【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１ 〜Ｘ_１６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリ
ー基を表す） （もっと読む）

【課題】回路面積を小さくすることが可能な薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタアレイ基板は、基板１上に形成された第１導電型の半導体層３１及び第２導電型の半導体層３２と、半導体層３１のドレイン領域３１１と半導体層３２のドレイン領域３２２とを接続する導電性の接続パターン４と、半導体層３１、３２、及び接続パターン４を覆うように形成されたゲート絶縁膜５と、ゲート絶縁膜５を介してチャネル領域３１３、３２３の対面に配置されるゲート電極６１、６２と、ゲート電極６１、６２を覆うように形成された層間絶縁膜７と、層間絶縁膜７及びゲート絶縁膜５を貫通するコンタクトホール８ａを介して接続パターン４と接続する信号配線９ａと、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板やプラスチックなど可撓性を有する基板を用いた場合にも、実用に耐えうるＳＯＩ層を備えたＳＯＩ基板を歩留まり高く作製する方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた薄型の半導体装置を歩留まり高く作製することを提供することを目的とする。
【解決手段】可撓性を有し且つ絶縁表面を有する基板に、単結晶半導体基板を接合し、単結晶半導体基板を剥離してＳＯＩ基板を作製するに際し、接合面の一方若しくは双方を活性化した後、可撓性を有し且つ絶縁表面を有する基板と、単結晶半導体基板とを圧着する。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立に、置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】フロントゲートとは独立に制御可能なバックゲートを有するＦＥＴをメモリセルとして備え、かつコストの低廉な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、絶縁膜２０と、絶縁膜の上方に設けられたＦｉｎ型半導体１６、１８と、Ｆｉｎ型半導体内を貫通する貫通口４０の内壁に設けられた第１のゲート絶縁膜５０と、貫通口内を貫通し、第１のゲート絶縁膜によってＦｉｎ型半導体から絶縁された第１のゲート電極ＢＧと、第１のゲート電極上にあるＦｉｎ型半導体の側面上および上面上に形成された第２のゲート絶縁膜６０と、Ｆｉｎ型半導体の側面上および上面上に第２のゲート絶縁膜を介して設けられた第２のゲート電極ＦＧとを備えている。 （もっと読む）

【課題】応答速度が高く、かつ、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に、接合層と、前記接合層上に、絶縁膜と、前記絶縁膜上に、単結晶半導体層と、前記単結晶半導体層中に、チャネル形成領域と、低濃度不純物領域と、シリサイド領域と、前記絶縁膜とシリサイド領域の間に、希ガス元素を含む非単結晶半導体膜と、前記単結晶半導体層上に、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、前記ゲート電極の側面に、サイドウォールとを有し、前記非単結晶半導体膜により、前記シリサイド領域中の金属元素が前記チャネル形成領域に拡散するのが抑制される半導体装置及びその作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ドリフト領域に設けられたトレンチ内に抵抗性フィールドプレートを有し、トレンチ底部近傍の電界強度がトレンチ開口部近傍の電界強度に近く、高耐圧で駆動が可能であり、オン電圧の増加を抑制することができる安価な半導体装置を提供すること。
【解決手段】ｎドリフト領域３の表面層のｐボディ領域４およびｎバッファ領域７に挟まれた部分に設けられたトレンチ１１に、酸化膜１２を介して、抵抗性薄膜１３が設けられている。この抵抗性薄膜１３に、コレクタ（ドレイン）電極１７と、ゲート電極１６もしくはエミッタ（ソース）電極１５と、を接続させることで抵抗性フィールドプレートとする。これによって、トレンチ１１の開口部近傍の電界強度と、トレンチ１１の底部近傍の電界強度と、がほぼ同等となるため、ｎドリフト領域３の電流経路が短くなり、デバイスを高耐圧で駆動する場合にも、オン電圧の増加を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線撮像表示装置等に用いられるフォトセンサーの出力性能を高めるには１つのセンサ構成要素の面積に占めるフォトダイオードの面積の割合を増加させることが必要となる。そのため、フォトダイオードはコンタクトホールの開口エッジをまたがって形成されるが、エッジ長に依存するリーク電流が増大することが判明した。リーク電流はフォトセンサーの感度を低下させるため、リーク電流の抑制が不可欠である。
【解決手段】 ドレイン電極７上に形成されたコンタクトホールＣＨ１の開口エッヂが、フォトダイオード１００のエッジを内包する配置関係を持つフォトセンサーのアレイ基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】マスク部材の変形及び歪みを生ずることなく、所望の強度分布の光を被処理体に照射し、均一な熱処理を行うことを可能とする活性化熱処理装置及び熱処理方法を提供すること。
【解決手段】被処理体を保持する保持台と、前記被処理体に光を照射して前記被処理体を熱処理するためのランプユニットと、前記ランプユニットと被処理体との間に配置され、前記被処理体との対向面又はその近傍に、前記被処理体に照射される光の強度分布を制御する散乱領域を有する、透明材料からなるマスク部材とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンからなる基板または基板上に形成されたシリコン層に対して、ドーパント元素が拡散されてなる領域を容易に形成する技術を提供する。
【解決手段】真空中において基板配置電極９上に前記シリコン層１０を配置するとともに、対向電極４を前記基板配置電極９とほぼ平行に離間して配置し、ドーパント元素を含むガスを前記基板配置電極９と前記対向電極間４において前記シリコン層１０に向けて導き、前記基板配置電極９に対して１００ｋＨｚ以上２０００ｋＨｚ以下の低周波交流電圧を印加し、前記基板配置電極９と前記対向電極４の間に生成されるグロー放電によって前記シリコン層１０に前記ドーパント元素を導入する工程を有することを特徴とするシリコン層１０へのドーパント元素の導入方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】 フォトセンサーにおけるフォトダイオードの構造としては、ドレイン側にｎ型シリコン、バイアス側にｐ型シリコン、ｎ型シリコンとｐ型シリコンにはさまれる形でイントリンシックシリコンを形成するのが一般的だが、フォトダイオードに加工する際にその形状、特に断面形状が最適化されていなかったため、層間絶縁膜のカバレッジ不良や配線の断線を引き起こすノッチを生じたり、リーク電流が増大したりするという問題があった。
【解決手段】 フォトダイオードのシリコンをエッチングする工程において、少なくとも次の２段階のエッチングを行う。最初のステップにてＲＩＥモードでテーパ形状を形成する。その後、ＰＥモードのエッチングにてダメージやp型にドーピングされたシリコンを除去する。このようにして、形成されたフォトダイオードのシリコンのボトム部分ではテーパー形状を持つと共に、トップ部分では切り立った形状となる。 （もっと読む）

【課題】２種以上の平均結晶粒径を有する半導体層を直接または間接的に同一基板上に形成することができ、またその結果、サイズの異なるTFTに対してTFTの活性層となるチャネル領域での電流方向を横切る平均結晶粒界数Naが一定となるように結晶粒径が制御する。
【解決手段】直接または間接的に同一基板上に設けられた横方向に成長させた小粒径結晶領域r1と大粒径結晶領域r2が設けられた半導体層と、前記横方向に成長させた小粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴと、前記横方向に成長させた大粒径結晶をチャネル領域とするＴＦＴと、を具備し、前記横方向に成長させた小粒径結晶のチャネル領域と前記横方向に成長させた大粒径結晶のチャネル領域での、電流方向を横切る結晶粒界数の平均値が同一であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＴＯＳ−ＴＦＴと有機ＥＬを同一基板上に低温プロセスにおいて形成し、有機層の劣化を低コストで抑制することを目的とする。
【解決手段】有機ＥＬ素子を駆動するための電界効果型トランジスタを有する発光装置の作製方法において、基板１上に電界効果型トランジスタを形成する工程と、絶縁層７を形成する工程と、絶縁層７の上に下部電極８を形成する工程と、下部電極８の上に有機ＥＬ素子を構成するための有機層１０を形成する工程と、有機層１０の上に上部電極１１を形成する工程と、を含み、電界効果型トランジスタの半導体層を形成する工程の後、有機層１０を形成する工程の前に、電界効果型トランジスタからＨ_２Ｏとして脱離し得る成分量が１０^−５ｇ／ｍ^２未満となる熱処理を行う熱処理工程を含む。 （もっと読む）

【課題】簡便なウェットプロセスで製造でき、トランジスタ特性に優れた有機半導体材料、該有機半導体材料を有機半導体層に含有する有機薄膜トランジスタ及び該有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することである。
【解決手段】下記一般式（１）で表されることを特徴とする有機半導体材料。
【化１】


（式中、Ｂは縮合多環化合物を表し、Ａｒ₁、Ａｒ₂は芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、Ａ₁、Ａ₂、Ａ₃はＢで表される縮合多環化合物を構成する原子を表し、ｎは３〜５の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、有機半導体層とＳＤ電極側面とのコンタクト改善を目的とした有機電子デバイス用電極、特に有機薄膜トランジスタ用電極であるソース、ドレイン電極表面の修飾材料、修飾方法、及びこれらを用いた、有機電子デバイス、有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、有機電子デバイス、有機ＴＦＴ製造方法を提供することにあり、それにより移動度、ＯＮ／ＯＦＦ比が高いトランジスタ性能に優れた有機ＴＦＴを得ることにある。
【解決手段】少なくともひとつのパターン化された電極、有機活性層を有する有機電子デバイスにおいて、電極表面が、電極表面と実質平行にπ共役平面が配置されるようにπ共役系環状化合物により表面修飾されたことを特徴とする、有機電子デバイス用電極。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体層あるいは画素電極との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、導電率が高いソース電極あるいはドレイン電極を備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明では、液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板上のＴＦＴ電極において、ソース電極あるいはドレイン電極が、銅を主体とした層と、該銅を主体とした層を被覆する酸化物からなることを特徴とする。さらに、本発明は、前記ＴＦＴ電極において、半導体層あるいは画素電極と、前記ソース電極あるいはドレイン電極とが、オーミック接合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程及び製造費用を減少させて、生産収率を向上させることができる液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は液晶ディスプレイ装置用アレー基板及びその製造方法に関する。液晶ディスプレイ装置用アレー基板は、薄膜を蒸着して写真エッチングする工程を通してなされるが、写真エッチング工程は多様な工程を伴っているので写真エッチング工程を減らすことによって、製造費用を減少させて不良発生率を減らすことができる。本発明による液晶ディスプレイ装置用アレー基板は、４枚のマスクを利用して製造することによって製造費用を節減でき、回折露光を利用してアクティブ層とソース及びドレイン電極を一回の写真エッチング工程で形成することにおいて、薄膜トランジスタのチャネルをラウンディングされた“Ｕ”字形態で形成することによって安定的で向上された製造収率を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】
高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】
有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のベンゼン環、置換または未置換のチオフェン環、あるいは置換または未置換のベンゾ［ｂ］チオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】高い移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層を有する有機トランジスタにおいて、該有機半導体層に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含有してなる有機トランジスタ。


（式中、Ｘ_１〜Ｘ_６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、直鎖、分岐または環状のアルコキシアルキル基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、環Ａは置換または未置換のチオフェン環を表し、環Ｂは置換または未置換のベンゼン環、あるいは置換または未置換のチオフェン環を表す） （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示すアモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴを備えた有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【解決手段】少なくとも駆動ＴＦＴ、および該駆動ＴＦＴと同一基板上に有機ＥＬ素子よりなる画素がパターニング形成された有機ＥＬ表示装置であり、前記駆動ＴＦＴは、活性層とソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層を有する駆動ＴＦＴであり、且つ前記画素がレーザー転写法によりパターニング形成されたものであることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。及び、該画素を高精細に作製するレーザー転写法によるパターニング法。 （もっと読む）