説明

Fターム[5F110NN02]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | その他の構成要素 (47,691) | 保護膜(パッシベーション膜) (34,477) | 層間絶縁膜 (8,935)

Fターム[5F110NN02]の下位に属するFターム

Fターム[5F110NN02]に分類される特許

121 - 140 / 3,265


【課題】酸化物半導体を使用する薄膜トランジスタの特性を向上させることができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板を提供する。本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタ表示板は、基板の上に配置するゲート配線層、前記ゲート配線層の上に配置する酸化物半導体層、及び前記酸化物半導体層の上に配置して、前記ゲート配線層と交差するデータ配線層を含み、前記データ配線層は銅を含む主配線層、及び前記主配線層の上に配置して、銅合金を含むキャッピング層を含む。 (もっと読む)


【課題】コンパクトでありながら、より安定した動作を行う薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】この薄膜トランジスタは、ゲート電極と、絶縁膜を介してゲート電極と対向して配置された有機半導体層と、この有機半導体層の上に設けられた絶縁性構造体と、互いに離間して配置され、かつ、有機半導体層の上面の一部とそれぞれ接するソース電極およびドレイン電極と、絶縁性構造体を覆い、ソース電極と接続されると共にドレイン電極と分離された導電性材料層とを有する。 (もっと読む)


【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつきの影響を緩和し、複数の状態(例えば3以上の状態)の区別を正確、かつ容易にした半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ソース線と、ビット線と、ワード線と、ビット線とワード線に接続されたメモリセルと、入力されたアドレス信号によって指定されたメモリセルを選択するように、複数の第2信号線及び複数のワード線を駆動する、第2信号線およびワード線の駆動回路と、書き込み電位を第1信号線に出力する、書き込み回路と、指定されたメモリセルに接続されたビット線から入力されるビット線の電位と、複数の読み出し電位とを比較する読み出し回路と、ビット線の電位と複数の読み出し電位の比較結果に基づいて複数の補正電圧のいずれかを選択する制御回路と、書き込み電位及び複数の読み出し電位を生成して、書き込み回路及び読み出し回路に供給する、電位生成回路と、を有する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】チャネル長の短い酸化物半導体トランジスタにおいて、十分なオン/オフ比が取れないことを抑制する。
【解決手段】酸化物半導体層と、当該酸化物半導体層のチャネル形成領域と重畳するゲート電極と、当該酸化物半導体層の第1の領域と重畳するソース電極又はドレイン電極と、当該チャネル形成領域と当該第1の領域との間に第2の領域を有し、当該第2の領域の上層は微小な空洞を含んでいる半導体装置に関する。酸化物半導体層と、当該酸化物半導体層のチャネル形成領域と重畳するゲート電極と、当該酸化物半導体層の第1の領域と重畳するソース電極又はドレイン電極と、当該チャネル形成領域と当該第1の領域との間に第2の領域を有し、当該第2の領域の上層は窒素を含んでいる半導体装置に関する。 (もっと読む)


【課題】抵抗変化物質を含む半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】印加された電圧によって抵抗が変化する抵抗変化物質をチャネル層として含む半導体素子及びその製造方法、前記半導体素子を含む不揮発性メモリ装置に係り、前記半導体素子は、絶縁基板上に配置されたチャネル層、前記チャネル層内に配置されたゲート電極、前記ゲート電極を取り囲むゲート絶縁膜、前記ゲート電極の両側面で、前記チャネル層上に配置されるソース電極及びドレイン電極、並びに前記基板と前記ゲート電極との間に配置される抵抗変化物質層を含み、これにより、前記半導体素子は、スイッチの機能と不揮発性メモリの機能とを同時に遂行することができる。 (もっと読む)


【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを
目的の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層に対して、窒素、または希ガス(アルゴン、ヘリウムなど)
の不活性気体雰囲気下、或いは減圧下で脱水化、又は脱水素化処理のための加熱処理を行
い、酸素、酸素及び窒素、又は大気(好ましくは露点−40℃以下、より好ましくは−5
0℃以下)雰囲気下で加酸化処理のための冷却工程を行うことで高純度化及びI型化した
酸化物半導体層を形成する。該酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する半導体装
置を作製する。 (もっと読む)


【課題】光照射時のTFT特性を安定化する。
【解決手段】ゲート電極14上に配置されたゲート絶縁層16上に、第一の酸化物半導体膜24を成膜する第一工程と、第一の酸化物半導体膜24とカチオン組成が異なり、且つ第一の酸化物半導体膜24より低い電気伝導度を有する第二の酸化物半導体膜26を成膜する第二工程と、酸化性雰囲気の下300℃超で熱処理する第三工程と、第一の酸化物半導体膜24とカチオン組成が異なり、且つ第一の酸化物半導体膜24より低い電気伝導度を有する第三の酸化物半導体膜28を成膜する第四工程と、酸化性雰囲気の下300℃超で熱処理する第五工程と、第三の酸化物半導体膜28上に、ソース電極20及びドレイン電極22を形成する電極形成工程と、を有している。 (もっと読む)


【課題】フラットパネルディスプレイの高性能化に伴い、その製造工程でのアモルファスシリコン(a−Si)膜の評価・管理の必要性が高まってきた。
【解決手段】ガラス基板上にa−Si膜を成膜した試料32に対してレーザ光照射手段36からレーザ光を照射する。試料32におけるレーザ光を照射した各サンプリング点に、マイクロ波照射手段38からマイクロ波を照射し、反射波検出手段40でその反射強度を測定する。各サンプリング点での反射強度の測定結果に基づいて、基板面内でのa−Si膜の物性の均一性を評価する。 (もっと読む)


【課題】信頼性を向上させることが可能な半導体素子およびその製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体素子は、有機半導体層と、この有機半導体層と接するように配設された電極と、この電極とは別体として形成され、かつ電極と電気的に接続された配線層とを備えている。半導体素子の製造方法は、基板上に、有機半導体層およびこの有機半導体層と接する電極を形成する工程と、この電極と電気的に接続された配線層を形成する工程とを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】テラヘルツ波を発生又は検出するテラヘルツ波素子において、単色性が良いテラヘルツ波を効率良く出射する。
【解決手段】テラヘルツ波素子は、基板101の上に形成された第1の半導体層102と、第1の半導体層102の上に形成された第2の半導体層104と、第2の半導体層104の上に形成されたゲート電極106と、第2の半導体層104の上にゲート電極106を挟んで対向するように形成されたソース電極107及びドレイン電極108と、第2の半導体層104の上におけるゲート電極106とソース電極107との間及びゲート電極106とドレイン電極108との間に形成され、複数の金属膜109が周期的に配置された周期構造を有する周期金属膜109A,109Bと、ゲート電極106及び複数の金属膜109の上方に配置された第1のミラー111と、基板101の下に形成された第2のミラー112とを備えている。 (もっと読む)


【課題】密着性と剥離性とを兼ね備えた薄膜デバイス用基板、及び薄膜デバイスを歩留まり良く製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】支持基材上に、樹脂基材が設けられてなる薄膜デバイス用基材であって、支持基材側の樹脂基材の表面と、該樹脂基材の表面と接する面と、の界面が、JISK5600−5−7に準拠した付着性で、(A)0.03MPa以上0.12MPa以下の領域と、(B)0.14MPa以上の領域と、を有するように支持基材上の全部または一部に剥離調整層が設けられている。 (もっと読む)


【課題】SOI基板に形成されるMOSトランジスタの特性を向上することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板1上に埋込絶縁層2を介して形成される第1半導体層3と、前記第1半導体層3及び前記絶縁層2内に形成され、前記第1半導体層3に接する第2半導体層12と、前記第2半導体層12の上に形成されるゲート絶縁膜13と、前記ゲート絶縁膜13上に形成されるゲート電極14gと、前記ゲート電極14gの側壁に形成されるサイドウォール7とを有する。 (もっと読む)


【課題】微結晶シリコン膜を活性層とするTFTの閾値ドリフトを小さくする。
【解決手段】シリコンを含む半導体装置の製造方法であって、シリコンを含む原料ガスを水素ガスで600倍以上に希釈する工程と、前記希釈した原料ガスと水素ガスの混合ガスに高周波電力を加えて放電させる工程と、前記放電により分解した原料ガス中のシリコンを基板に堆積させる工程と、前記混合ガスの圧力を600Pa以上に制御する工程とを含み、前記原料ガスの水素ガスによる希釈率がD、前記混合ガスの圧力がP(Pa)のとき、前記高周波電力の電力密度Pw(W/cm)をPw(W/cm)×D(倍)/P(Pa)の値が0.083以上、かつ0.222以下となる範囲に設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】被蒸着膜を高精細なパターンで形成することが可能な蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】蒸着用マスクは、1または複数の第1開口部を有する基板と、この基板の第1主面側に設けられると共に、各第1開口部と対向して1または複数の第2開口部を有する高分子膜とを備える。蒸着の際には、蒸着材料が第1開口部および第2開口部を順に通過することにより、第2開口部に対応した所定のパターンで被蒸着膜が形成される。基板と高分子膜とを組み合わせて用いることにより、機械的強度を保持しつつも、金属膜のみで構成されている場合に比べ、第2開口部において微細かつ高精度な開口形状を実現できる。 (もっと読む)


【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。 (もっと読む)


【課題】消費電力の増大を抑制し且つ微細化を達成した半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。また、安定した電気的特性が付与された、信頼性の高い半導体装置および当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に電界で加速されたイオンを照射して、当該酸化物半導体膜の表面の平均面粗さを低減することにより、トランジスタのリーク電流の増大および消費電力の増大を抑制することができる。さらに、加熱処理を行って、酸化物半導体膜が当該酸化物半導体膜表面に垂直なc軸を有する結晶を含むように形成することにより、酸化物半導体膜の可視光や紫外光の照射による電気的特性の変化を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を有する複数の有機トランジスタを備えた有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体素子10は、基板11と、基板11上に設けられ、各々が液晶性有機半導体材料を含む有機半導体領域4を有する複数の有機トランジスタ20と、を備えている。このうち有機半導体領域4は、少なくとも基板11を含む支持部材17によって支持されている。そして、有機半導体素子10の製造方法は、支持部材17を準備する工程と、支持部材17上に液晶性有機半導体材料を含む連続的な有機半導体層30を設ける工程と、有機半導体層30をパターニングして複数の有機半導体領域4を形成するパターニング工程と、を備えている。ここで、パターニング工程は、凹部42および凸部41を有する凹凸版40を準備する工程と、凹凸版40の凸部41を支持部材17上の有機半導体層30に当接させることにより有機半導体層30をパターニングする当接工程と、を有している。 (もっと読む)


【課題】新規な不揮発性のラッチ回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】第1の素子の出力が第2の素子の入力に電気的に接続され、第2の素子の出力が第1の素子の入力に電気的に接続されるループ構造を有するラッチ部と、ラッチ部のデータを保持するデータ保持部とを有し、このラッチ部とデータ保持部とにより不揮発性のラッチ回路が構成される。データ保持部は、チャネル形成領域を構成する半導体材料として酸化物半導体を用いたトランジスタをスイッチング素子として用いている。またこのトランジスタのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続されたインバータを有している。上記トランジスタを用いて、ラッチ部に保持されているデータをインバータのゲート容量あるいは別に用意した容量に書き込むことができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造を提供する。
【解決手段】異なるエネルギーギャップを有する、少なくとも第1の酸化物半導体層及び第2の酸化物半導体層を積層させた酸化物半導体積層であって、化学量論的組成比よりも過剰に酸素を含む領域を有する酸化物半導体積層を用いてトランジスタを形成する。 (もっと読む)


【課題】信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜により形成されるトランジスタの電極膜上に酸化物半導体膜に接して設けられた第1の絶縁膜、及び第2の絶縁膜を積層して形成し、第2の絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口部と重畳する部分の第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜をエッチングして電極膜を露出する開口部を形成し、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の開口部をアルゴンプラズマに曝し、エッチングマスクを除去し、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の開口部に導電膜を形成し、第1の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、第2の絶縁膜は第1の絶縁膜よりもエッチングされにくく、第1の絶縁膜よりもガス透過性が低い。または逆スパッタリングを行ってもよい。 (もっと読む)


121 - 140 / 3,265