Fターム[5F110GG00]の内容
薄膜トランジスタ (412,022) | チャネル半導体層 (67,982)
Fターム[5F110GG00]の下位に属するFターム
材料 (18,671)
結晶構造 (11,916)
複数層 (1,273)
形状 (8,303)
チャネル長が規定 (2,818)
チャネル幅が規定 (2,148)
チャネルの数がゲートの数より多いもの (331)
チャネル領域の不純物 (5,796)
チャネル半導体層に絶縁領域を有するもの (120)
製法 (16,298)
その他 (307)
Fターム[5F110GG00]に分類される特許
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半導体装置
【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第1のトランジスタ上に設けられた第2のトランジスタと容量素子とを有し、容量素子は、第2のトランジスタのソース電極またはドレイン電極と、ゲート絶縁層と、第2のトランジスタを覆う絶縁層上に設けられた容量素子用電極を含み、第2のトランジスタのゲート電極と、容量素子用電極とは、絶縁層を介して少なくとも一部が重畳して設けられる半導体装置を提供する。第2のトランジスタのゲート電極と、容量素子用電極とを、異なる層で形成することで、半導体装置の集積度を向上させることができる。
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