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Fターム[5F110GG03]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | チャネル半導体層 (67,982) | 材料 (18,671) | Ge (1,130)

Fターム[5F110GG03]に分類される特許

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【課題】トンネルFETのオン電流の劣化を抑制しつつ、オフ電流を低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、溝が形成された基板と、前記基板上の前記溝に隣接する位置にゲート絶縁膜を介して形成され、前記溝の反対側に位置する第1側面と、前記溝側に位置する第2側面とを有するゲート電極とを備える。さらに、前記装置は、前記ゲート電極の前記第1側面に形成された第1の側壁絶縁膜と、前記ゲート電極の前記第2側面と前記溝の側面に形成された第2の側壁絶縁膜とを備える。さらに、前記装置は、前記基板内において、前記ゲート電極の前記第1側面に対し前記第1の側壁絶縁膜側に形成された、第1導電型のソース領域と、前記基板内において、前記ゲート電極の前記第2側面と前記溝の側面に対し前記第2の側壁絶縁膜側に形成された、第2導電型のドレイン領域とを備える。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜の膜減り及びダメージを抑え、微細なトランジスタを歩留まり良く作製する。
【解決手段】絶縁表面上の半導体膜と、半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の、第1の金属膜および第1の金属膜上の第2の金属膜を有するゲート電極と、ゲート絶縁膜上に形成され、かつ第1の金属膜の側面と接し、第1の金属膜と同一の金属元素を有する金属酸化物膜と、を有し、第2の金属膜より第1の金属膜のほうが、イオン化傾向が大きい半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】微細なパターン、例えば、線幅が50μmよりも小さいパターンであっても高い精度でパターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】微細なパターンのパターン形成方法であって、基板上に形成された、親疎水性変換機能を有する第1の膜において、パターンが形成されるパターン形成領域を親疎水性に変化させる工程と、パターン形成領域に第2の膜を形成し、第2の膜が乾燥してパターンを形成する工程とを有する。第2の膜は、厚さが0.1μmになったときの粘度が3mPa・s以下である。 (もっと読む)


【課題】 横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む半導体構造体を提供する。
【解決手段】 CMOS構造体などの半導体構造体が、横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、角度傾斜イオン注入法又は逐次積層法を用いて形成することができる。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、非ドープ・チャネルの電界効果トランジスタ・デバイスに向上した電気的性能をもたらす。 (もっと読む)


【課題】チャネル保護型の薄膜トランジスタにおいて、オフ特性及び信頼性に優れた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1を準備する第1工程と、基板1上にゲート電極2を形成する第2工程と、ゲート電極2上に第1絶縁膜としてゲート絶縁膜3を形成する第3工程と、ゲート絶縁膜3上に非結晶質の半導体薄膜4aを形成する第4工程と、非結晶質の半導体薄膜4a上に第2絶縁膜としてチャネル保護膜5を形成する第5工程と、チャネル保護膜5の上方からレーザー光を照射することにより、非結晶質の半導体薄膜4aを結晶化させて結晶化領域を形成する第6工程と、結晶化領域の上方にソース電極7S及びドレイン電極7Dを形成する第7工程と、を含み、第5工程において、チャネル保護膜5は、前記レーザー光に対して透明となるように形成される。 (もっと読む)


【課題】静電破壊による歩留まりの低下を防ぐことができる半導体装置。
【解決手段】複数の画素を選択するための信号を走査線に供給する走査線駆動回路が、上記信号を生成するシフトレジスタを有しており、上記シフトレジスタにおいて、複数のトランジスタのゲート電極として機能する一の導電膜を複数に分割し、上記分割された導電膜どうしを、分割された導電膜と異なる層に形成された導電膜により、電気的に接続する構成を有する。上記複数のトランジスタには、シフトレジスタの出力側のトランジスタが含まれるものとする。 (もっと読む)


【課題】バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を提供する。また、バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を具備する半導体装置を提供する。
【解決手段】インジウム、ランタン、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜とする。また、当該結晶構造において、ランタンは酸素が6配位した構造とし、インジウムは酸素が5配位した構造とする。酸化物半導体膜の結晶構造中にランタンを用いることで、インジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜よりもバンドギャップが大きく、結合エネルギーを大きくした酸化物半導体膜とすることができる。また、該酸化物半導体膜を用いた半導体装置の特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】消費電力を小さくでき、トランジスタ数が少ない半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース及びドレインの一方が第1の配線と電気的に接続され、ソース及びドレインの他方が第2の配線と電気的に接続された第1のトランジスタと、ソース及びドレインの一方が第1の配線と電気的に接続され、ゲートが第1のトランジスタのゲートと電気的に接続された第2のトランジスタと、一方の電極が第3の配線と電気的に接続され、他方の電極が第2のトランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続された容量素子と、を有する。 (もっと読む)


【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。TFTの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 (もっと読む)


【課題】剥離前の形状及び特性を保った良好な状態で転置工程を行えるような、剥離工程
を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の
半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技
術を提供することも目的とする。
【解決手段】透光性を有する第1の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、
光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第1の基板を通過させて、光
触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第1の基板より剥離する。 (もっと読む)


【課題】高開口率を有し、容量の大きな保持容量を有する表示装置を提供する。
【解決手段】第1導電膜によるゲート電極と、第1導電膜上の第1絶縁層によるゲート絶縁膜と、第1絶縁層上にゲート電極と重なる第1半導体層と、第1半導体層上かつゲート電極に重なる第2絶縁層によるチャネル保護膜と、第1半導体層と重なりソース領域及びドレイン領域に分離された導電性の第2半導体層と、第2半導体層上の第2導電膜によるソース電極及びドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、第2導電膜上に形成された第3絶縁層と、第3絶縁層上の第3導電膜により形成され、ソース電極またはドレイン電極の一方と接続する画素電極と、第1絶縁層上の容量配線と、容量配線上の第3絶縁層を挟んで、画素電極の重畳領域に形成される保持容量とを有する表示装置及びその作製方法。 (もっと読む)


【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、第1の導電層及び第2の導電層の積層によって構成されるソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁層、及びゲート電極層が順に積層されたコプレナー型のトランジスタにおいて、該ゲート電極層は、該第1の導電層と該ゲート絶縁層を介して重畳し、該第2の導電層と前記ゲート絶縁層を介して非重畳とする。 (もっと読む)


【課題】ESDの影響を効果的に抑制する保護回路を提供すること。またESDの影響が効果的に抑制された半導体装置を提供すること。
【解決手段】保護回路は、少なくとも2つの保護ダイオードを有し、当該保護ダイオードを、チャネルを形成する半導体層を挟んで対向する2つのゲートを有するトランジスタで構成する。さらに当該トランジスタのゲートの一方に、固定電位が入力される構成とすればよい。 (もっと読む)


【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】ソース電極層405a及びドレイン電極層405bの端部と、ゲート電極層401の端部とを重畳させ、更に酸化物半導体層403のチャネル形成領域となる領域に対して、ゲート電極層401を確実に重畳させることで、トランジスタのオン特性を向上させる。また、絶縁層491中に埋め込み導電層を形成し、埋め込み導電層481a,481bと、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bとの接触面積を大きくとることで、トランジスタのコンタクト抵抗を低減する。ゲート絶縁層402のカバレッジ不良を抑制することで、酸化物半導体層403を薄膜化し、トランジスタの微細化を実現する。 (もっと読む)


【課題】チャネル領域にシリコンを含まない材料を用いる半導体装置であって、微細化に伴いゲート絶縁層が薄膜化されても、ゲートリーク電流が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層として熱酸化シリコン層を用いる。熱酸化シリコン層を用いることで、CVD法やスパッタリング法で形成された酸化シリコン層を用いる場合よりゲートリーク電流を抑制することができる。ゲート絶縁層に熱酸化シリコン層を用いるために、チャネル領域を含む半導体層を形成する基板とは別にシリコン基板を用意し、シリコン基板上に熱酸化シリコン層を形成する。そして熱酸化シリコン層を、チャネル領域を含む半導体層に貼り合わる。このようにして、半導体層の上に熱酸化シリコン層を形成し、熱酸化シリコン層をゲート絶縁層として用いたトランジスタを形成する。 (もっと読む)


【課題】消費電力が小さく抑えられ、出力される電位の振幅が小さくなるのを防ぐことができる、単極性のトランジスタを用いた半導体装置。
【解決手段】第1電位を有する第1配線、第2電位を有する第2配線、及び第3電位を有する第3配線と、極性が同じである第1トランジスタ及び第2トランジスタと、第1トランジスタ及び第2トランジスタのゲートに第1電位を与えるか、第1トランジスタ及び第2トランジスタのゲートに第3電位を与えるかを選択し、なおかつ、第1トランジスタ及び第2トランジスタのドレイン端子に、1電位を与えるか否かを選択する複数の第3トランジスタと、を有し、第1トランジスタのソース端子は、第2配線に接続され、第2トランジスタのソース端子は、第3配線に接続されている半導体装置。 (もっと読む)


【課題】表面のP−V値が小さく、かつ、高い結晶性を有する半導体薄膜層を備えたSOI基板の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体薄膜層の結晶性を高く保つため、水素イオン添加処理中の半導体基板の温度を200℃以下に抑制した。加えて、水素イオン添加処理後の半導体基板を100℃以上400℃以下に保持した状態で半導体基板に対してプラズマ処理を行うことにより、水素イオン添加処理により生じる、半導体薄膜層の分離に対して寄与度の高いSi−H結合を残存させたまま、半導体薄膜層の分離に対して寄与度の低いSi−H結合を低減した。 (もっと読む)


【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する構成を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてインジウム、第3族元素、亜鉛、及び酸素を少なくとも含む非単結晶の酸化物半導体層を用いる。第3族元素は安定剤として機能する。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く製造する技術を提供する。
【解決手段】基板上に設けられ、一対の不純物領域の間に設けられたチャネル形成領域を
含む島状の半導体層と、半導体層の側面に接して設けられた第1絶縁層と、チャネル形成
領域上に設けられ、半導体層を横断するように設けられたゲート電極と、チャネル形成領
域及びゲート電極の間に設けられた第2絶縁層と、半導体層及び前記ゲート電極上に形成
された第3絶縁層と、第3絶縁層を介して、不純物領域と電気的に接続される導電層と、
を有する。不純物領域はチャネル形成領域と比較して膜厚が大きい領域を有し、且つ該膜
厚が大きい領域で導電層が接続されている。第2絶縁層は、少なくともゲート電極が重畳
する領域の半導体層の側面に設けられた第1絶縁層を覆う。 (もっと読む)


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