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Fターム[5F110HK17]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | ソース、ドレイン−低抵抗層 (42,553) | 材料 (26,322) | 材料の特性が規定 (425)

Fターム[5F110HK17]に分類される特許

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【課題】酸化物をチャネル及びゲート絶縁層に適用した薄膜トランジスタの高性能化、又はそのような薄膜トランジスタの製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を実現する。
【解決手段】本発明の1つの薄膜トランジスタ100は、ゲート電極220とチャネル40との間に、ゲート電極20に接する、ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる第1酸化物(不可避不純物を含み得る)の層32と、チャネル40に接する、ランタン(La)とタンタル(Ta)とからなる酸化物、ランタン(La)とジルコニウム(Zr)とからなる酸化物、及びストロンチウム(Sr)とタンタル(Ta)とからなる酸化物の群から選択される1種の第2酸化物(不可避不純物を含み得る)の層34との積層酸化物30を備え、チャネル40が、インジウム(In)と亜鉛(Zn)とからなるチャネル用酸化物(不可避不純物を含み得る)である。 (もっと読む)


【課題】隣接する開口部の内部へ有機半導体インクを塗布した際に、互いのインクの混合を抑制し、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機EL表示素子、および有機EL表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁1016における開口部1016bを臨む側面部のうち、隣接する開口部1016cの側の側面部1016eは、側面部1016dを含む他の側面部よりも傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。隔壁1016における開口部1016cを臨む側面部のうち、隣接する開口部1016bの側の側面部1016fは、側面部1016gを含む他の側面部よりも傾斜が急峻な斜面となっている。開口部1016bと開口部1016cとの各内部に対して、有機半導体インクを塗布した場合、X軸方向に互いに離れる方向に偏った表面プロファイルを有することになる。 (もっと読む)


【課題】有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制し、且つ、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機EL表示素子、および有機EL表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁1016には、3つの開口部1016a,1016b,1016cが開けられている。開口部1016b,1016cの各底部には、ソース電極1014a,1014b、ドレイン電極1014c,1014dが露出し、各々がチャネル部として機能する部分である。開口部1016bを臨む側面部のうち、側面部1016d,1016eは、側面部1016iに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。開口部1016cを臨む側面部のうち、側面部1016fは、側面部1016jに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。 (もっと読む)


【課題】機能性デバイスの高性能化、又はそのような機能性デバイスの製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を提供する。
【解決手段】機能性デバイスの製造方法は、型押し工程と、機能性固体材料層形成工程を含む。型押し工程では、機能性固体材料前駆体溶液を出発材とする機能性固体材料前駆体層に対して型押し構造を形成する型を押圧している間の少なくとも一部の時間においてその機能性固体材料前駆体層に対して熱を供給する熱源の第1温度がその機能性固体材料前駆体層の第2温度よりも高くなるように、その機能性固体材料前駆体層に対して型押し加工を施す。また、機能性固体材料層形成工程では、型押し工程の後、酸素含有雰囲気中において、機能性固体材料前駆体層を前述の第1温度よりも高い第3温度で熱処理することにより、機能性固体材料前駆体層から機能性固体材料層を形成する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタ881は、リーク電流が小さいため、画素880内の容量素子を設ける必要がなくなる。または容量素子を小さくすることができ、たとえば液晶容量よりも小さくすることができる。これらによって、画素880の開口率を向上することができる。前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、前記容量素子の容量は、前記液晶素子の容量よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】互いに電気的に接続された薄膜トランジスタの第2電極と配線層との間の電食の発生を防止して、安定した電気特性を得ることできる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタおよび配線層を備え、前記薄膜トランジスタは、制御電極
と、前記制御電極と対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続され、光透過性材
料からなる第1電極と、前記光透過性材料よりも低抵抗の金属膜を含むと共に、前記半導
体層および前記配線層にそれぞれ電気的に接続された第2電極とを備え、前記金属膜の構
成材料と前記配線層の少なくとも一部を構成する導電材料とのイオン化傾向の差は、前記
光透過性材料と前記導電材料とのイオン化傾向の差よりも小さい表示装置。 (もっと読む)


【課題】有機電子デバイスにおいて、仕事関数を制御することにより、電極から有機半導体への電荷注入障壁をより小さくすることが可能となる銀ナノ粒子を適用した電極及びそれを用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】平均粒径が30nm以下であり、沸点が100〜250℃の範囲内にある中短鎖アルキルアミンと沸点が100〜250℃の範囲内にある中短鎖アルキルジアミンを主成分とする保護分子により覆われた銀ナノ粒子を有機電子デバイス用電極として用いる。 (もっと読む)


【課題】ソースおよびドレインと半導体層との間において良好なコンタクトを確保することが可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】有機薄膜トランジスタは、有機材料よりなる半導体層上のソース電極およびドレイン電極に対向する第1および第2の領域のそれぞれに導電層を有し、この導電層が、還元反応によって導電性が変化する酸化物を含むものである。導電層が、半導体層とソース電極およびドレイン電極とのコンタクト層として機能すると共に、トップコンタクト構造では、製造プロセスにおいて半導体層上に、上記導電層を含むエッチングストッパ層を形成可能となる。 (もっと読む)


【課題】微細化しても高いオン電流を得ることができるトランジスタを用いた、半導体装置。
【解決手段】トランジスタが、絶縁表面上の一対の第1導電膜と、一対の第1導電膜上の半導体膜と、一対の第1導電膜にそれぞれ接続されている一対の第2導電膜と、半導体膜上の絶縁膜と、絶縁膜上において、半導体膜と重なる位置に設けられた第3導電膜とを有する。また、半導体膜上における第3導電膜の端部と、一対の第2導電膜が設けられた領域とは、離隔している。 (もっと読む)


【課題】シリコンゲルマニウム層の弛緩を抑制しつつ、高誘電率膜の結晶化を促進することができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】ゲルマニウム濃度が相対的に低濃度のシリコンゲルマニウムの両側を高濃度のシリコンゲルマニウムにて挟み込んだシリコンゲルマニウム層を半導体ウェハー上に形成する。その低濃度のシリコンゲルマニウムの上に二酸化ケイ素の膜を挟んで高誘電率膜を形成する。この半導体ウェハーにフラッシュランプから第1照射を行ってその表面温度を予備加熱温度T1から目標温度T2にまで3ミリ秒以上1秒以下にて昇温する。続いて、フラッシュランプから第2照射を行って半導体ウェハーの表面温度を目標温度T2から±25℃以内の範囲内に3ミリ秒以上1秒以下維持する。これにより、シリコンゲルマニウム層の歪みの緩和を抑制しつつ、高誘電率膜の結晶化を促進することができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子(例えば、ダイオード)を提供
する。
【解決手段】水素濃度が5×1019/cm以下である酸化物半導体を有するトランジ
スタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φmsと、酸化物半導体に接
するドレイン電極の仕事関数φmdと、酸化物半導体の電子親和力χが、χはφms以上
かつφmd未満の関係になるように構成し、酸化物半導体とソース電極の接触面積よりも
酸化物半導体とドレイン電極の接触面積を大きくし、トランジスタのゲート電極とドレイ
ン電極を電気的に接続することで、整流特性の良い非線形素子を実現することができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(パワーMISFET)を提供する。
【解決手段】半導体層103を挟んでゲート電極105とドレイン電極102を形成し、ゲート電極105の側面に半導体層109を形成し、ゲート電極105の頂上部と重なる部分で、半導体層109とソース電極112が接する構造を有する。このようなパワーMISFETのドレイン電極とソース電極の間に500V以上の電源と負荷を直列に接続し、ゲート電極105に制御用の信号を入力して使用する。 (もっと読む)


【課題】一定のドレイン電圧及びゲート電圧に対して得られるドレイン電流を増大することの出来る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンネル領域と、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続する合計二つの第1の電極と、前記チャンネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられた第2の電極とを備えた半導体装置の製造に際し、前記ゲート絶縁膜を、酸素の含有量を1ppb以下にした水素添加超純水にIPAを添加した洗浄液を用いて、酸素含有量1ppb以下の窒素雰囲気でしかも遮光した状態で表面の洗浄を行ない、かつ等方性酸化または窒化で形成することにより、前記チャンネル領域と前記ゲート絶縁膜との界面の平坦度を、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向での長さ2nmにおけるピーク・トゥ・バレイ値が0.3nm以下となるようにするとともに、前記第1の電極から前記チャンネル領域までの抵抗率を4Ω・μm以下とした。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にCuを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Cuを含む導電層を、TFTのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Cuの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 (もっと読む)


【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供する。
【解決手段】第1のトランジスタ、第2のトランジスタ、及び一対の電極を有する発光素
子を含む画素が複数設けられた画素部を有し、前記第1のトランジスタは、ゲートが走査
線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソー
スまたはドレインの他方が前記第2のトランジスタのゲートに電気的に接続され、前記第
2のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が電源線に電気的に接続され、ソース
またはドレインの他方が前記一対の電極の一方に電気的に接続され、前記第1のトランジ
スタは、水素濃度が5×1019/cm以下である酸化物半導体層を有する。そして、
前記表示装置が静止画像を表示する期間の間に、前記画素部に含まれる全ての走査線に供
給される信号の出力が停止される期間を有する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子354に適用される酸化物半導体層905上にシラン(SiH)及びアンモニア(NH)などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマCVD法によって形成された窒化シリコン層910が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ355に適用される酸化物半導体層906には、バリア層として機能する酸化シリコン層909を介して、窒化シリコン層910が設けられる。そのため、酸化物半導体層905には、酸化物半導体層906よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子354に適用される酸化物半導体層905の抵抗値が、薄膜トランジスタ355に適用される酸化物半導体層906の抵抗値よりも低くなる。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層と、を有し、酸化物半導体層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極またはドレイン電極と接し、且つ該酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極またはドレイン電極と重なる半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】良好な電気的特性を有する有機トランジスタを製造するために有効な基準を明確にし、電気的特性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機トランジスタ100は、絶縁基板1と、この絶縁基板1の上に所定のパターンで形成されたゲート電極3と、このゲート電極3を覆うように設けられたゲート絶縁層5と、このゲート絶縁層5に積層して設けられた有機半導体層7と、有機半導体層7の上に、部分的に形成された一対のソース電極9A及びドレイン電極9Bと、を備えている。有機トランジスタ100は、有機半導体層7との境界部分をなすゲート絶縁層5の上面5aの表面粗さRaが0.5nm以下である。 (もっと読む)


【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】加熱処理により酸素を放出する絶縁体基板と、該絶縁体基板上に設けられた酸化物半導体膜と、を有し、該酸化物半導体膜にチャネルが形成されるトランジスタを有する半導体装置である。加熱処理により酸素を放出する絶縁体基板は、絶縁体基板の少なくとも酸化物半導体膜が設けられる側に、酸素イオン注入を行うことで作製することができる。 (もっと読む)


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