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Fターム[5F110HK15]の内容

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Fターム[5F110HK15]に分類される特許

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【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 (もっと読む)


【課題】バックライトの間接光に起因するリーク電流を低減可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】表示装置用のボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、基板1と、ゲート電極配線2と、ゲート絶縁膜3と、チャネルとなる第1の半導体層4と、第1及び第2のコンタクト層5a、5bとなる第2の半導体層と、ソース又はドレイン電極配線7a、7bとを有し、ソース又はドレイン電極配線7a、7bに対して露出する第2の半導体層の露出部に、絶縁性半導体層6a、6bが形成されている。 (もっと読む)


【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(パワーMISFET)を提供する。
【解決手段】半導体層103を挟んでゲート電極105とドレイン電極102を形成し、ゲート電極105の側面に半導体層109を形成し、ゲート電極105の頂上部と重なる部分で、半導体層109とソース電極112が接する構造を有する。このようなパワーMISFETのドレイン電極とソース電極の間に500V以上の電源と負荷を直列に接続し、ゲート電極105に制御用の信号を入力して使用する。 (もっと読む)


【課題】TFTの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおかつコストを抑えることができる液晶表示装置の提案を課題とする。
【解決手段】画素部に液晶素子と、液晶素子に印加される電圧を制御するTFTとを有する画素が設けられており、駆動回路が有するTFTと、液晶素子に印加される電圧を制御するTFTとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なっている第1の半導体膜と、第1の半導体膜上に形成された一対の第2の半導体膜とを有し、一対の第2の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添加されており、第1の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るICチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、酸化物半導体を用いた逆スタガ型薄膜トランジスタで構成する。
同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 (もっと読む)


【課題】ソース電極およびドレイン電極間におけるオフリーク電流の低減を課題とする。
【解決手段】本発明の一態様は、ゲート電極101と、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜102,103と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極の上方に位置する活性層104と、前記活性層の側面及び前記ゲート絶縁膜の上に形成されたシリコン層105,106と、前記シリコン層上に形成されたソース電極107aおよびドレイン電極107bと、を具備し、前記活性層は、前記ソース電極および前記ドレイン電極それぞれと接しないことを特徴とする半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】動作特性に優れ低温で製造可能な酸化物半導体を用いた表示装置の特性を活かす
には、適切な構成を備えた保護回路等が必要となる。
【解決手段】ゲート電極101を被覆するゲート絶縁層102と、ゲート絶縁層102上
においてゲート電極101と重畳する第1酸化物半導体層103と、第1酸化物半導体層
103上においてゲート電極と端部が重畳し、導電層105aと第2酸化物半導体層10
4aが積層された一対の第1配線層38及び第2配線層39とを有する非線形素子170
aを用いて保護回路を構成する。ゲート絶縁層102上において物性の異なる酸化物半導
体層同士の接合を形成することで、ショットキー接合に比べて安定動作をさせることが可
能となり、接合リークが低減し、非線形素子170aの特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】窒素を含むゲート絶縁膜にプラズマ酸化処理を行うことで、薄膜トランジスタの特性の低下を抑制できる半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、ゲート電極103、窒素を含むゲート絶縁膜105、微結晶半導体膜107,109によって形成されたチャネル領域を有する薄膜トランジスタを備えた半導体装置の作製方法であって、前記ゲート絶縁膜を、酸素原子を含む酸化ガスと水素とを有する酸化ガス雰囲気のプラズマに曝すプラズマ処理を行い、前記ゲート絶縁膜上に前記微結晶半導体膜を形成し、前記酸化ガス雰囲気における前記水素の量をaとし、前記酸化ガスの量をbとした場合に下記式(1)、(2)を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
a/b≧2 ・・・(1)
b>0 ・・・(2) (もっと読む)


【課題】配線にCuを用いる配線の電気抵抗値とTFTの電気特性値を均一にするアクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板およびTFTを有する表示装置の製造方法であって、TFTは、電極および電極近接層を有し、電極は、銅および銅以外の添加元素を含み、以下の工程を含む表示装置の製造方法(A)基板の上に電極および電極近接層が形成される工程、(B)電極または電極近接層がオゾン水で洗浄される工程、(C)前記(B)の工程後の熱処理により、電極と電極近接層との界面に、酸素を含む酸化物膜が形成される工程。 (もっと読む)


【課題】新規な電極構造を有する、横電界方式の液晶表示装置とその作製方法の提案。
【解決手段】絶縁表面を有する第1基板と、絶縁表面上の第1導電膜及び第2導電膜と、第1導電膜上の第1絶縁膜と、第2導電膜上の第2絶縁膜と、第1基板と対峙する第2基板と、第1基板と第2基板の間に位置する液晶層と、を有し、第1導電膜の一部は第1絶縁膜の側部にも位置し、なおかつ、第2導電膜の一部は第2絶縁膜の側部にも位置し、液晶層は、ブルー相を示す液晶を含んでいる液晶表示装置。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第1の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を絶縁膜上に形成した後、種結晶上に、第2の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように第1の微結晶半導体膜を形成し、第1の微結晶半導体膜上に、第1の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を広げず、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を成膜する第3の条件で第2の微結晶半導体膜を形成し、第2の微結晶半導体膜上に、第2の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を埋めつつ、結晶成長を促す第4の条件で、第3の微結晶半導体膜を積層形成する。 (もっと読む)


【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導
体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作
製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって
形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチ
ング工程において、第1のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを
用い、第2のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 (もっと読む)


【課題】リーク電流が低減された半導体装置を提供すること。また、高い電界効果移動度と低いリーク電流が両立された半導体装置を提供すること。また、低消費電力化された電子機器を提供すること。また、マスク枚数を増やすことなくリーク電流を低減可能な、半導体装置の作製方法を提供すること。
【解決手段】高いキャリア移動度を有する半導体膜からなる半導体層の側面が、ソース電極及びドレイン電極と接しない構造とすればよい。また、フォトマスク数を増やすことなく、このような構成を有するトランジスタ構造を形成し、電子機器に適用すればよい。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜を生産性高く作製する方法を提供する。また、該微結晶半導体膜を用いて、電気特性が良好な半導体装置を生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】反応室内に第1の電極及び第2の電極が備えられたプラズマCVD装置を用いて、堆積性気体及び水素を第1の電極及び第2の電極の間に配置された基板を含む反応室内に供給した後、第1の電極に高周波電力を供給することにより反応室内にプラズマを発生させて、基板に微結晶半導体膜を形成する。なお、プラズマが発生している領域において、基板端部と重畳する領域のプラズマ密度を、基板端部と重畳する領域より内側の領域のプラズマ密度より高くし、基板端部より内側の領域に微結晶半導体膜を形成する。また、上記微結晶半導体膜の作製方法を用いて、半導体装置を作製する。 (もっと読む)


【課題】オン電流を確保しつつ、オフ電流を低減した薄膜トランジスタを有する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極GTと、ゲート電極GTの上側に形成される結晶化された第1の半導体層MSと、第1の半導体層MSの上側に形成される、ソース電極STおよびドレイン電極DTと、第1の半導体層MSの側方から延伸して、ソース電極ST及びドレイン電極DTのうちの一方と第1の半導体層MSとの間に介在する第2の半導体層SLと、を有する表示装置であって、第2の半導体層SLは、第1の半導体層MSと接触して結晶化されて形成される第1部分SLaと、第1部分SLaよりも結晶性が低い第2部分SLbを有する、ことを特徴とする表示装置。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜及びその作製方法を提供する。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】厚さが70nm以上100nm以下の微結晶半導体膜であり、微結晶半導体膜の表面から一部が突出する結晶粒を有し、当該結晶粒は配向面を有し、且つ13nm以上の大きさの結晶子を有する微結晶半導体膜である。また、微結晶半導体膜の膜密度が2.25g/cm以上2.35g/cm以下、好ましくは2.30g/cm以上2.33g/cm以下である。 (もっと読む)


【課題】配線抵抗の上昇を防ぎつつ、配線間の寄生容量を低減できる表示装置を提供する。また、表示品質を向上させた表示装置を提供する。また、消費電力を低減できる表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の画素において、信号線と、該信号線と交差する走査線と、信号線から突出する第1の電極と、該第1の電極と対向する第2の電極と、該第2の電極と接続する画素電極とを有する。また、走査線の一部はループ形状であり、第1の電極の一部は、走査線の開口部と重畳する領域に位置する。即ち、第1の電極の一部は、走査線と重畳しない。 (もっと読む)


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