【課題】結晶性の優れた酸化物半導体層を形成して電気特性の優れたトランジスタを製造
可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを目的の一つとす
る。
【解決手段】第１の加熱処理で第１の酸化物半導体層を結晶化し、その上部に第２の酸化
物半導体層を形成し、温度と雰囲気の異なる条件で段階的に行われる第２の加熱処理によ
って表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層の形成と酸素
欠損の補填を効率良く行い、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加
熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に再度酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素
を含む窒化物絶縁層を形成し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導
体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】トレンチ分離構造の上面の周縁部にディボットが形成されても、このディボットに起因するゲート絶縁膜の破壊を防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、トレンチ分離構造２０Ｂと、トレンチ分離構造２０Ｂで区画される活性領域上に形成されたゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０の上面からトレンチ分離構造２０Ｂの上面まで延在するゲート電極層３１と、ゲート電極層３１の両側に形成された第１及び第２の不純物拡散領域１３Ｄ，１３Ｓとを備える。ゲート電極層３１は、ゲート絶縁膜３０と第１の不純物拡散領域１３Ｄとの間の領域に貫通孔３１ｈを有し、貫通孔３１ｈは、トレンチ分離構造２０Ｂの上面の周縁部の直上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有するトランジスタおよびその製造方法、並びにそのトランジスタを備えた表示装置を提供する
【解決手段】制御電極と、制御電極に対向する能動層と、能動層に電気的に接続された第１電極および第２電極と、制御電極と第１電極および第２電極との間に設けられ、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層とを備えたトランジスタ。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するトップゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、酸化物半導体膜と接する第１のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法によりフッ化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成し、該第１のゲート絶縁膜上に積層する第２のゲート絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法により水素化珪素及び酸素を含む成膜ガスを用いた酸化シリコン膜で形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な
容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜
上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、
前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、
容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 （もっと読む）

【課題】液晶等の電気光学素子若しくは発光素子等を表示媒体として用いる表示装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極に、オンしたトランジスタを介して信号を入力することで、劣化しやすいトランジスタのしきい値電圧のシフト及びオンしたトランジスタのしきい値電圧のシフトを抑制する。すなわち、高電位（ＶＤＤ）がゲート電極に印加されているトランジスタを介して（若しくは抵抗成分を持つ素子を介して）、交流パルスを劣化しやすいトランジスタのゲート電極に加える構成を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】新規な構成を有する半導体装置である。
【解決手段】第１の素子を有し、第２の素子を有し、トランジスタを有し、容量を有し、第１の素子の出力は、第２の素子の入力と電気的に接続され、第２の素子の出力は、第１の素子の入力と電気的に接続され、第１の素子の入力は、入力端子と電気的に接続され、第１の素子の出力は、出力端子と電気的に接続され、トランジスタのソース及びドレインの一方は、容量の一方の電極と電気的に接続され、トランジスタのソース及びドレインの他方は、入力端子と電気的に接続され、トランジスタのチャネル形成領域は、結晶を有する酸化物半導体を有する。結晶を有する酸化物半導体を有するトランジスタはリーク電流が非常に小さいため、データを保持することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子（例えば、ダイオード）を提供
する。
【解決手段】水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を有するトランジ
スタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φｍｓと、酸化物半導体に接
するドレイン電極の仕事関数φｍｄと、酸化物半導体の電子親和力χが、χはφｍｓ以上
かつφｍｄ未満の関係になるように構成し、酸化物半導体とソース電極の接触面積よりも
酸化物半導体とドレイン電極の接触面積を大きくし、トランジスタのゲート電極とドレイ
ン電極を電気的に接続することで、整流特性の良い非線形素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】性能向上を容易に実現することが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極と、そのゲート電極から分離絶縁層を介して離間された半導体層と、その半導体層に接続されると共に互いに離間されたソース電極およびドレイン電極とを備える。ソース電極とドレイン電極との間においてゲート電極とソース電極およびドレイン電極とが重ならない第１領域における分離絶縁層の厚さは、ゲート電極とソース電極およびドレイン電極のうちの少なくとも一方とが重なる第２領域における分離絶縁層の厚さよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】新たな半導体材料を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】水素濃度が１×１０^１６ｃｍ^−３以下の領域を有する酸化物半導体層又はキャリア密度が１×１０^１４ｃｍ^−３未満の領域を有する酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層の膜厚は、酸化物半導体層のドナー密度に基づく空乏層の広がり得る最大幅よりも薄いトランジスタである。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを含有する活性層を有する有機電界効果型トランジスタにおいて、熱プロセス、経時変化、外部環境に対して、移動度、Von、ヒステリシスの性能を安定化すること。
【解決手段】ゲート電極、ゲート絶縁層、カーボンナノチューブを含有する活性層、該活性層に対して前記ゲート絶縁層と反対側に形成された架橋構造を持つポリシロキサンを含む第２絶縁層、ソース電極およびドレイン電極を有する有機電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】電気泳動表示装置で、書き込み回数のさらに少ないアクティブマトリクス型の電
気泳動表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】複数の画素電極上に、複数の帯電粒子を内蔵したマイクロカプセルを配置し
、前記画素電極の電位により前記帯電粒子を制御することによって明暗を表示することを
特徴とした表示装置において、前記画素電極への映像信号の再書き込み動作を、画素に表
示する映像が変化する場合に行うことにより、書き込み回数を低減する。 （もっと読む）

【課題】新規な不揮発性のラッチ回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の素子の出力は第２の素子の入力に電気的に接続され、第２の素子の出
力は第２のトランジスタを介して第１の素子の入力に電気的に接続されるループ構造を有
するラッチ回路であって、チャネル形成領域を構成する半導体材料として酸化物半導体を
用いたトランジスタをスイッチング素子として用い、またこのトランジスタのソース電極
又はドレイン電極に電気的に接続された容量を有することで、ラッチ回路のデータを保持
することができる。これにより不揮発性のラッチ回路を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】低いコンタクト抵抗、高い移動度を達成し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極１３、ゲート絶縁層１４、有機半導体材料層から構成されたチャネル形成領域１６、及び、金属から成るソース／ドレイン電極１５を有する電界効果型トランジスタから成る半導体装置において、チャネル形成領域１６を構成する有機半導体材料層と接するソース／ドレイン電極１５の部分は、電極被覆材料２１で被覆されており、電極被覆材料２１は、金属イオンと結合し得る官能基、及び、金属から成るソース／ドレイン電極１５と結合する官能基を有する有機分子から成る。 （もっと読む）

【課題】higher-k材料であるチタン酸化膜の半導体基板との界面を安定化でき、さらなる微細化に対応できるゲート構造を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１の上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを備えている。ゲート絶縁膜は、アナターゼ型酸化チタンを主成分とする高誘電率絶縁膜５であり、ゲート電極は、第１の金属膜６又は第２の金属膜８を含む導電膜から構成されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造のフラッシュメモリーの提供
【解決手段】
半導体基板１上にシリコン窒化膜２及びシリコン酸化膜３が選択的に設けられ、シリコン酸化膜３上には、選択的に横（水平）方向エピタキシャルＳｉ層５が設けられ、Ｓｉ層５の両側面には、それぞれ側面を接して横（水平）方向エピタキシャルＳｉ層６が設けられた構造からなる半導体層が素子分離領域のシリコン窒化膜４により絶縁分離されている。Ｓｉ層６の残りの周囲には第１のゲート酸化膜１０を介して包囲型フローティングゲート電極１１が設けられ、包囲型フローティングゲート電極１１の周囲には第２のゲート酸化膜１２を介して包囲型コントロールゲート電極１３（ワード線）が設けられ、Ｓｉ層５には概略ソースドレイン領域９が設けられている２重包囲型ゲート電極を有するＭＩＳ電界効果トランジスタより構成したフラッシュメモリー。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く製造する技術を提供する。
【解決手段】基板上に設けられ、一対の不純物領域の間に設けられたチャネル形成領域を
含む島状の半導体層と、半導体層の側面に接して設けられた第１絶縁層と、チャネル形成
領域上に設けられ、半導体層を横断するように設けられたゲート電極と、チャネル形成領
域及びゲート電極の間に設けられた第２絶縁層と、半導体層及び前記ゲート電極上に形成
された第３絶縁層と、第３絶縁層を介して、不純物領域と電気的に接続される導電層と、
を有する。不純物領域はチャネル形成領域と比較して膜厚が大きい領域を有し、且つ該膜
厚が大きい領域で導電層が接続されている。第２絶縁層は、少なくともゲート電極が重畳
する領域の半導体層の側面に設けられた第１絶縁層を覆う。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する構成を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてインジウム、第３族元素、亜鉛、及び酸素を少なくとも含む非単結晶の酸化物半導体層を用いる。第３族元素は安定剤として機能する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップが薄くなっても、応力による特性変化の少ない半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ活性層のオリフラ方向の面方位を＜１００＞、半導体支持基板の面方位を＜１１０＞とし、ＳＯＩ活性層にはＰチャネルＭＯＳトランジスタ、半導体支持基板にはＮチャネルＭＯＳトランジスタを形成することで、ＮチャネルＭＯＳトランジスタとＰチャネルＭＯＳトランジスタのどちらもピエゾ抵抗効果の角度度依存を持たないように配置することが可能となり、結果としてペアトランジスタ間のシフト量がそろい、半導体装置の特性が安定することとなる。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板等の可撓性を有する基板を用いて、柔軟性を有する表示装置を作製する
ための技術を提供する。
【解決手段】固定基板上に、剥離層となる非晶質シリコン膜を介して樹脂基板を形成する
工程と、前記樹脂基板上に少なくともＴＦＴ素子を形成する工程と、前記非晶質シリコン
膜にレーザー光を照射することにより、前記非晶質シリコン膜において前記固定基板から
前記樹脂基板を剥離する工程とを行い、前記樹脂基板を用いた柔軟性を有する表示装置を
作製する。 （もっと読む）