【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、ベース基板に、第１透明導電薄膜層とソース・ドレイン金属薄膜層を順次形成し、第１回パターニング工程を行って、第１画素電極パターン、ソース電極パターン、ドレイン電極パターン及びデータラインパターンを形成する工程と、有機半導体薄膜層とゲート絶縁薄膜層とを順次形成し、第２回パターニング工程を行って、前記ソース電極パターンとドレイン電極パターン上に位置する有機半導体アイランドパターン及びゲート絶縁アイランドパターンを形成する工程と、一層のパッシベーション層薄膜を形成し、第３回パターニング工程を行って、データラインパッド領域を形成する工程と、第２透明導電薄膜層とゲート金属薄膜層とを順次形成し、第４回パターニング工程を行って、第２画素電極パターン、ゲート電極パターン、及びゲートラインパターンを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体のヒステリシス特性を改善する方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体からなる半導体基体を、水素プラズマ又は水素ラジカルに曝した後、半導体基体を水蒸気雰囲気に曝すことにより、半導体基体の欠陥を低減する。 （もっと読む）

本発明は、液体キャリアからの、基板上への細長いナノ粒子の堆積のためのプロセス、およびこのプロセスによって調製された電子デバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリックス基板の製造方法及び有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１パターンでパターニングされた第１電極を形成する工程と、第１電極を覆うように、基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、一面に第１層が形成された半導体ウェーハを第１絶縁膜上に配置して、第１層を第１絶縁膜に密着させる工程と、第１層を第１絶縁膜上に転写して、第１絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、半導体層の一部に不純物をドーピングし、かつパターニングして活性層を形成する工程と、活性層を覆うように、第１絶縁膜上に第２絶縁膜を形成する工程と、第２絶縁膜上に、活性層の不純物でドーピングされた領域と電気的に連結された第２電極を形成する工程と、を含むアクティブマトリックス基板の製造方法及び有機発光表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、環Ａ_１および環Ａ_２はそれぞれ独立に、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のチエノチオフェン環を表し、環Ｂ_１および環Ｂ_２はそれぞれ独立に、置換または未置換の１位と８位で縮環したナフタレン環、置換または未置換の３位と４位で縮環したペリレン環、置換または未置換の１位と１０位で縮環したピレン環、あるいは置換または未置換の３位と４位で縮環したフルオランテン環を表す） （もっと読む）

【課題】ガラス基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の縞状の模様（むら）の発生を抑制することを目的の一とする。又は、上記むらの発生を抑えて高品位な半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板に加速されたイオンを照射して単結晶半導体基板に脆化領域を形成し、単結晶半導体基板に形成された絶縁層の表面の、単結晶半導体基板の周縁部に対応する領域に、凹部又は凸部を形成し、絶縁層を介して、単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせ、熱処理を施すことにより、脆化領域において単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層をパターニングして半導体素子を形成する際に、周縁部に対応する領域の単結晶半導体層を除去する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの製造において有用な半導体インク配合物を提供する。
【解決手段】半導体インク配合物は、構造式（Ａ）のチオフェン部分を含む半導体材料と、第１の溶媒と、第１の溶媒と混和性であり、第１の溶媒の表面張力に等しいかまたはそれより大きい表面張力を有する第２の溶媒とを含み、該半導体材料が室温にて０．１重量％未満の溶解度を有する。


（上記構造式（Ａ）中、Ｒ_１は、アルキルおよび置換アルキルから選択される。） （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にテトラベンゾ[ａ，ｃ，ｆｇ，ｏｐ]ナフタセン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にナフト[８，１，２−ｇｈｉ]クリセン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】有機半導体の電気移動特性の高い有機ＥＬデバイス及び有機ＥＬディスプレイを提供すること。
【解決手段】画素電極を含む有機ＥＬ発光デバイスと、基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極及びゲート電極に設けられた基板の表面を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上にギャップを有して形成されたソース電極及びドレイン電極と、ギャップに設けられかつ電極間を接続する有機ＴＦＴ層とを有する有機ＥＬデバイスであって、有機ＴＦＴ層の外側にバンク層が設けられると共に、バンク層とゲート絶縁層とが同一系統材料からなることで解決できる。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層にジインデノ[１，２，３−ｂｃ：１’，２’，３’−ｋｌ]コロネン誘導体を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を表し、環Ｂは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を表す） （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を表し、環Ｂは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環、あるいは置換または未置換のナフタレン環を表す） （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】低抵抗率で且つ下地との密着性が高い信号線を有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】信号線は、下地の上に銅合金膜を形成する。下地と銅合金膜の界面に、銅合金の添加金属元素の酸化物膜、珪化物膜、又は、窒化物膜を形成する。こうして、銅合金膜と、酸化物膜、珪化物膜、又は、窒化物膜の積層膜によって、信号線が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、オフ電流が小さく、ＯＮ／ＯＦＦ比が大きい有機トランジスタ及び該有機トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、該有機トランジスタを有する有機トランジスタアレイ及び該有機トランジスタアレイを有する表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】有機トランジスタ１０において、第一の電極層１２は、電気的に接続されているゲート電極１２ａ及びゲート電極１２ｂを有し、第二の電極層１４は、ソース電極１４ａ、ドレイン電極１４ｂ及びアイランド電極１４ｃを有し、アイランド電極１４ｃは、間隙を介してソース電極１４ａとドレイン電極１４ｂの間に形成されており、アイランド電極１４ｃとソース電極１４ａの間の間隙及びアイランド電極１４ｃとドレイン電極１４ｂの間の間隙は、それぞれゲート電極１２ａ上及びゲート電極１２ｂ上に形成されていると共に、有機半導体層１５で覆われている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多孔質体であるソース電極とドレイン電極との間のみに、吐出法によって均質な有機半導体層を形成すること可能な、有機半導体素子の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、多孔質体からなるソース電極およびドレイン電極を、互いに平行な直線上に形成するソース・ドレイン電極形成工程と、上記ソース電極および上記ドレイン電極が形成された直線に対して略垂直方向に吐出装置を移動させながら、有機半導体材料を含む有機半導体層形成用塗工液を吐出させることにより、上記ソース電極と、上記ドレイン電極との間に有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、を有することを特徴とする有機半導体素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決するものである。 （もっと読む）

【課題】基板と素子との接続特性を向上させた半導体装置の製法もしくは構成を提供する。
【解決手段】第１基板（Ｓ２）上の一部に樹脂膜（２１）を形成する工程と、樹脂膜（２１）上に導電膜（２２ｂ）を形成する工程と、第１基板（Ｓ２）上に接着剤（３１）を介して薄膜チップ（ＣＨ）を配置する工程と、を有し、薄膜チップ（ＣＨ）は、第２基板（Ｓ１）上に配置され、素子（ＴＦＴ）と、素子と電気的に接続する接続端子（Ｐ）とを有し、薄膜チップ（ＣＨ）を配置する工程において、接続端子（Ｐ）と導電膜（２２ｂ）とが接するように薄膜チップ（ＣＨ）を配置する。このように、接続端子（Ｐ）と樹脂膜（２１）上の導電性膜（２２ｂ）が接するよう薄膜チップ（ＣＨ）を配置することで、薄膜チップ（ＣＨ）に加わる応力を低減することができる。また、微細化にも対応することができる。 （もっと読む）