説明

Fターム[5F110FF11]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | ゲート絶縁膜 (42,913) | 形状 (453)

Fターム[5F110FF11]の下位に属するFターム

断面形状 (413)
平面形状 (39)

Fターム[5F110FF11]に分類される特許

1 - 1 / 1


【課題】 柔軟性、可撓性があり任意の形状に集積回路を作成できるという特徴を持つ線状MISFETでは、ソース領域とドレイン領域を並列配置する構造が使用されていた。しかし、MISFETの電気特性を決めるチャネル長が円筒形のゲート絶縁領域に沿ったソース領域とドレイン領域の距離できまるため、チャネル長の微細化や再現性向上が困難だった。
【解決手段】 MISFETの構造を、ソース領域とドレイン領域でチャネル領域となる半導体領域を挟む構造とした。半導体領域にゲート絶縁領域を介して制御電圧を加え、ソース領域とドレイン領域間で流れる電流を制御する。チャネル長が、半導体領域の膜厚で決まるため、チャネル長の微細化や再現性向上が可能になった。 (もっと読む)


1 - 1 / 1