【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜にハロゲンドープ処理を行って、第１の絶縁膜にハロゲン原子を供給し、第１の絶縁膜上に、ゲート電極と重畳して酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜に熱処理を行い、酸化物半導体膜上に接して、ソース電極およびドレイン電極を形成し、第２の絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】製造効率が良く、かつ、光リーク電流の発生が抑制されたＴＦＴを提供する。
【解決手段】ＴＦＴ１０１は、ゲート電極２が、基板１側から見て、第１の金属遮光膜Ａと絶縁膜Ｂと第１の金属遮光膜Ａよりも形成面積の小さい第２の金属遮光膜Ｃとの積層構造を有し、第１の金属遮光膜Ａと第２の金属遮光膜Ｃのうち一方がゲート回路に電気的に接続され、他方がゲート回路から絶縁された構造を有するものであり、第１の金属遮光膜Ａは、半導体積層膜１０の形成領域を含む領域に形成されており、チャネル層８において、少なくともソース電極１１とドレイン電極１２との間の領域１３は、第１の金属遮光膜Ａと第２の金属遮光膜Ｃのうちゲート回路に電気的に接続された金属遮光膜と近接し、チャネル層８の両端部は、ゲート回路から絶縁された金属遮光膜と近接するよう、第１の金属遮光膜Ａ及び第２の金属遮光膜Ｃが形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】電磁波又は光が照射されても広義のリーク電流が増大せず、書き込み状態及び消去状態の安定した判別を可能とする。
【解決手段】電磁波シールド性能及び遮光性能を持つ層３０及び３１のどちらにも半導体層６０の領域面積よりも大きい領域面積を持たせ、且つこの層３０及び３１を、半導体層６０の上下を挟み込むように設けることで、電磁波及び光が半導体層６０に侵入することを防ぐことができる。この結果、広義のリーク電流が格段に低減され、書き込み状態及び消去状態の判別を安定して行うことができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの光リーク電流を低減させると共に、画素の開口率を向上させることが可能な画像表示装置を提供することである。
【解決手段】
基板上に複数の薄膜トランジスタを有する画像表示装置であって、前記基板上に形成される複数のゲート線と、前記ゲート線と交差する複数のドレイン線とを有し、前記薄膜トランジスタはボトムゲート型であり、チャネル領域は前記基板側からゲート電極／ゲート絶縁膜／半導体層が順次積層された積層構造を有し、前記チャネル領域のチャネル幅方向に形成されると共に、前記ゲート電極の両端側に形成される当該ゲート絶縁膜が除去された一対の除去領域を有し、前記チャネル領域におけるチャネル幅方向の前記ゲート電極の幅をＷ、前記一対の除去領域に挟まれ、前記チャネル幅方向の前記ゲート絶縁膜の幅をＲとした場合、Ｒ≧Ｗを満たす画像表示装置である。 （もっと読む）

【課題】基板の表面粗度によらず膜表面が平坦であり、信頼性が高く、製造コストを低減させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体活性層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を順次形成するボトムゲート型薄膜トランジスタ１の製造方法である。ゲート絶縁層１２は、絶縁基板１０上に下部層１２ａと該下部層１２ａ上に積層された少なくとも一層以上の上部層１２ｂとがこの順で形成されてなり、下部層１２ａは真空紫外光ＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

【課題】 ミリ波以上の周波数において、安定して、高い利得および動作周波数が得られる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 基板１１上の動作層１３の上に、ソース電極１４、ドレイン電極１５、ゲート電極１８、絶縁膜１７が形成され、
ゲート電極１８は、ソース電極１４とドレイン電極１５の間に配置され、
絶縁膜１７は、ゲート電極１８とドレイン電極１５の間に配置され、
フィールドプレート電極１９は、絶縁膜１７上に形成され、かつ、ソース電極１４と電気的に接続され、
ゲート電極１８上部は、ソース電極１４側およびドレイン電極１５側に突出し、
フィールドプレート電極１９下端は、ゲート電極１８下端よりも下方に配置され、
フィールドプレート電極１９上端は、ゲート電極１９上部においてドレイン電極１５側に最も突出した部分よりも下方に配置されている電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】ゲート構造を微細化してＯＮ抵抗を低減しても、アバランシェ耐量を高く維持できる半導体装置を提供する。
【解決手段】ドリフト領域２と、ベース領域３と、ベース領域３を挟んでドリフト領域２に対向して設けられたソース電極１２と、ドリフト領域２とベース領域３とにゲート絶縁膜を介して接するトレンチ構造の複数のゲート電極６と、２つのゲート電極６の間において、ドリフト領域２とベース領域３との境界に沿って設けられ、ベース領域３に接する長さがゲート電極６よりも短いトレンチ構造のゲート電極７と、を備え、ソース電極１２は２つのゲート電極６の間において、ソース電極１２からゲート電極７に向かう方向に設けられたトレンチ９ｂの中に、ゲート電極７に近接した位置まで延在し、ゲート電極６のソース電極側の端とゲート電極７のソース電極側の端との間において、トレンチ９ｂの内壁面に露出したベース領域３に接していること。 （もっと読む）

【課題】 ソース・ドレイン電極と半導体膜との接触抵抗を低減し、移動度特性を向上した薄膜トランジスタを提供する。さらに、それを用いた高性能の表示装置を提供する。
【解決手段】 板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うようにして前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体膜と、少なくとも各々の一部が前記半導体膜上に形成され、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極と、を具備する薄膜トランジスタであって、前記半導体膜は、ＧｅあるいはＳｉ及びＧｅを含有し、前記一対の電極の各々は、ボロンあるいはＶ族元素を含有する金属膜で形成され、前記一対の電極の各々と前記半導体膜との間に、ジャーマノシリサイドあるいは金属−Ｇｅ間化合物が形成されている。 （もっと読む）

【課題】蛇行した形状に形成されたリセス部を備えることにより、オン抵抗を低減することができる電界効果トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】電界効果トランジスタ１は、チャネル層１１と、チャネル層１１とヘテロ接合を構成するキャリア供給層１２と、キャリア供給層１２の表面から掘り下げて形成されたリセス部１３と、リセス部１３に沿って形成された第１絶縁層３１と、第１絶縁層３１の上に形成された第１ゲート電極２３と、リセス部１３に対してチャネル長方向の一方側に形成されたソース電極２１と、リセス部１３に対してチャネル長方向の他方側に形成されたドレイン電極２２とを備える。リセス部１３は、ソース電極２１とドレイン電極２２とが平面視で平行に対向するチャネル長の範囲内において、蛇行しながらチャネル長方向と交差する方向に延長されている。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を犠牲にしないで寄生容量とリーク電流のトレードオフを解消または緩和する。
【解決手段】ＴＦＴ部１０Ｂは、２つのソース・ドレイン電極１８,１９が、半導体膜１５の平面視でチャネル形成領域を挟んで位置する一方と他方の半導体領域に接する。ソース・ドレイン電極１８,１９は、半導体膜１５と接する領域（斜線部）の当該ソース・ドレイン電極の輪郭部分３０において、その両端のエッジポイント３１の各々が、平面視でゲート電極１３の外側に位置している。 （もっと読む）

第１の絶縁層と、半導体層と、この半導体層に近オーミックまたはオーミック接触している第１の導体層と、第１の絶縁層によって半導体層から隔てられた第２の導体層であって、複数のトランジスタを備えた複数の機能ブロックを生成するために第１および第２の導体層はパターン化され、第１の層の導体はソース／ドレイン電極として機能し、第２の層の導体はゲート電極として機能する、第１および第２の導体層と、を備える集積回路であって、各機能ブロックは対応する半導体層の島を備え、この島は第２の絶縁層の複数の部分によって別の機能ブロックの島から隔離され、各機能ブロックは、（ｉ）異なるトランジスタの相互に隣接するソース／ドレイン電極が同じ電位になるように配置され、かつ（ｉｉ）上記隣接する電極間に一切の導体が存在しないように配置される、集積回路。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、該酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の積層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。また、チャネル保護層に重ならないようにソース電極層及びドレイン電極層を形成し、ソース電極層及びドレイン電極層上の絶縁層が酸化物半導体層と接する構成とする。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】金属薄膜の一部または全部を酸化させた第１の層と酸化物半導体層の積層を用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その絶縁層の形成時に酸化物半導体層の積層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部にチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。酸化物半導体層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層は、ゲート電極層と、その上方または周辺に形成される配線層（ソース配線層や容量配線層など）との距離を大きくし、寄生容量の低減を図る。酸化物半導体層の周縁部を覆う酸化物絶縁層は、チャネル保護層と同一工程で形成されるため、工程数の増加なく、寄生容量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜前にゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減した後、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行った後、酸素雰囲気下において徐冷する。ゲート絶縁層中、及び酸化物半導体膜中に加え、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板上に形成される、電流密度の大きな横型ＩＧＢＴを提供する。
【解決手段】酸化膜溝側に２つ以上の第二導電型ベース層からなるエミッタ領域を有し、エミッタ領域の第二導電型ベース層をドリフト層より高濃度の第一導電型層で覆う横型ＩＧＢＴ構造において、酸化膜溝側のゲート電極長をコレクタ側のゲート電極長より縮小し、前記高濃度の第一導電型層を前記第二導電型ベース層間とコレクタ側の前記第二導電型ベース層下に形成することにより、耐圧を維持したまま前記の第一導電型層の高濃度化が実現し電流密度が向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体層をゲート電極によって遮光したボトムゲート型薄膜トランジスタのオフ電流を低減する。
【解決手段】ゲート電極層と、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に接して設けられた前記第１の半導体層よりもキャリア移動度が低い第２の半導体層と、前記ゲート電極層と前記第１の半導体層との間に接して設けられたゲート絶縁層と、前記第２の半導体層に接して設けられた不純物半導体層と、前記不純物半導体層及び前記第１及び第２の半導体層に一部が接して設けられたソース電極及びドレイン電極層と、を有し、前記第１の半導体層のゲート電極層側は全面が前記ゲート電極層によって覆われており、前記第１の半導体層と前記ソース電極及びドレイン電極層が接する部分のポテンシャル障壁は０．５ｅＶ以上である薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコンをチャネル領域として用い、良好にリーク電流を抑制することが可能なトランジスタを備えるトランジスタ基板及びトランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ基板におけるトランジスタ１００は、基板１１と、ゲート電極１１２と、ゲート絶縁膜１１３と、半導体層（チャネル領域）１１４と、ドレイン領域１１６、ソース領域１１７と、ドレイン電極１１８と、ソース電極１１９と、を備える。ドレイン領域１１６と半導体層１１４が接触する箇所及びソース領域１１７と半導体層１１４が接触する箇所のうち少なくとも一方は、ゲート電極１１２と比較し、薄膜トランジスタ１００のチャネル長方向に外側に位置するように形成されている。このようにストッパ膜１１５を形成することにより、電界の急激な変化を抑制することができ、良好にリーク電流を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】櫛型状の電極を採用してジグザグ状のチャネル領域を形成したａ−ＳｉＴＦＴに
おいて、帯状凸部の形成数を抑制してもチャネル幅を長く形成することができ、それによ
り高速駆動が可能で、かつ電極の断線が抑制された信頼性の高いａ−ＳｉＴＦＴを提供す
ること。
【解決手段】ソース電極Ｓを、半導体層ａ−Ｓｉの表面において複数の凹凸部を描きなが
らジグザグに連なる１本の線形状に形成し、ドレイン電極Ｄを、半導体層ａ−Ｓｉと非重
畳の基幹部Ｄ_Ｎと、基幹部から分岐されて半導体層ａ−Ｓｉの側端部を乗り超えて半導体
層ａ−Ｓｉの表面に配置されると共に、ソース電極Ｓの電極の凹部にその先端部が挿入さ
れるように配置された複数の帯状凸部Ｄ_Ｔと、からなる櫛型状に形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に高抵抗領域及び低抵抗領域を有するバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層の低抵抗領域を介して接触するように薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）