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Fターム[5F110NN02]の内容

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【課題】生産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供すること
を目的の一とする。または、新たな半導体材料を用いた新たな構造の半導体装置を提供す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第1の結晶性を有する酸化物半導体膜及び第2の結晶性を有する酸化物半導
体膜が積層された酸化物半導体積層体を有する縦型トランジスタ及び縦型ダイオードであ
る。当該酸化物半導体積層体は、結晶成長の工程において、酸化物半導体積層体に含まれ
る電子供与体(ドナー)となる不純物が除去されるため、酸化物半導体積層体は、高純度
化され、キャリア密度が低く、真性または実質的に真性な半導体であって、シリコン半導
体よりもバンドギャップが大きい。 (もっと読む)


【課題】酸化物薄膜の結晶配置の方向を制御し、良質な酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】酸化物層と絶縁層からなる積層構造であって、前記酸化物層のキャリア濃度が1018/cm以下、平均結晶粒径が1μm以上であり、前記酸化物層の結晶が、前記絶縁層の表面に柱状に配置していることを特徴とする積層構造。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】第1のトランジスタと、第1の画素電極とを有する第1の画素を有し、第2のトランジスタと、第2の画素電極とを有する第2の画素を有し、走査線として機能することができる配線を有し、第1のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層はゲート絶縁膜を介して、配線と重なり、酸化物半導体層は、配線より幅の広い領域を有する表示装置又は液晶表示装置である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】コイル状のアンテナ部の内部に、占有面積が大きい導電層が設けられていると、電源を安定して供給することが困難になっていた。
【解決手段】記憶回路部とコイル状のアンテナ部とを積層して配置することにより、記憶回路部が含む占有面積の大きい導電層に電流が流れてしまうことを防止することができ、省電力化を図ることができる。また、記憶回路部とコイル状のアンテナ部とを積層して配置することにより、スペースを有効に利用することができる。従って、半導体装置の小型化を実現することができる。 (もっと読む)


【課題】従来公知のデバイス素子の形成手法を広く一般的に使用でき、かつ、品質にも優れた薄膜デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】一例として、強磁性体層11の表面側に絶縁層12を積層して、可撓性の薄膜デバイス基材を得る積層工程と、薄膜デバイス基材を支持するために、前記強磁性体層の裏面側に、強磁性体層と引き合う磁性平板21を磁力で密着させる支持板密着工程と、薄膜デバイス基材の前記絶縁層上にデバイス素子13を形成する素子形成工程と、強磁性体層の裏面側から磁性平板21を取り外す支持板離脱工程と、を備える薄膜デバイスの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを
目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第1の酸化物半導体層の表面から内部に向かっ
て成長させた結晶領域を有する第1の酸化物半導体層と、第1の酸化物半導体層上の第2
の酸化物半導体層と、第2の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層
と、第2の酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と
、ゲート絶縁層上の、第2の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、
第2の酸化物半導体層は、結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置であ
る。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタ液晶表示装置の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極、ゲート絶縁層、活性層及びソースドレイン電極を有した薄膜トランジスタであって、該ゲート電極は該活性層のチャンネル領域と重なり、該ゲート絶縁層は該ゲート電極と該活性層間に設けられており、該ソースドレイン電極と該活性層のソースドレイン領域は重なり、該活性層と前記ソースドレイン電極間に電子の走行を許容する薄いSiNx又はSiOxNy層が設けられる。 (もっと読む)


【課題】有機薄膜トランジスタの長期的な信頼性を向上させることのできる有機保護膜組成物を提供する。
【解決手段】下記の一般式1および一般式2の構造単位を含むオリゴマーまたはポリマーと、架橋剤と、を含む。


(もっと読む)


【課題】ソース電極およびドレイン電極間におけるオフリーク電流の低減を課題とする。
【解決手段】本発明の一態様は、ゲート電極101と、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜102と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ゲート電極の上方に位置する半導体層104と、前記半導体層上に形成された第2の絶縁膜108aと、前記第2の絶縁膜の上面と側面、前記半導体層の側面および前記ゲート絶縁膜の上に形成された第1の絶縁膜108bと、前記第1の絶縁膜上に形成され、前記半導体層と電気的に接続されたシリコン層105,106と、前記シリコン層上に形成されたソース電極107aおよびドレイン電極107bと、を有する薄膜トランジスタを具備し、前記ソース電極と前記ドレイン電極は、前記第1の絶縁膜上で互いに電気的に分離されており、前記半導体層は、前記ソース電極および前記ドレイン電極それぞれと接しない半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による製造方法は、基板に無機材料の突起を形成するステップと;それぞれ第一透明導電層と第一金属層からなる反射領域パターン、ゲートライン及びゲートラインから分岐して出されるゲート電極と共通電極を形成するステップと;半導体層からなる活性化ランドパターンと第二金属層からなるデータラインパターンを形成し、活性化ランドパターン上でデータラインに接続されるソース電極とドレイン電極、及び半導体層からなるチャネルを形成するステップと;基板に無機材料を塗布し、無機材料に対して焼き戻し工程を行って一平坦層を形成し、ドレイン電極にビアホールを形成するステップと;反射領域に、ビアホールを介してドレイン電極に接続され且つ第二透明導電層からなる画素電極を形成するステップと、を有する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体素子、酸化物半導体素子の製造方法、酸化物半導体素子を含む表示装置、及び酸化物半導体素子を含む表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】酸化物半導体素子は、基板上に配置されるゲート電極と、リセス構造を含むゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の一側上に配置されるソース電極と、ゲート絶縁層の他側上に配置されるドレーン電極と、ゲート絶縁層、ソース電極、及びドレーン電極上に配置されるアクティブパターンとを含むようにすることができる。リセス構造はゲート電極の上部に位置するようにすることができ、アクティブパターンはリセス構造を埋め立てるようにすることができる。酸化物半導体素子がリセス構造を有するゲート絶縁層を具備することによって、電荷移動度、閾値電圧分布、動作電流などの多様な電気的特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】チャネル形成領域が形成される半導体層のチャネル形成領域と逆側近傍の加工方法を工夫した半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】少なくとも結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、少なくとも第1のエッチングと第2のエッチングを行い、第1のエッチングは非晶質半導体膜の一部を残存させつつ行い、第2のエッチングは非晶質半導体膜上の被覆膜を除去させた後に、非晶質半導体膜に対するエッチングレートが高く、且つ結晶性半導体膜に対するエッチングレートが低い条件により行い、積層半導体膜に設けられた結晶性半導体膜の一部を露出させる。 (もっと読む)


【課題】巻き取りを行っても傷や損傷が発生し難い構成、構造を有する薄膜素子組立体を提供する。
【解決手段】薄膜素子組立体にあっては、可撓性を有する基材20の第1面21上に複数の薄膜素子10が備えられており、基材20において、複数の薄膜素子10が備えられた第1領域の外側に、薄膜素子を備えていない第2領域が設けられており、基材20の第1面21の第2領域、又は、第2面22の第2領域、又は、第1面21及び第2面22の第2領域に凸部31が形成されている。 (もっと読む)


【課題】電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的
の一とする。
【解決手段】13族元素および酸素を含む第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜と一部が接する
酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と
、酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜とゲート電極の間の、酸化物
半導体膜と一部が接する第2の絶縁膜と、を有する半導体装置である。また、13族元素
および酸素を含む第1の絶縁膜には、化学量論的組成比より酸素が多い領域が含まれる構
成とする。 (もっと読む)


【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を
形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って
第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 (もっと読む)


【課題】微細化による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】第1の領域と、第1の領域の側面に接した一対の第2の領域と、一対の第2
の領域の側面に接した一対の第3の領域と、を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上
に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に第1の領域と重畳した第1の電極と、を
有し、第1の領域は、CAAC酸化物半導体領域であり、一対の第2の領域及び一対の第
3の領域は、ドーパントを含む非晶質な酸化物半導体領域であり、一対の第3の領域のド
ーパント濃度は、一対の第2の領域のドーパント濃度より高い半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ特性(移動度、オフ電流、閾値電圧)及び信頼性(閾値電圧シフト、耐湿性)が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、In原子、Sn原子及びZn原子を含む酸化物であり、かつ、Zn/(In+Sn+Zn)で表される原子組成比率が25原子%以上75原子%以下であり、Sn/(In+Sn+Zn)で表される原子組成比率が50原子%未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】ゲート電極の側壁側にサイドウォールを精度よく形成することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】まず、SOI基板5の一方面側においてゲート電極34上及びゲート電極34の周囲の領域に第1絶縁膜40を形成する。次に、第1絶縁膜40上に積層させる構成で第1絶縁膜40とは材質の異なる第2絶縁膜42を形成する。そして、第1絶縁膜40及び第2絶縁膜42におけるゲート電極34の側壁34a側の部分を残しつつ、第2絶縁膜42よりも第1絶縁膜40のほうが、エッチング速度が遅くなるように第1絶縁膜40及び第2絶縁膜42を除去し、ゲート電極34の側壁34a側にサイドウォール45を形成する。 (もっと読む)


【課題】電力の供給がない状況でも記憶内容の保持が可能かつ、書き込み回数にも制限がない新たな構造の半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方と接続し、第1のトランジスタのゲートが第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方、およびキャパシタを構成する一対の容量電極の一方と接続し、第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方および第3のトランジスタのソースまたはドレインの他方がビット線と接続し、第3のトランジスタのゲートがワード線と接続し、第2のトランジスタのゲートおよびソースまたはドレインの他方がソース線と接続し、キャパシタを構成する一対の容量電極の他方が共通配線と接続し、共通配線はGNDに接続し、共通配線は上面から見て網状に設けられ、第3のトランジスタはその網の目に設けられる半導体記憶装置。 (もっと読む)


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