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Fターム[5F110HL30]の内容

Fターム[5F110HL30]に分類される特許

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【課題】トンネルトランジスタの高電圧での駆動力を向上させることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、基板と、前記基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備える。さらに、前記装置は、前記基板内に前記ゲート電極を挟むように形成された、第1導電型の第1の主端子領域および前記第1導電型とは逆導電型の第2導電型の第2の主端子領域を備える。さらに、前記装置は、前記基板内において、前記第2の主端子領域の下面に接し、前記第1の主端子領域と離間された位置に形成された、前記第1導電型の第1の拡散層を備える。 (もっと読む)


【課題】微細化による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】第1の領域と、第1の領域の側面に接した一対の第2の領域と、一対の第2の領域の側面に接した一対の第3の領域と、を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に第1の領域と重畳した第1の電極と、を有し、第1の領域は、CAAC酸化物半導体領域であり、一対の第2の領域及び一対の第3の領域は、ドーパントを含む非晶質な酸化物半導体領域であり、一対の第3の領域のドーパント濃度は、一対の第2の領域のドーパント濃度より高い半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】CVD装置を用いて基板上に半導体膜を成膜する際、各結晶粒のグレインサイズが略均一となるとともに、面内において略均一な膜厚の半導体膜を形成することができることにより、信頼性の高いトランジスタを製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を、CVD装置内に導入して、ヒータ上に載置し、ヒータを加熱することによって基板を設定された成膜温度まで加熱するステップS1と、CVD装置内にモノシランガスを導入して、基板上に、非晶質の第1の半導体膜を第1の膜厚に成膜するステップS2と、CVD装置内にジシランガスを導入して、第1の半導体膜上に、非晶質の第2の半導体膜を第1の膜厚よりも厚い第2の膜厚に成膜して、第1の半導体膜及び第2の半導体膜により、半導体膜を設定厚さに形成するステップS3と、を具備することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】外部から曲げ等の物理的な力が加わり応力が生じた場合であってもトランジスタ等の素子の損傷を抑制する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に設けられ、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する半導体膜と、チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第1の導電膜と、第1の導電膜を覆って設けられた第1の層間絶縁膜と、第1の層間絶縁膜上に、少なくとも不純物領域の一部と重なるように設けられた第2の導電膜と、第2の導電膜上に設けられた第2の層間絶縁膜と、第2の層間絶縁膜上に、開口部を介して不純物領域と電気的に接続するように設けられた第3の導電膜とを設ける。 (もっと読む)


【課題】フェルミ・レベル・ピンニング効果を抑制するとともに、トランジスタの微細化を図ること。
【解決手段】シリコン基板または支持基板11上に形成された島状のチャネル層13と、チャネル層13上に形成されたゲート絶縁膜15と、ゲート絶縁膜15上に形成されたゲート電極16と、チャネル層13の一方向に対向する両側面上に形成されたシリコン窒化膜14と、シリコン窒化膜14の側面上に形成された金属材料からなるソース電極及びドレイン電極19とを具備する。 (もっと読む)


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