Fターム[5F110HK00]の内容
薄膜トランジスタ (412,022) | ソース、ドレイン−低抵抗層 (42,553)
Fターム[5F110HK00]の下位に属するFターム
材料 (26,322)
複数層 (4,300)
低抵抗層に含まれる不純物 (1,114)
低抵抗層の製法 (10,751)
その他 (65)
Fターム[5F110HK00]に分類される特許
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半導体装置
【課題】電源電圧の供給を停止しても、論理回路部間の接続関係、又は各論理回路部内の回路構成を維持できる半導体装置を提供する。また、論理回路部間の接続関係の変更、又は各論理回路部内の回路構成の変更を高速で行うことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】再構成可能な回路において、回路構成や接続関係等のデータを記憶する半導体素子に酸化物半導体を用いる。特に、半導体素子のチャネル形成領域に、酸化物半導体が用いられている。
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