【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（パワーＭＩＳＦＥＴ）を提供する。
【解決手段】半導体層１０３を挟んでゲート電極１０５とドレイン電極１０２を形成し、ゲート電極１０５の側面に半導体層１０９を形成し、ゲート電極１０５の頂上部と重なる部分で、半導体層１０９とソース電極１１２が接する構造を有する。このようなパワーＭＩＳＦＥＴのドレイン電極とソース電極の間に５００Ｖ以上の電源と負荷を直列に接続し、ゲート電極１０５に制御用の信号を入力して使用する。 （もっと読む）

【課題】液晶等の電気光学素子若しくは発光素子等を表示媒体として用いる表示装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極に、オンしたトランジスタを介して信号を入力することで、劣化しやすいトランジスタのしきい値電圧のシフト及びオンしたトランジスタのしきい値電圧のシフトを抑制する。すなわち、高電位（ＶＤＤ）がゲート電極に印加されているトランジスタを介して（若しくは抵抗成分を持つ素子を介して）、交流パルスを劣化しやすいトランジスタのゲート電極に加える構成を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が十分な有機半導体素子を安価に製造することができる有機半導体素子用電極、及びかかる有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、酸化グラフェンナノリボンを含有するインクをインクジェット法により塗布し、前記インクが含有する前記酸化グラフェンナノリボンを還元して、グラフェンナノリボンを含有する薄膜とすることにより形成される有機半導体素子用電極５、６。 （もっと読む）

【課題】熱処理による特性変動を抑制した酸化物半導体を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、絶縁層と、絶縁層上のゲート電極と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられ酸化物層より形成された半導体層と、半導体層の上において、ゲート電極を挟むように離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、を含む薄膜トランジスタと、ソース電極及びドレイン電極のいずれかに接続され、前記酸化物層より形成され前記半導体層よりも電気抵抗が低い画素電極と、画素電極に与えられる電気信号によって光学特性の変化と発光との少なくともいずれかを生ずる光学素子と、画素電極の下に設けられゲート絶縁膜と同じ材料で形成された膜と、を備え、ゲート電極の上のゲート絶縁膜の半導体層の側の表面は、画素電極の下に設けられた膜の画素電極の側の表面よりも平滑性が高い表示装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高い有機トランジスタ作製に有用な高分子化合物を提供する。
【解決手段】式（１−１）〜式（１−３）で表される構造単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造単位と、アリーレン基または２価の芳香族複素環基からなる構造単位とを含む高分子化合物とする。


式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^２は、炭素数が２以上のアルキル基を表す。Ｅは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−または−Ｎ（Ｒ^ａ）−を表す。Ｒ^ａは、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。環Ａは、芳香環または複素環を表す。ｎ_２は０以上の整数を表し、ｎ_３は１〜３の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛を含む半導体膜を用いたダイオードを提供する。
【解決手段】基板上の、酸化亜鉛を含み、チャネル形成領域を有する半導体膜と、前記半
導体膜とゲート電極との間のゲート絶縁膜と、前記半導体膜と電気的に接続されるソース
電極及びドレイン電極と、を有し、前記ゲート電極は、前記ソース電極及び前記ドレイン
電極の一方と電気的に接続される。前記ゲート電極は前記チャネル形成領域の上又は下に
あり、前記ゲート電極は前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上にあってもよい。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高い有機半導体素子の製造に有用な有機半導体素子用電極、及び、該有機半導体素子用電極を有する有機半導体素子を安価に提供する。
【解決手段】基板１、ゲート電極４、ゲート絶縁膜３、有機半導体層２、ソース電極５及びドレイン電極６を有する有機半導体素子１００であって、前記ゲート絶縁膜上に設けられた自己組織化単分子膜のパターン領域と、前記自己組織化単分子膜のパターン領域外である電極形成領域２０に設けられたグラフェンナノリボンを含有する薄膜からなる前記ソース電極及びドレイン電極とを有する、有機半導体素子。 （もっと読む）

【課題】ＲＴＳノイズを低減することが可能な絶縁ゲート型半導体素子、絶縁ゲート型半導体集積回路を提供する。
【解決手段】チャネル領域として機能する第１導電型の半導体層１１、チャネル領域を囲み、半導体層１１に活性領域を定義する素子分離絶縁膜２１、活性領域の一方に設けられた第２導電型の第１主電極領域６２、活性領域の他方に設けられた第２導電型の第２主電極領域６３、活性領域の表面のゲート絶縁膜２２、多結晶シリコン層を含んで、ゲート絶縁膜２２の上に設けられたゲート電極５４を備える。多結晶シリコン層は、第１主電極領域６２，第２主電極領域６３に接する部分は第２導電型の第１多結晶シリコン領域５４_-2、チャネル領域と素子分離絶縁膜２１との境界領域の上部は第１導電型の第２多結晶シリコン領域５４_-1である。 （もっと読む）

【課題】両極性の有機トランジスタを簡便に製造しうる、ｐ型とｎ型の両極性を示す高分子化合物を提供すること。
【解決手段】式
【化０】


（１）
〔式中、Ｚ^１は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ^１）−、−Ｎ（ＣＯＲ^２）−又は−Ｎ（ＣＯ_２Ｒ^３）−を表す。Ｚ^２は、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ^１）−、−Ｎ（ＣＯＲ^２）−又は−Ｎ（ＣＯ_２Ｒ^３）−を表す。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。Ｒ^Ａ及びＲ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。〕
で表される構成単位を含む高分子化合物。 （もっと読む）

【課題】導電性が高い酸化物半導体層を有する酸化物半導体トランジスタを提供する。
【解決手段】インジウム、ガリウム、亜鉛を含む酸化物（ＩＧＺＯ）及び酸化インジウムの粒子を有する酸化物半導体層と、当該酸化物半導体層中のチャネル形成領域と、ゲート絶縁膜を挟んで重畳するゲート電極と、当該酸化物半導体層中のソース領域及びドレイン領域に重畳するソース電極及びドレイン電極とを有する半導体装置に関する。当該半導体装置は、トップゲート型酸化物半導体トランジスタ又はボトムゲート型酸化物半導体トランジスタであってもよい。また当該酸化物半導体層は、ソース電極及びドレイン電極の上に形成されていてもよいし、ソース電極及びドレイン電極の下に形成されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコンを用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタのオン電流に対するオフ電流の割合を減少させること。
【解決手段】表示装置に含まれる薄膜トランジスタは、ゲート電極が設けられた導電層と、前記導電層の上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上面に接するとともに前記ゲート電極の上方に設けられ、微結晶シリコンを含む第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜の上面に接する第２の半導体膜と、前記第２の半導体膜に電気的に接続される第１の電極と、前記第２の半導体膜に電気的に接続される第２の電極と、を含む。前記第１の半導体膜における水素濃度は、前記ゲート絶縁層との界面と前記第２の半導体膜との界面との中間で最小となり、前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜との境界における酸素濃度は、前記第１の半導体膜の中央および前記第２の半導体膜の中央のうち少なくとも一方の酸素濃度以下である。 （もっと読む）

【課題】低いコンタクト抵抗、高い移動度を達成し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極１３、ゲート絶縁層１４、有機半導体材料層から構成されたチャネル形成領域１６、及び、金属から成るソース／ドレイン電極１５を有する電界効果型トランジスタから成る半導体装置において、チャネル形成領域１６を構成する有機半導体材料層と接するソース／ドレイン電極１５の部分は、電極被覆材料２１で被覆されており、電極被覆材料２１は、金属イオンと結合し得る官能基、及び、金属から成るソース／ドレイン電極１５と結合する官能基を有する有機分子から成る。 （もっと読む）

【課題】前駆体膜を変換して得られた半導体膜の導電率の向上。その有機膜を電極と有機半導体の間に配置することで、電極と半導体層の接触抵抗を低減すること。その結果として、接触抵抗が改善された高性能の電気特性を得ることが可能な電子デバイス用インク組成物ならびにそれを用いた電子デバイス、電界効果トランジスタ、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】電子デバイス用インク組成物であって、少なくともπ電子共役系化合物前駆体と、前記π電子共役系化合物のドーパントと、前記π電子共役系化合物前駆体とドーパントを溶解させる溶媒を含有することを特徴とするインク組成物。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の特性の変化を防ぎつつ、耐圧特性も向上させた薄膜トランジスタを用いた表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置は、薄膜トランジスタを含む。薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極を覆い絶縁物質を含むゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上面に接する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜の上面にあり互いに離間する第１の領域と第２の領域にそれぞれ接するソース電極およびドレイン電極と、前記第１の領域と前記第２の領域の間の第３の領域に接し、前記絶縁物質を含むチャネル保護膜と、を含む。平面的にみて前記ゲート電極に重なる前記酸化物半導体膜の上面の領域は第３の領域に含まれかつ小さく、前記酸化物半導体膜のうち前記ゲート電極に重なる部分の一部を除く部分は、前記ゲート電極に重なる部分の前記一部より抵抗が低い。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を歩留まり良く製造する技術を提供する。
【解決手段】基板上に設けられ、一対の不純物領域の間に設けられたチャネル形成領域を
含む島状の半導体層と、半導体層の側面に接して設けられた第１絶縁層と、チャネル形成
領域上に設けられ、半導体層を横断するように設けられたゲート電極と、チャネル形成領
域及びゲート電極の間に設けられた第２絶縁層と、半導体層及び前記ゲート電極上に形成
された第３絶縁層と、第３絶縁層を介して、不純物領域と電気的に接続される導電層と、
を有する。不純物領域はチャネル形成領域と比較して膜厚が大きい領域を有し、且つ該膜
厚が大きい領域で導電層が接続されている。第２絶縁層は、少なくともゲート電極が重畳
する領域の半導体層の側面に設けられた第１絶縁層を覆う。 （もっと読む）

【課題】通電領域表面の周辺の強電界の影響がナノワイヤに及び難くして、ホットキャリアの生成やオフリーク電流を低減する。半導体装置を高性能化する。
【解決手段】基板の表面よりも深い位置に配置され互いに対向する２つの側壁を有する導電膜と、導電膜の２つの側壁の側方に形成され互いに同じ導電型の半導体領域である第１及び第２の通電領域と、導電膜を貫通して２つの半導体領域どうしを接続し第１及び第２の通電領域の導電型とは逆導電型の半導体領域であるナノワイヤと、導電膜と前記ナノワイヤとの境界部に形成された絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数でアクティブマトリクス表示素子を形成する。
【解決手段】実施形態にかかるアクティブマトリックス型表示素子の製造方法は、絶縁基板上にゲート電極層、第１の絶縁膜、酸化物半導体層、第２の絶縁膜、酸化物半導体層と電気的に接続したソース・ドレイン電極を順に形成する工程を含む。酸化物半導体層は、ソース・ドレイン電極が形成される領域から画素領域にわたって形成され、第２の絶縁膜を形成する前に、酸化物半導体の画素領域に相当する部分を低抵抗処理して第１の画素電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】有機トランジスタの活性層に用いた場合に、電界効果移動度が十分に高くなる高分子化合物を提供する。
【解決手段】式


〔式中、Ｅは、−Ｏ−、−Ｓ−又は−Ｓｅ−を表す。Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、ヘテロアリール基又はハロゲン原子を表す。Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基又はハロゲン原子を表すか、２個のＲ^２が連結して環を形成する。〕で表される構造単位と、式（１）で表される構造単位とは異なる式−Ａｒ^１−で表される構造単位とを含む高分子化合物である（式中、Ａｒ^１は、２価の芳香族基、−ＣＲ^３＝ＣＲ^３−で表される基又は−Ｃ≡Ｃ−で表される基を表す）。 （もっと読む）

【課題】オフリーク電流を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置では、半導体層５３は、平面視においてゲート電極５１の範囲内に配置される。ソース電極５５及びドレイン電極５７は、平面視において半導体層５３の範囲内に配置される。シールド７は、保護絶縁膜４上に配置され、画素電極６と同一の材料からなり、画素電極６と電気的に接続されていない。 （もっと読む）