【課題】酸化物半導体膜のソース領域およびドレイン領域の導電率を高めることで、高いオン特性を有する酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】第１の領域および第２の領域を有し、少なくともインジウム（Ｉｎ）を含む酸化物半導体膜と、少なくとも酸化物半導体膜の第１の領域と重畳して設けられたゲート電極と、酸化物半導体膜およびゲート電極の間に設けられたゲート絶縁膜と、少なくとも一部が酸化物半導体膜の第２の領域と接して設けられた電極と、を有し、酸化物半導体膜は、酸化物半導体膜と電極との界面近傍のＩｎの濃度が高く、界面から１５ｎｍの範囲で遠ざかるに従いＩｎの濃度が低くなる。なお、酸化物半導体膜の第１の領域はトランジスタのチャネル領域として機能し、第２の領域はトランジスタのソース領域、ドレイン領域として機能する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性のバラツキが低減された半導体装置を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ基板１０１は、Ｐ型半導体層１０２の上にＮ型半導体層１０４が形成された半導体基板１２、その上に形成されたＢＯＸ層１０６、及びＢＯＸ層上に形成されたＳＯＩ層１０８を有する。第１素子分離絶縁層１１０ｂは、ＳＯＩ基板１０１に埋め込まれ、下端１６がＰ型半導体層１０２に達し、第１素子領域（ＮＦＥＴ領域３０）と第２素子領域（ＰＦＥＴ領域４０）とを分離する。Ｐ型トランジスタ１３０ｂは、第１素子領域４０に位置し、チャネル領域１２０ｂを有し、Ｎ型トランジスタ１３０ａは、ＮＦＥＴ領域３０に位置し、チャネル領域１２０ａを有する。第１バックゲートコンタクト１３４ｂは、第１素子領域４０に位置する第２導電型層層１０４に、第２バックゲートコンタクト１３４ａは、第２素子領域３０に位置する第２導電型層１０４に接続される。 （もっと読む）

【課題】トレンチ分離されたＳＯＩ基板にＩＧＢＴとその制御回路等が形成される半導体装置において、ＩＧＢＴの高耐圧化及びターンオフ特性の改善等が必要になる。
【解決手段】ダミー半導体基板１６にＮ型エピタキシャル層８を形成し、Ｎ型エピタキシャル層８にトレンチ３０を形成し、トレンチ３０側壁及びＮ型エピタキシャル層８表面にＮ型バッファ層７、次にＰ型埋め込みコレクタ層６を形成し、トレンチ３０底面及びＰ＋型埋め込みコレクタ層６上を埋め込み絶縁膜５で被覆する。埋め込み絶縁膜５上をポリシリコン膜３で被覆し、該ポリシリコン膜３と絶縁膜２を介してＰ型半導体基板１を貼り合わせた後、ダミー半導体基板１６を除去し、略同一平面状に露出するトレンチ３０底面の埋め込み絶縁膜５、Ｐ＋型埋め込みコレクタ層６、Ｎ型バッファ層７、Ｎ型ドリフト層８ａ等を具備するＳＯＩ基板を形成する。該ＳＯＩ基板にＩＧＢＴ等を形成する。 （もっと読む）

【課題】回路構成の設計自由度の高いＭＥＭＳ及びＭＥＭＳの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の一方の面側に設けられる第１半導体部２１と、基板１０の一方の面側に設けられる振動子３１と、を備えるＭＥＭＳにおいて、第１半導体部２１の側面側に設けられ、かつ基板表面に対して略垂直な第１面２１ａと、振動子３１の側面側に設けられ、かつ基板表面に平行な方向において第１面２１ａと対向する第２面３１ａが設けられると共に、第２面３１ａ側の表層部分は第１面２１ａ側をゲート電極として電圧が印加された際にチャネルとなることで、第１半導体部２１における第１面２１ａを含む部分と振動子３１における第２面３１ａを含む部分とで電界効果トランジスタが構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域に強い歪みを印加することによりデバイス特性を改善した半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１の第１の面に形成されたゲート絶縁膜２と、ゲート絶縁膜２の上に形成されたゲート電極３と、ゲート電極３の側壁に形成されたゲート側壁絶縁膜４と、ゲート電極３の下の半導体基板１中に形成されるチャネル領域に隣接し、不純物が注入されたソース／ドレイン拡散層領域５、６と、ゲート電極３の上方を除き、ソース／ドレイン拡散層領域５、６の上に形成された応力印加膜８と、を有し、半導体基板１の第１の面におけるソース／ドレイン拡散層領域５、６が形成された領域には、凹部または凸部５０、５１、６０、６１が設けられている半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 極浅拡散層を形成することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体基板１００表面をアモルファス化することにより半導体基板１００表面にアモル
ファス層１１１を形成するアモルファス層形成工程と、ドーパントを含むガス雰囲気中で
半導体基板１００にマイクロ波を照射することにより、アモルファス層１１１にドーパン
トを拡散させるとともにドーパントの活性化を行い、半導体基板１００に拡散層１１２を
形成する拡散層形成工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】歪みの高いキャリア移動領域における寄生抵抗及びエネルギー障壁を小さくするための半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１上にゲート絶縁膜７を介して形成されたゲート電極１３ｂと、半導体基板１のうちゲート電極１３ｂの下方に形成されるチャネル領域６ｃと、チャネル領域６ｃの両側方に形成され、第１炭素濃度で炭素を含み、第１リン濃度でリンを含む第１の炭化シリコン層２３と、第１の炭化シリコン層２３上にチャネル領域６ｃに接合して形成され、第１リン濃度より多い第２リン濃度でリンを含み、第１炭素濃度以下の第２炭素濃度で炭素を含む第２の炭化シリコン層２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】
薄膜トランジスタのソース・ドレイン間のＯＮ抵抗を低下することができる光マトリックスデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
凹凸パターンが形成された転写型に真空中にて半導体膜６を形成し、半導体膜６が形成された転写型に真空中にて連続してゲート絶縁膜７を形成する。そして、基板１上に予め形成されたゲート線２上に接着用樹脂４を介して前記ゲート絶縁膜７および前記半導体膜６を転写する。そして、基板１上に転写された前記半導体膜６に水素イオンをドープする処理を行う。それにより、半導体膜６の抵抗率を低下させることができるので、薄膜トランジスタのゲートがＯＮ状態のときのソース・ドレイン間の接続抵抗を低下させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に混入する不純物濃度を制御した活性層を有する半導体回路を備えた半
導体装置を提供するものである。
【解決手段】上記目的を解決するため、ガラス基板上に２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚の
第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪
素膜上にチャネル形成領域となる領域を含む非晶質半導体膜と、を有する構成において、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との界面において、ボロンを有する。 （もっと読む）

【解決手段】
洗練された半導体デバイスにおいては、異なる結晶方位に対して異方性エッチング挙動を有し得るウエット化学的エッチングプロセスに基いてキャビティを形成することによって、チャネル領域の近くに歪誘起半導体合金を位置させることができる。１つの実施形態では、異方性エッチング挙動に加えて二酸化シリコンに関する高いエッチング選択性を呈するＴＭＡＨを用いることができ、それにより、チャネル領域からのオフセットを更に減少させる可能性を追加的に提供する一方で、全体的なプロセスばらつきの大きな原因となることのない極めて薄いエッチング停止層が可能になる。 （もっと読む）

【課題】有機半導体マトリックス物質をドーピングしてその電気特性を変化させるために、有機ドーパントとして有機メソメリー化合物を使用する。
【解決手段】ドーパントが供給される有機半導体を、製造プロセス時により簡単に取り扱うことができるように、また、ドープされた有機半導体を有する電子素子を、再生可能に製造できるように、メソメリー化合物として、同じ蒸着条件下ではテトラフルオロテトラシアノキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）よりも揮発性の低いキノン、または、キノン誘導体、または、１，２，３−ジオクサボリン、または１，３，２−ジオクサボリン誘導体を使用することを提案する。 （もっと読む）

可撓性基板上に、自己整合シリコン薄膜トランジスタを製造するシステム及び方法。前記システム及び方法は、高いパフォーマンスのトランジスタを製造するために、精密さ、レゾリューション、レジストレーションが達成されるよう、レーザアニール、エッチング技術、レーザドーピングを全て低温度で行いつつ、化学気相堆積、プラズマエンハンスト気相堆積、プリント、コーティング、及び他の堆積処理といった堆積処理を組み込むとともに組み合わせている。そのようなＴＦＴはディスプレイ、パッケージング、ラベリング等に使用できる。
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【課題】ボイドのでき易い深いトレンチもしくは経済性の悪い幅広トレンチを形成せずに、高耐圧に必要なオフセットドレイン領域の幅を確保しつつ占有面積を小さくすることができる横型ＭＯＳ半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板の一方側の表面層に、それぞれ一導電型の、ソース領域１３とドレイン領域１２と、該ドレイン領域１２より低不純物濃度で互いに接するオフセットドレイン領域５とを備え、前記ソース領域１３表面と前記オフセットドレイン領域５表面に挟まれる他導電型のチャネル領域４表面にゲート絶縁膜を介して設けられるゲート電極６を有する横型ＭＯＳ半導体装置において、前記オフセットドレイン領域５に、相互に並列で蛇行状の平面パターンであって表面から垂直に形成されるトレンチ列８を備え、該トレンチ列８に電流阻害材料７が充填されている横型ＭＯＳ半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】インバータ回路など、電気接続された２つの半導体スイッチによるスイッチング動作を行なうための電気回路において、寄生インダクタンスおよびオン抵抗を抑制することができる構造の半導体素子を提供すること。
【解決手段】この半導体素子は、基板１と、基板１の一方側に形成される半導体積層構造部２とを備える。半導体積層構造部２は、ｎ型層５、このｎ型層５の一方側（下面側）に積層されたｐ型層４、およびこのｐ型層４に積層されたｎ型層３からなる縦型ｎｐｎ構造の第１半導体積層構造８と、ｎ型層５をこの第１半導体積層構造８と共有し、ｎ型層５、このｎ型層５の他方側（上面側）に積層されたｐ型層６、およびこのｐ型層６に積層されたｎ型層７からなる縦型ｎｐｎ構造の第２半導体積層構造９とを備える。 （もっと読む）

【課題】表面リーク電流を低減することができる、III族窒化物半導体を用いた窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】この電界効果トランジスタは、ｎ型ＧａＮ層３、ｐ型ＧａＮ層４およびｎ型ＧａＮ層５が、順に積層された窒化物半導体積層構造部２を備えている。ゲート絶縁膜９が形成されている。このゲート絶縁膜９は、窒化物半導体積層構造部２の表面全域に接して形成された窒化シリコン膜２０と、この窒化シリコン膜２０の上に形成された酸化シリコン１０膜とを備えている。ゲート絶縁膜９の上には、ゲート絶縁膜９を挟んで領域１２に対向するようにゲート電極１１が形成されている。また、窒化物半導体積層構造部２の引き出し部６の表面には、ドレイン電極７が接触形成されている。一方、窒化物半導体積層構造部２のｎ型ＧａＮ層５の頂面には、ソース電極１３が接触形成されている。 （もっと読む）

歪みが強化された半導体デバイス３０とその製造方法が提供される。１つの方法において、デバイスチャネル７０、７２に歪みを誘発するために、デバイスのソース領域１０３、１０７とドレイン領域１０５、１０９とに歪み誘発半導体材料１０２、１０６が埋め込まれる。誘発された歪みを緩和しないように、ソースおよびドレイン領域に対して薄い金属シリサイドコンタクト１１２が形成される。導電性材料１１４、１１６の層が薄い金属シリサイドコンタクトに接触して選択的に蒸着され、金属化されたコンタクト１２２が導電性材料に対して形成される。
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【課題】表面準位が形成されている素子であっても、表面準位を安定化させて、表面リークを抑制し、高周波動作の応答性も向上させたＧａＮ系半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮドレイン層４、ｐ型ＧａＮチャネル層５が積層されており、ｐ型ＧａＮチャネル層５の上には、ｎ型ＧａＮソース層６が形成されている。リッジ部Ａ側面の傾斜面にゲート絶縁膜７が形成され、ゲート絶縁膜７上に積層されている。ドレイン電極１０とソース電極９が形成された半導体表面及びゲート絶縁膜７で被覆されている半導体表面とを除く露出した半導体表面に、その露出した半導体表面がすべて覆われるように絶縁膜１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】 リンでドープされたシリコンと炭素を含有するエピタキシャル層を形成する方法を提供する。
【解決手段】 圧力は、堆積中１００トール以上に維持される。方法は、置換型炭素を含む膜の形成を生じさせる。特定の実施形態は、半導体デバイス、例えば、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）デバイスにおけるエピタキシャル層の形成と処理に関する。 （もっと読む）

【課題】 ナノチューブを用いた新規の電子素子を提供する。
【解決手段】 Ｎ型半導体の特性を有するソース電極６及びドレイン電極７が両端に設けられた、Ｐ型半導体の特性を有するカーボンナノチューブ１と、カーボンナノチューブ１を挟んで対向するように設けられるバイアス電極２及び制御電極３と、を備える電子素子である。バイアス電極２と制御電極３とに異なる電圧を印加することで、ソース電極６とドレイン電極７との間にチャネルが形成されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質を有するゲート絶縁膜を化合物半導体層上に形成することができる半導体素子製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板１上にバッファ層２を介して積層されたＧａＮ活性層３とゲート電極８との間にゲート絶縁膜であるＳｉＯ₂膜５が形成された半導体素子を製造する半導体素子製造方法において、ゲート絶縁膜は、ＥＣＲスパッタリング法を用いて形成されることを特徴とする。この結果、良好な膜質を有するゲート絶縁膜をＧａＮ活性層３上に形成することができる半導体素子製造方法を提供することが可能になる。 （もっと読む）