【課題】バックライトの間接光に起因するリーク電流を低減可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】表示装置用のボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、基板１と、ゲート電極配線２と、ゲート絶縁膜３と、チャネルとなる第１の半導体層４と、第１及び第２のコンタクト層５ａ、５ｂとなる第２の半導体層と、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂとを有し、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂに対して露出する第２の半導体層の露出部に、絶縁性半導体層６ａ、６ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第１の導電膜２と第２の導電膜５と接続する配線変換部４５において、第２の導電膜５の内側には刳り抜き部１３が形成される。第２の導電膜５の上に設けられる第２の導電膜５は、第２の導電膜５の上面および刳り抜き部１３に露出した端面を覆い、且つ、第２の導電膜５の外周の端面を覆わないように形成される。第１の透明導電膜６の上層の第２の透明導電膜７が、第２の導電膜５と第１の導電膜２とに接続することにより、第１の導電膜２と第２の導電膜５とが電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置を提供する。また、微細化された半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜の側面に接して設けられ、かつ酸化物半導体膜よりも膜厚が大きいソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体膜、ソース電極層、及びドレイン電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、酸化物半導体膜の上面と、ソース電極層及びドレイン電極層の上面との間に生じた段差により生じた凹部に設けられたゲート電極層と、を有する構造である。 （もっと読む）

【課題】チャネル保護型の薄膜トランジスタにおいて、オフ特性及び信頼性に優れた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１を準備する第１工程と、基板１上にゲート電極２を形成する第２工程と、ゲート電極２上に第１絶縁膜としてゲート絶縁膜３を形成する第３工程と、ゲート絶縁膜３上に非結晶質の半導体薄膜４ａを形成する第４工程と、非結晶質の半導体薄膜４ａ上に第２絶縁膜としてチャネル保護膜５を形成する第５工程と、チャネル保護膜５の上方からレーザー光を照射することにより、非結晶質の半導体薄膜４ａを結晶化させて結晶化領域を形成する第６工程と、結晶化領域の上方にソース電極７Ｓ及びドレイン電極７Ｄを形成する第７工程と、を含み、第５工程において、チャネル保護膜５は、前記レーザー光に対して透明となるように形成される。 （もっと読む）

【課題】顕微鏡で観察するのと同時に生体関連物質の信号情報を透明バイオセンサで取得する場合に、その信号情報を正確に取得することができる生体情報評価システムを提供する。
【解決手段】透明基材とその透明基材上に設けられた薄膜トランジスタ素子部及び透明な生体関連物質感応部とを有し、その薄膜トランジスタ素子部が酸化物半導体膜を有する透明バイオセンサ１０と、透明バイオセンサ１０が有する生体関連物質感応部に載置される生体関連物質から信号情報を取得する電気信号測定装置１０１と、透明バイオセンサ１０をステージ５３上にセットし、透明バイオセンサ１０に光源光６２，７４を照射して生体関連物質感応部に載置される生体関連物質を観察する顕微鏡９０とを少なくとも備え、透明バイオセンサ１０と光源光６２，７４との間に紫外線カットフィルタ５１を設けた生体情報評価システム５０により上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。ＴＦＴの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 （もっと読む）

【課題】接触不良を低減し、コンタクト抵抗の増大を抑制し、開口率が高い液晶表示装置
を得ることを課題とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、ゲート配線と、ゲート絶縁膜と、島状半導
体膜と、ソース領域と、ドレイン領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板上に設けら
れ、前記ソース領域に接続されたソース配線と、前記基板上に設けられ、前記ドレイン領
域に接続されたドレイン電極と、前記基板上に設けられた補助容量と、前記ドレイン電極
に接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線上に形成された保護
膜を有し、前記保護膜は、前記ゲート配線および前記ソース配線とで囲まれた開口部を有
し、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線は保護膜に覆われ、前記補助容量は保護膜
に覆われていない液晶表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層中に埋め込まれ、上面の少なくとも一部が下地絶縁層から露出した電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設け、電極層において、または、酸化物半導体層の低抵抗領域であって電極層と重畳する領域において、酸化物半導体層の上層に設けられる配線層との電気的な接続を行うトランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を備えた、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体層、ソース電極およびドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、ソース電極およびドレイン電極は、その側面が酸化された酸化領域を有する半導体装置である。なお、ソース電極およびドレイン電極の酸化領域は、３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の高周波電力、および、酸素とアルゴンの混合ガスを用いたプラズマ処理により形成されたものであることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴを有するバイオセンサを用いて顕微鏡観察と同時に生体関連物質の信号情報を取得する場合に、その信号情報を正確に取得することができる透明バイオセンサを提供する。
【解決手段】透明基材１と、透明基材１上に設けられた透明な薄膜トランジスタ素子部Ａ及び透明な生体関連物質感応部Ｂとを有し、その薄膜トランジスタ素子部Ａが有するゲート電極２を、薄膜トランジスタ素子部Ａを構成する酸化物半導体膜４に対する紫外線カット機能を有するように構成して、上記課題を解決した。このゲート電極２を、(i)紫外線カット材料を含む透明電極、(ii)紫外線カット材料からなる透明電極、及び、(iii)前記酸化物半導体膜のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを持つ透明電極、のいずれかであるように構成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の優れた酸化物半導体層を形成して電気特性の優れたトランジスタを製造
可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを目的の一つとす
る。
【解決手段】第１の加熱処理で第１の酸化物半導体層を結晶化し、その上部に第２の酸化
物半導体層を形成し、温度と雰囲気の異なる条件で段階的に行われる第２の加熱処理によ
って表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層の形成と酸素
欠損の補填を効率良く行い、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加
熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に再度酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素
を含む窒化物絶縁層を形成し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導
体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】新規な構成を有する半導体装置である。
【解決手段】第１の素子を有し、第２の素子を有し、トランジスタを有し、容量を有し、第１の素子の出力は、第２の素子の入力と電気的に接続され、第２の素子の出力は、第１の素子の入力と電気的に接続され、第１の素子の入力は、入力端子と電気的に接続され、第１の素子の出力は、出力端子と電気的に接続され、トランジスタのソース及びドレインの一方は、容量の一方の電極と電気的に接続され、トランジスタのソース及びドレインの他方は、入力端子と電気的に接続され、トランジスタのチャネル形成領域は、結晶を有する酸化物半導体を有する。結晶を有する酸化物半導体を有するトランジスタはリーク電流が非常に小さいため、データを保持することができる。 （もっと読む）

【課題】新規な不揮発性のラッチ回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の素子の出力は第２の素子の入力に電気的に接続され、第２の素子の出
力は第２のトランジスタを介して第１の素子の入力に電気的に接続されるループ構造を有
するラッチ回路であって、チャネル形成領域を構成する半導体材料として酸化物半導体を
用いたトランジスタをスイッチング素子として用い、またこのトランジスタのソース電極
又はドレイン電極に電気的に接続された容量を有することで、ラッチ回路のデータを保持
することができる。これにより不揮発性のラッチ回路を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコンを用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタのオン電流に対するオフ電流の割合を減少させること。
【解決手段】表示装置に含まれる薄膜トランジスタは、ゲート電極が設けられた導電層と、前記導電層の上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上面に接するとともに前記ゲート電極の上方に設けられ、微結晶シリコンを含む第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜の上面に接する第２の半導体膜と、前記第２の半導体膜に電気的に接続される第１の電極と、前記第２の半導体膜に電気的に接続される第２の電極と、を含む。前記第１の半導体膜における水素濃度は、前記ゲート絶縁層との界面と前記第２の半導体膜との界面との中間で最小となり、前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜との境界における酸素濃度は、前記第１の半導体膜の中央および前記第２の半導体膜の中央のうち少なくとも一方の酸素濃度以下である。 （もっと読む）

【課題】不揮発性を有し、書き込み回数に制限のない新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の記憶素子が直列に接続され、複数の記憶素子の一は、第１〜第３のゲート電極、第１〜第３のソース電極、および第１〜第３のドレイン電極を有する第１〜第３のトランジスタを有し、第２のトランジスタは酸化物半導体層を含んで構成され、第１のゲート電極と、第２のソース電極または第２のドレイン電極の一方とは、電気的に接続され、第１の配線と、第１のソース電極と、第３のソース電極とは、電気的に接続され、第２の配線と、第１のドレイン電極と、第３のドレイン電極とは、電気的に接続され、第３の配線と、第２のソース電極または第２のドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、第４の配線と、第２のゲート電極とは、電気的に接続され、第５の配線と、第３のゲート電極とは電気的に接続された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコン膜の移動度を高める。
【解決手段】高密度プラズマを用いて少なくとも（２２０）の結晶方位配列に成長させるように微結晶シリコン膜を形成する第１の工程を有し、第１の工程時、微結晶シリコン膜の結晶方位配列（１１１）に対する結晶方位配列（２２０）への成長比率が高くなるように、被処理体近傍の温度を３００〜３５０℃の範囲内に設定し、総流量に対する水素ガスの流量比を高めた成膜ガスを供給する。これにより、ダングリングボンドの少ない微結晶シリコン膜２０を形成して、移動度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】フリンジフィールドスイッチングモードで駆動する液晶表示装置の作製方法において、フォトマスク数を削減することで製造工程の簡略化及び製造コストの削減をする。
【解決手段】透光性を有する絶縁基板上に第１の透明導電膜及び第１の金属膜を順に成膜し積層し、第１のフォトマスクである多階調マスクを用いて第１の透明導電膜及び第１の金属膜を形状加工し、絶縁膜、第１の半導体膜、第２の半導体膜、第２の金属膜を順に成膜し積層し、第２のフォトマスクである多階調マスクを用いて第２の金属膜、第２の半導体膜を形状加工し、保護膜を成膜し、第３のフォトマスクを用いて保護膜を形状加工し、第２の透明導電膜を成膜し、第４のフォトマスクを用いて第２の透明導電膜を形状加工する。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、３０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート電極と接するゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ｘ）Ｚｎ（１−ｘ）Ｏ（ｙ）（０．４≦ｘ≦０．５，ｙ＞０）で表される第１の領域Ａ１及びＩｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ｂ／（ａ＋ｂ）＞０．２５０，ｃ＞０，ｄ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層１２と、互いに離間して配置されており、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、２０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ａ＞０，ｂ＞０，ｃ＞０，ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ｄ＞０）で表され、ａ≦３７／６０、ｂ≦９１ａ／７４−１７／４０、ｂ≧３ａ／７−３／１４、ｃ≦３／５を満たす第１の領域Ａ１及びＩｎ（ｐ）Ｇａ（ｑ）Ｚｎ（ｒ）Ｏ（ｓ）（ｑ／（ｐ＋ｑ）＞０．２５０，ｐ＞０，ｑ＞０，ｒ＞０，ｓ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層と、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてエネルギーギャップの異なる少なくとも２層の酸化物半導体層を含み、かつ積層された酸化物半導体層の間に混合領域を有する酸化物半導体積層を用いる。 （もっと読む）