Array ( [0] => 薄膜トランジスタ [1] => チャネル半導体層 [2] => 製法 ) 薄膜トランジスタ | チャネル半導体層 | 製法
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Fターム[5F110GG41]の内容

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堆積 (11,413)
不純物の導入方法 (1,524)
前処理 (1,493)
後処理 (1,790)

Fターム[5F110GG41]に分類される特許