)
裏面のみ (16)

Fターム[5F110DD11]に分類される特許

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【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素は、トランジスタと、走査線として機能することができる第1の配線と、信号線として機能することができる第2の配線と、画素電極とを有し、画素は、当該第1の配線と同時に形成された容量線を有さない液晶表示装置である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体の分野は近年注目されはじめた分野である。そのため、酸化物半導
体層を用いたトランジスタの電気特性と、酸化物半導体層の物性値と、の相関関係が未だ
明らかになっていない。よって、酸化物半導体層の物性値を調整することによって、トラ
ンジスタの電気特性を向上させることを第1の課題とする。
【解決手段】少なくとも、ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化
物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有し、前記酸化物半導体層は、比誘電率
が13以上(又は14以上)である半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】フォトダイオードとトランジスタとが絶縁膜を介して同一の半導体基板に形成された半導体装置の、フォトダイオードを形成する半導体層と絶縁膜との界面のリーク電流を小さくする。
【解決手段】一導電型の半導体層11と、半導体層の主面151に設けられた反対導電型の半導体領域182と、半導体層11の主面151に半導体領域182と離間して設けられた一導電型で半導体層11より高不純物濃度の半導体領域191、192と、少なくとも半導体領域182と半導体領域と191、192の間の半導体層11の主面151に設けられた一導電型で半導体層11より高不純物濃度で半導体領域191、192よりも低不純物濃度の半導体領域99と、を備えるフォトダイオード30と、半導体層11の主面151上に設けられた絶縁層10と、絶縁層10上に設けられ、トランジスタ素子40が形成された半導体層9と、を備える。 (もっと読む)


【課題】トレンチ分離構造の上面の周縁部にディボットが形成されても、このディボットに起因するゲート絶縁膜の破壊を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、トレンチ分離構造20Bと、トレンチ分離構造20Bで区画される活性領域上に形成されたゲート絶縁膜30と、ゲート絶縁膜30の上面からトレンチ分離構造20Bの上面まで延在するゲート電極層31と、ゲート電極層31の両側に形成された第1及び第2の不純物拡散領域13D,13Sとを備える。ゲート電極層31は、ゲート絶縁膜30と第1の不純物拡散領域13Dとの間の領域に貫通孔31hを有し、貫通孔31hは、トレンチ分離構造20Bの上面の周縁部の直上に形成されている。 (もっと読む)


【課題】性能および製造安定性を向上させることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、第1の面および第2の面を有する有機半導体部と、第1の面に隣接されたソース電極部と、第2の面に隣接されたドレイン電極部とを備える。ソース電極部およびドレイン電極部のうちの少なくとも一方は、有機半導体部よりも高導電性の有機半導体材料を含む高導電性電極部である。 (もっと読む)


【課題】導体半導体接合を用いて、優れた特性を示す、あるいは、作製の簡単な、あるいは、より集積度の高い電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層の電子親和力よりも仕事関数の小さな導体との接合においては、導体より半導体層にキャリアが注入された領域が生じる。そのような領域を電界効果トランジスタ(FET)のオフセット領域、あるいは、インバータ等の半導体回路の抵抗として用いる。また、ひとつの半導体層中にこれらを設けることにより集積化した半導体装置を作製できる。 (もっと読む)


【課題】オン抵抗が低く、かつ、容易に素子分離もできる半導体装置を提供する。
【解決手段】第1絶縁膜2の上の第1導電型の第1半導体層3の表面を含む上部に設けられた第2導電型の第1半導体領域7と、第1半導体領域7の上部に設けられた第1導電型の第2半導体領域8と、側面が第1半導体層3と第1半導体領域7と第2半導体領域8に接する第1トレンチ4と、第1トレンチ4の側面に沿って設けられたゲート絶縁膜5と、第1トレンチ4内に埋め込まれたゲート電極6と、第1半導体領域7と第1トレンチ4から離れて第1半導体層3の上部に設けられた第1導電型の第3半導体領域9と、側面が第3半導体領域9に接し第3半導体領域9に対して第1半導体領域7の反対側に配置された第2トレンチ15と、第2トレンチ15の側面に沿って設けられた素子分離絶縁膜10と、第2トレンチ15内に埋め込まれたポリシリコン埋め込み領域11とを有する。 (もっと読む)


【課題】複数の有機TFTを狭い領域に形成することができる有機TFT装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
有機TFT装置は、基板と、該基板上のトランジスタ領域に配置された複数の有機TFTと、を含む。ここで、該有機TFT装置は、該トランジスタ領域を取り囲む単一の開口を有するバンクと、該バンクによって画定されかつ該有機TFTのチャネルを形成する単一の有機半導体層と、を含む。バンクはソース電極およびドレイン電極の一部の上に接するように配置されている。 (もっと読む)


【課題】トランジスタのしきい値電圧を最適な値に保持可能な半導体回路を提供すること。またトランジスタのしきい値電圧を制御可能な半導体回路、及びその駆動方法を提供すること。また上記半導体回路を適用した記憶装置、表示装置、及び電子機器を提供すること。
【解決手段】被制御トランジスタのバックゲートに接続されるノードに、ダイオードと第1の容量素子を設け、トランジスタのしきい値電圧が最適になるように所望の電圧を印加可能で且つその電圧を保持することができる構成とし、さらにダイオードに並列に接続された第2の容量素子を設け、当該ノードの電圧を一時的に変化させられる構成とすればよい。 (もっと読む)


【課題】大面積の素子の製造が容易であり、ソース電極及びドレイン電極を形成する際にゲート絶縁層を損傷せず、有機絶縁材料が有する柔軟性を損なわない、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】ゲート電極、及び該ゲート電極を被覆し、有機絶縁材料を含むゲート絶縁層を形成する工程;該ゲート絶縁層上に塗布法、無電解めっき法又は原子層堆積法を用いて導電性材料からなる第1導電層を成膜する工程;該第1導電層上にパターンニングされた第2導電層を形成する工程;該第2導電層で被覆されていない第1導電層の部分を除去して、第1導電層及び第2導電層からなるソース電極及びドレイン電極を形成する工程;及びソース電極、ドレイン電極、及び該ソース電極と該ドレイン電極に挟まれた領域のゲート絶縁層が被覆されるように、有機半導体層を形成する工程;を有する、有機薄膜トランジスタの製造方法。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置において、透過率が高く、スルーホールのテーパ角を所定の範囲に設定できる有機パッシベーション膜を実現する。
【解決手段】有機パッシベーション膜108に形成されたスルーホール120を介して画素電極111とTFTのソース電極106が接続している。有機パッシベーション膜108の材料として分子量が4000から20000のアクリル系樹脂を基材とし、光酸発生剤を1〜6wt%含む化学増幅型感光性樹脂組成物を用い、スルーホールを形成するための露光、現像を行った後、ポスト露光、プリ焼成条件、本焼成条件を適切に行うことによって生産性が高く、透過率が大きく、所定のスルーホールのテーパ角θを有する有機パッシベーション膜を形成することが出来る。 (もっと読む)


【課題】SOI基板上に形成されたメサ分離構造のMOSトランジスタのトランジスタ特性のバラツキを低減する。
【解決手段】MOSトランジスタは、埋込み酸化膜3上に形成されたメサ型SOI層5と、メサ型SOI層5の上面中央部の上に形成されたゲート酸化膜7と、メサ型SOI層5の上面端部の上にゲート酸化膜7よりも厚い膜厚で形成された第1シリコン酸化膜9と、メサ型SOI層5の側面に第2シリコン酸化膜11を介して形成されたシリコン窒化膜からなる側壁膜13と、ゲート酸化膜7上に形成されたゲート電極15を備えている。 (もっと読む)


【課題】歪チャネルを有するMOS トランジスタを製造するための比較的簡単な方法を提供する。
【解決手段】歪チャネルを有するMOS トランジスタ(M) を製造する方法は、(a) 半導体基板(10)の表面に、ソース領域及びドレイン領域とMOS トランジスタを囲む絶縁領域(22)に部分的に延びる絶縁された犠牲ゲートとを備えたMOS トランジスタを形成するステップと、(b) 犠牲ゲートの上面と略同一の高さの上面を有する絶縁層を形成するステップと、(c) 犠牲ゲートを除去するステップと、(d) 露出した絶縁領域(22)の少なくとも上部分をエッチングしてトレンチを形成するステップと、(e) 半導体基板(10)を歪ませることが可能な材料(24)をトレンチに充填するステップと、(f) 犠牲ゲートの除去によって空いた空間にMOS トランジスタの絶縁ゲート(12)を形成するステップとを有する。 (もっと読む)


【課題】裏面に対する各種プロセスを必要としない簡素な構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】活性層2に対して埋込絶縁膜4との境界部分にn+型埋込領域6が形成されているSOI基板5を用いて、素子領域8と配線引出部9との間にトレンチ分離部11を配置し、トレンチ分離部11をn-型ドリフト層7と同じもしくはそれより深く、かつ、埋込絶縁膜4から離間するように形成する。このような構成とすれば、SOI基板5に対して予め形成しておけるn+型埋込領域6を介して行うことができる。このため、高耐圧MOSFET1の素子領域8と配線引出部9との電気的な接続を裏面電極などを備える必要がなく、裏面に対する各種プロセスを必要としない簡素な構造の半導体装置により、層間絶縁膜18に大きな電位差が掛かることを抑制できる。また、電位分布が不均一になることを防止でき、高耐圧MOSFET1の耐圧低下を抑制することも可能となる。 (もっと読む)


【課題】有機薄膜トランジスタ及びこれを備えた平板表示装置を提供する。
【解決手段】基板の一面上に形成されるソース/ドレイン電極及び有機半導体層と、ソース/ドレイン電極及び有機半導体層と絶縁されるゲート電極と、ソース/ドレイン電極と前記ゲート電極との間に一層以上のゲート絶縁層と、を備え、ソース/ドレイン電極と前記ゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さは、有機半導体層のチャンネル領域とゲート電極との交差領域のうち少なくとも一部でのゲート絶縁層の厚さ以上とした。 (もっと読む)


【課題】インジウムを主要成分とし、金属半導体接合を用いた電界効果トランジスタのオフ電流を低減せしめる構造を提供する。
【解決手段】インジウムを主要成分とする、厚さ0.1〜100nmの第1の酸化物半導体(例えば、酸化インジウム)よりなる第1の半導体層1の一方の面に絶縁膜4を設け、他の面に接して、I型の第2の酸化物半導体(例えば、酸化ガリウム)よりなる第2の半導体層2を設ける。第2の酸化物半導体の真空準位からフェルミレベルまでのエネルギー差は第1の酸化物半導体のものよりも大きい。上記の条件を満たす第2の酸化物半導体との接触面近傍においては、極めてキャリア濃度の低い領域(準I型領域)となるので、その部分をチャネルとすることにより、オフ電流が低減できる。また、FETのドレイン電流は移動度の高い第1の酸化物半導体を流れるので、大電流を取り出せる。 (もっと読む)


【課題】高いバイアス電圧を必要とせずに、メモリセルとして動作可能なマルチゲート半導体デバイスを提供する。
【解決手段】マルチゲートMOSFETをベースとした、比較的低いバイアス電圧を要するキャパシタレスのメモリデバイス。充分な本体係数を用意し、Vフィードバックループを導入することによって、閾値電圧をゲート−本体間電圧を関連させる蓄積層を用いて、ヒステリシスウインドウ(H)を導入できる。MOSFETは、「1」値または「0」値を保存することができ(54,51)、(プログラムウインドウPWの範囲内で)保存した値を読み出し、ホールドする(50)。デバイスは、1.5Vなどの比較的低い動作電圧、1016動作サイクルなどの高い信頼性、〜5秒などの長い保持時間で動作する。 (もっと読む)


【課題】高性能化および製造容易化を実現可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】支持基体1の上にゲート電極2を形成したのち、そのゲート電極2の上にゲート絶縁層3を形成する。続いて、ゲート絶縁層3の上に有機半導体層を形成したのち、レーザアブレーション法により有機半導体層をパターニングして有機半導体パターン4を形成する。最後に、有機半導体パターン4の上にソース電極5およびドレイン電極6を形成する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタを製造する際に熱処理による電気特性のバラツキが抑制され、特に大面積のデバイスの作製に適した薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上に、酸化物半導体層12と、ソース電極13と、ドレイン電極14と、ゲート絶縁膜15と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを製造する方法であって、隣接する層の組成が異なる3層以上の積層構造を有し、かつ、ゲート電極に最も近い側に配置された層12Cとゲート電極から最も遠い側に配置された層12Aとの間に、ゲート電極に最も近い側に配置された層及びゲート電極から最も遠い側に配置された層よりも比抵抗が小さい低抵抗層12Cが少なくとも1層存在する酸化物半導体層を形成する工程と、前記酸化物半導体層を形成した後、熱処理する工程と、を含む薄膜トランジスタ1の製造方法。 (もっと読む)


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