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Fターム[5F110HM18]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | ソース、ドレイン−共通 (7,931) | 画素電極との接続部に工夫 (168)

Fターム[5F110HM18]に分類される特許

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【課題】有機半導体層の形成に際して、不所望の領域への有機半導体層の形成を抑制し、且つ、隣接する開口部間でのインクの混合を抑制することにより、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機EL表示素子、および有機EL表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁1016には、3つの開口部1016a,1016b,1016cが開けられている。開口部1016b,1016cの各底部には、ソース電極1014a,1014b、ドレイン電極1014c,1014dが露出し、各々がチャネル部として機能する部分である。開口部1016bを臨む側面部のうち、側面部1016d,1016eは、側面部1016iに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。開口部1016cを臨む側面部のうち、側面部1016fは、側面部1016jに比べ、傾斜が相対的に急峻な斜面である。 (もっと読む)


【課題】隣接する開口部の内部へ有機半導体インクを塗布した際に、互いのインクの混合を抑制し、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機EL表示素子、および有機EL表示装置を提供する。
【解決手段】隔壁1016における開口部1016bを臨む側面部のうち、隣接する開口部1016cの側の側面部1016eは、側面部1016dを含む他の側面部よりも傾斜が相対的に急峻な斜面となっている。隔壁1016における開口部1016cを臨む側面部のうち、隣接する開口部1016bの側の側面部1016fは、側面部1016gを含む他の側面部よりも傾斜が急峻な斜面となっている。開口部1016bと開口部1016cとの各内部に対して、有機半導体インクを塗布した場合、X軸方向に互いに離れる方向に偏った表面プロファイルを有することになる。 (もっと読む)


【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板60に形成された薄膜トランジスタ200であって、周面の一部又は全部が導電性材料20により覆われたワイヤー10と、前記導電性材料を覆う絶縁膜30と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体40と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部50を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第1及び第2の電極70、80が接続されて形成されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】接触不良を低減し、コンタクト抵抗の増大を抑制し、開口率が高い液晶表示装置
を得ることを課題とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、ゲート配線と、ゲート絶縁膜と、島状半導
体膜と、ソース領域と、ドレイン領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板上に設けら
れ、前記ソース領域に接続されたソース配線と、前記基板上に設けられ、前記ドレイン領
域に接続されたドレイン電極と、前記基板上に設けられた補助容量と、前記ドレイン電極
に接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線上に形成された保護
膜を有し、前記保護膜は、前記ゲート配線および前記ソース配線とで囲まれた開口部を有
し、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線は保護膜に覆われ、前記補助容量は保護膜
に覆われていない液晶表示装置に関する。 (もっと読む)


【課題】表示品質を向上させることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置100は、TFT30と、TFT30に電気的に接続された容量素子16とを備え、容量素子16は、TFT30と第2層間絶縁層11cを介して形成された第1容量電極16aと、第1容量電極16aに第1誘電体層16bを介して対向配置され、TFT30の半導体層30aに第2層間絶縁層11cに形成されたコンタクトホールCNT53を介して電気的に接続された第2容量電極16cとを有し、第2容量電極16cは、第1導電層16c1と第1導電層16c1上に積層された第2導電層16c2を有し、第1導電層16c1は、コンタクトホールCNT53と重なる領域が除去されてなり、第2導電層16c2と半導体層30aとがコンタクトホールCNT53を介して電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】少ない工程数でアクティブマトリクス表示素子を形成する。
【解決手段】実施形態にかかるアクティブマトリックス型表示素子の製造方法は、絶縁基板上にゲート電極層、第1の絶縁膜、酸化物半導体層、第2の絶縁膜、酸化物半導体層と電気的に接続したソース・ドレイン電極を順に形成する工程を含む。酸化物半導体層は、ソース・ドレイン電極が形成される領域から画素領域にわたって形成され、第2の絶縁膜を形成する前に、酸化物半導体の画素領域に相当する部分を低抵抗処理して第1の画素電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】被蒸着膜を高精細なパターンで形成することが可能な蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】蒸着用マスクは、1または複数の第1開口部を有する基板と、この基板の一主面側に設けられると共に、各第1開口部と対向して1または複数の第2開口部を有する高分子膜とを備える。蒸着の際には、蒸着材料が第1開口部および第2開口部を順に通過することにより、第2開口部に対応した所定のパターンで被蒸着膜が形成される。基板と高分子膜とを組み合わせて用いることにより、機械的強度を保持しつつも、金属膜のみで構成されている場合に比べ、第2開口部において微細かつ高精度な開口形状を実現できる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造およびその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の酸化物半導体層上に、電子親和力が第1の酸化物半導体層の電子親和力よりも大きく、またはエネルギーギャップが第1の酸化物半導体層のエネルギーギャップよりも小さい第2の酸化物半導体層を形成し、さらに第2の酸化物半導体層を包むように第2の酸化物半導体層の側面及び上面を覆う第3の酸化物半導体層を形成する。 (もっと読む)


【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてバンドギャップの異なる少なくとも2層の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層を用いる。酸化物半導体積層には、酸素又は/及びドーパントを導入してもよい。 (もっと読む)


【課題】 可撓性を有するアクティブマトリクス型表示装置を実現する方法を提供することを課題とする。また、異なる層に形成された配線間の寄生容量を低減する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 第1の基板上に形成された薄膜デバイスと第2の基板とを接着して固定した後、第1の基板を取り除いて薄膜デバイスに配線等を形成する。その後、第2の基板も取り除き、可撓性を有するアクティブマトリクス型表示装置を形成する。また、第1の基板を取り除いた後、配線を活性層のゲート電極が形成されていない側に形成することにより、寄生容量を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜に形成されるヴィアホールの直径を縮小化することが可能で、高密度化に寄与することのできる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、基板10上に第1導電体を形成する第1導電体形成工程と、第1導電体を被覆する様にゲート絶縁膜21を成膜する第1絶縁膜成膜工程と、第1導電体上のゲート絶縁膜21に貫通孔32を開口して、当該貫通孔32を介して第1導電体の表面および基板の表面を部分的に露出させる貫通孔形成工程と、貫通孔32内に露出する第1導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、貫通孔32内に露出する第1導電体以外の領域に第2絶縁膜を形成する第2絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】簡略化された構成を有するトランジスタアレイを、簡易的に製造することが可能なトランジスタアレイの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】金属基板を用い、上記金属基板上に、絶縁性材料からなり、貫通孔を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、ドレイン電極が上記絶縁層に形成された貫通孔を介して上記金属基板に接続されるように薄膜トランジスタを形成する、薄膜トランジスタ形成工程と、上記金属基板をパターニングすることにより、上記金属基板を画素電極とする画素電極形成工程と、を有することを特徴とする、トランジスタアレイの製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】接触不良を低減し、コンタクト抵抗の増大を抑制し、開口率が高い液晶表示装置
を得ることを課題とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、ゲート配線と、ゲート絶縁膜と、島状半導
体膜と、ソース領域と、ドレイン領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板上に設けら
れ、前記ソース領域に接続されたソース配線と、前記基板上に設けられ、前記ドレイン領
域に接続されたドレイン電極と、前記基板上に設けられた補助容量と、前記ドレイン電極
に接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線上に形成された保護
膜を有し、前記保護膜は、前記ゲート配線および前記ソース配線とで囲まれた開口部を有
し、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線は保護膜に覆われ、前記補助容量は保護膜
に覆われていない液晶表示装置に関する。 (もっと読む)


【課題】電気光学装置において、積層構造の単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板(10)上に、互いに交差するデータ線(6)及び複数の走査線(11)と、データ線に電気的に接続された第1ソースドレイン領域、及び第2ソースドレイン領域を含んでなる半導体層(30a)と、複数の走査線のうち一の走査線に電気的に接続されたゲート電極とを有するトランジスター(30a)と、半導体層と基板との間に配置され、第2ソースドレイン領域に電気的に接続された第1容量電極(71)と、第1容量電極に対向するように設けられるとともに一の走査線に隣り合う走査線に電気的に接続された第2容量電極(73)とを有する蓄積容量(70)と、を備え、蓄積容量は、基板上に設けられた溝の内部の少なくとも一部に設けられている。 (もっと読む)


【課題】画品位に影響を及ぼす、2層目の平坦化膜のコンタクト部を自由にレイアウトできるようにする。
【解決手段】回路部が形成された基板表面を平坦化するための平坦化膜を、基板上に順に積層された第1,第2の平坦化膜74,77からなる2層構造とする。そして、第1,第2の平坦化膜74,77間に中継配線76を形成し、この中継配線76によって、第1の平坦化膜74に形成され、トランジスタ(TFT)72を含む回路部に接続された第1のコンタクト部75と、第2の平坦化膜77の第1のコンタクト部75と平面視で異なる位置に形成された第2のコンタクト部75とを電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】大面積基板など、熱収縮による影響の大きい基板に形成された半導体素子であっても、その影響を受けずに動作するような半導体素子の提供すること。また、そのような半導体素子を搭載し、薄膜半導体回路及び薄膜半導体装置を提供すること。さらに、多少のマスクずれが生じたとしても、その影響を受けずに動作するような半導体素子を提供する。
【解決手段】ドレイン領域114、117側の半導体層の低濃度不純物領域と重なるように形成した複数のゲート電極102を有し、それぞれのゲート電極102が形成するチャネル領域122、123に流れる電流の向きが一方向と一方向と反対の方向となるようにそれぞれのゲート電極102に対応するソース領域115、116とドレイン領域114、117を形成し、一方向に電流が流れるチャネル領域122と一方向と反対の方向に電流が流れるチャネル領域123の数が等しい薄膜トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】ドレイン電極(またはソース電極)と画素電極との間の接触抵抗が生じない表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられた半導体層と、前記半導体層上の一部に接して離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を有し、前記ソース電極及びドレイン電極の一方は画素電極を兼ねる表示装置とする。前記ソース電極及びドレイン電極の他方は信号線を兼ねる電極であり、該信号線を兼ねる電極上には低抵抗な導電層が設けられていることが好ましい。低抵抗な導電層は、電気メッキ法などにより形成することができる。 (もっと読む)


【課題】複数の有機EL素子への供給電流ばらつきを低減する。
【解決手段】有機EL素子50と電源ラインVLとの間に、電源ラインVLから供給する電流量を制御する素子駆動用TFT20を備え、TFT20のチャネル長方向を、画素の長手方向、又はTFT20を制御するスイッチング用TFT10にデータ信号を供給するデータラインDLの延在方向、又はTFT20の能動層16を多結晶化するためのレーザアニールの走査方向に平行な方向に配置する。さらに電源ラインVLとTFT20の間にTFT20と逆特性の補償用TFT30を備えていても良い。 (もっと読む)


【課題】複数の有機EL素子への供給電流ばらつきを低減する。
【解決手段】有機EL素子50と電源ラインVLとの間に、電源ラインVLから供給する電流量を制御する素子駆動用TFT20を備え、TFT20のチャネル長方向を、画素の長手方向、又はTFT20を制御するスイッチング用TFT10にデータ信号を供給するデータラインDLの延在方向、又はTFT20の能動層16を多結晶化するためのレーザアニールの走査方向に平行な方向に配置する。さらに電源ラインVLとTFT20の間にTFT20と逆特性の補償用TFT30を備えていても良い。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜上層に形成される絶縁膜の膜浮きの発生を防止或いは抑制し、歩留り或いは信頼性を向上することの可能な薄膜トランジスタアレイ基板、及び液晶表示装置を得る。
【解決手段】この発明のTFTアレイ基板100においては、TFT51と、ソース電極53及びドレイン電極54、並びにソース電極53及びドレイン電極54と同一材料により同層に形成される金属パターン5の何れかに直接重なり形成される透明導電膜パターン6と、透明導電膜パターン6上を含むゲート絶縁膜8上を覆う上層絶縁膜9を備え、少なくとも額縁領域42に形成される透明導電膜パターン6は、ソース電極53、ドレイン電極54或いは金属パターン5のパターン端面を覆うことなく形成される。 (もっと読む)


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