【課題】ゲート絶縁膜の膜減り及びダメージを抑え、微細なトランジスタを歩留まり良く作製する。
【解決手段】絶縁表面上の半導体膜と、半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の、第１の金属膜および第１の金属膜上の第２の金属膜を有するゲート電極と、ゲート絶縁膜上に形成され、かつ第１の金属膜の側面と接し、第１の金属膜と同一の金属元素を有する金属酸化物膜と、を有し、第２の金属膜より第１の金属膜のほうが、イオン化傾向が大きい半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上に良質のグラフェンを形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の基板上に触媒金属膜を形成する工程と、触媒金属膜を触媒としてグラフェンを形成する工程と、グラフェン上に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜上に第１の金属膜を形成する工程と、第２の基板上に、第２の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜の表面と第２の金属膜の表面とを対向させ、第１の金属膜と第２の金属膜とを接合する工程と、第１の基板を除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】シュリンク技術を利用して、コンタクトホールとして利用できる複数の凹部を１回のレジストマスク工程で異なる深さ寸法に形成することのできるコンタクトホールの形成方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板１０上にコンタクトホールを形成するにあたって、まず、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂを備えたレジストマスク１７を層間絶縁膜４２の表面に形成した後、第１開口部１７ａおよび第２開口部１７ｂから層間絶縁膜４２および絶縁膜４９をエッチングする。その後、シュリンク工程において、レジストマスク１７を変形させて第２開口部１７ｂを塞ぐ一方、第１開口部１７ａの開口面積を狭める。次に、第１開口部１７ａから層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】微細化されたトランジスタのオン特性を向上させる。微細化されたトランジスタを歩留まりよく作製する。
【解決手段】一対の低抵抗領域及び該低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、ゲート絶縁層を介してチャネル形成領域と重畳する第１のゲート電極層と、第１のゲート電極層のチャネル長方向の側面及びゲート絶縁層の上面と接し、一対の低抵抗領域と重畳する一対の第２のゲート電極層と、第２のゲート電極層上の、側端部を第２のゲート電極層の側端部と重畳する一対の側壁絶縁層と、を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】微細な構造のトランジスタを歩留まりよく提供する。また、該トランジスタのオン特性を向上させ、高速応答、高速駆動が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極層、絶縁層、導電膜、層間絶縁層が順に積層され、該導電膜を切削することにより、該ゲート電極層及び該絶縁層上の導電膜を除去して、自己整合的に形成されるソース電極層及びドレイン電極層を有し、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域と重畳して酸化物半導体層と接する電極層を設ける。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。
【解決手段】薄膜トランジスタ１１９と、薄膜トランジスタ上に第１の層間絶縁膜１５６と、第１の層間絶縁膜上の、ソース領域またはドレイン領域の一方に電気的に接続される第１の電極１１４と、ソース領域またはドレイン領域の他方に電気的に接続される第２の電極１１０と、第１の層間絶縁膜、第１の電極、及び第２の電極上に形成された第２の層間絶縁膜１３５と、第２の層間絶縁膜上の、第１の電極または第２の電極の一方に電気的に接続される第１の配線１７７と、第２の層間絶縁膜上の、第１の電極または第２の電極の他方に電気的に接続されない第２の配線１７８とを有し、第２の配線と前記第１の電極または第２の電極の他方は、第２の層間絶縁膜中の分断領域１６９によって、電気的に接続されない半導体装置及びその作製方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上
を図ることのできる発光表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ、及び発光素子を有する複数の画素を有し、画素は、走査
線として機能する第１の配線に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第１の配
線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層は、第１
の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、発光素子と、酸化物半導体層とが重
畳して設けられる。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。また信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜１３１と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極１０３とを有する薄膜トランジスタと、層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成され、ソース領域またはドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホールを含む第１のコンタクトホール１４２と、ソース領域またはドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホール１４１とを有し、第２のコンタクトホール１４１の径は、第１のコンタクトホール１４２に含まれる複数のコンタクトホール１４２のそれぞれの径より大きく、第１のコンタクトホールの底面積の合計と、第２のコンタクトホール１４１の底面積は等しい半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置１００は、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に電気的に接続された容量素子１６とを備え、容量素子１６は、ＴＦＴ３０と第２層間絶縁層１１ｃを介して形成された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａに第１誘電体層１６ｂを介して対向配置され、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａに第２層間絶縁層１１ｃに形成されたコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続された第２容量電極１６ｃとを有し、第２容量電極１６ｃは、第１導電層１６ｃ１と第１導電層１６ｃ１上に積層された第２導電層１６ｃ２を有し、第１導電層１６ｃ１は、コンタクトホールＣＮＴ５３と重なる領域が除去されてなり、第２導電層１６ｃ２と半導体層３０ａとがコンタクトホールＣＮＴ５３を介して電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な
容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜
上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、
前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、
容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 （もっと読む）

【課題】表面のＰ−Ｖ値が小さく、かつ、高い結晶性を有する半導体薄膜層を備えたＳＯＩ基板の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体薄膜層の結晶性を高く保つため、水素イオン添加処理中の半導体基板の温度を２００℃以下に抑制した。加えて、水素イオン添加処理後の半導体基板を１００℃以上４００℃以下に保持した状態で半導体基板に対してプラズマ処理を行うことにより、水素イオン添加処理により生じる、半導体薄膜層の分離に対して寄与度の高いＳｉ−Ｈ結合を残存させたまま、半導体薄膜層の分離に対して寄与度の低いＳｉ−Ｈ結合を低減した。 （もっと読む）

【課題】チューナブルバリアを備えるグラフェンスイッチング素子を提供する。
【解決手段】バックゲート基板と、基板上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のグラフェン層と、グラフェン層の第１領域上に順次に積層された半導体層及び第１電極と、グラフェン層で第１領域と離隔している第２領域上の第２電極と、を備え、バックゲート基板とグラフェン層とは、半導体層を介して対向し、半導体層は、ｎ型またはｐ型にドーピングされたチューナブルバリアを備えるグラフェンスイッチング素子。 （もっと読む）

【課題】薄膜回路の下方に外部と接続するための電極を容易に形成できる薄膜回路部品の
構造及び薄膜回路部品の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、薄膜
回路上に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成された電極と、電極上に形成
された樹脂膜とを有する積層物を形成し、積層物の第１の絶縁膜の他方の面側に、電極と
重なるように導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。そこで、信頼性が高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に含まれる水素、窒素および炭素などの不純物は酸化物半導体膜の半導体特性を低下させる要因となる。例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素および窒素は、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのしきい値電圧をマイナス方向へシフトさせてしまう要因となる。また、酸化物半導体膜に含まれる窒素、炭素および希ガスは、酸化物半導体膜中に結晶領域が生成されることを阻害する。そこで、酸化物半導体膜の不純物濃度を低減することで、高い信頼性を有するトランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを
課題の一とする。
【解決手段】金属薄膜の一部または全部を酸化させた第１の層と酸化物半導体層の積層を
用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導
体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その絶縁層の形成時
に酸化物半導体層の積層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】緻密で高耐圧な絶縁膜を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に半導体膜を有し、半導体膜上に第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜上に導電膜を有し、導電膜上に第２の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜は、第２の絶縁膜よりも緻密であり、第１の絶縁膜は、珪素と、酸素と、窒素とを有する。第１の絶縁膜は、希ガスを有し、その膜厚は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。このような第１の絶縁膜はゲート絶縁膜として機能させる。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタ（より広義には、十分にオフ電流が小さいトランジスタ）を用いた記憶回路と、酸化物半導体以外の材料を用いたトランジスタ（換言すると、十分な高速動作が可能なトランジスタ）を用いた駆動回路などの周辺回路と、を一体に備える半導体装置とする。また、周辺回路を下部に設け、記憶回路を上部に設けることで、半導体装置の面積の縮小化及び小型化を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜のコンタクトホールの内部にコンタクト用導電膜および埋め込み膜を設けた場合でも、コンタクトホールの外部で画素電極とコンタクト用導電膜とを確実に導通させることができる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００を製造するにあたって、層間絶縁膜４５上にコンタクトホール４５ａの底部４５ｅおよび内壁４５ｆに重なるコンタクト用導電膜９０をＩＴＯ膜により形成した後、コンタクトホール４５ａの内部を埋める埋め込み膜４８をシリコン酸化膜により形成し、その後、埋め込み膜４８に対して反応性イオンエッチングを行い、コンタクト用導電膜９０を露出させる。また、コンタクトホール４５ａの内部には埋め込み膜４８を残す。その際、埋め込み膜４８とコンタクト用導電膜９０とのエッチング選択比を利用して埋め込み膜４８を選択的に除去してコンタクト用導電膜９０を露出させる。 （もっと読む）

【課題】動作特性および信頼性の向上した、新規なマルチゲート構造のトランジスタを提
供することを課題とする。
【解決手段】２つ以上のゲート電極と、直列に接続した２つ以上のチャネル形成領域、ソ
ース領域、ドレイン領域、及び高濃度不純物領域を有する半導体層と、を有するマルチゲ
ート構造のトランジスタにおいて、ソース領域側に近接するチャネル形成領域のチャネル
長が、ドレイン領域側に近接するチャネル形成領域のチャネル長よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用い、これまで実現が困難であった高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタに、インジウム、スズ、亜鉛およびアルミニウムから選ばれた二種以上、好ましくは三種以上の元素を含む酸化物半導体膜を用いる。該酸化物半導体膜は、基板加熱しつつ成膜する。また、トランジスタの作製工程において、近接の絶縁膜または／およびイオン注入により酸化物半導体膜へ酸素が供給され、キャリア発生源となる酸素欠損を限りなく低減する。また、トランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜を高純度化し、水素濃度を極めて低くする。 （もっと読む）