【課題】生産コストを削減することができる半導体装置の作製方法、及び該作製方法を用いる製造装置の提案を課題とする。
【解決手段】ボンド基板（半導体基板）をベース基板（支持基板）に貼り合わせた後に、該ボンド基板を劈開させて半導体膜を形成するのではなく、先にボンド基板を複数箇所において劈開することで複数の第１の半導体膜（マザーアイランド）を形成してから、該複数の第１の半導体膜をベース基板に貼り合わせる。そして、上記複数の第１の半導体膜をそれぞれ部分的にエッチングすることで、１つの第１の半導体膜から単数または複数の第２の半導体膜（アイランド）を形成し、該第２の半導体膜を用いて半導体素子を作製する。複数の第１の半導体膜は、半導体素子が有する第２の半導体膜がレイアウトされるべき領域を少なくともカバーするように、上記レイアウトに合わせてベース基板に貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する液晶表示装置、及び該液晶表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極上にゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上にバッファ層と、バッファ層上において微結晶半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層と、チャネル保護層及びバッファ層上にソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域上にソース電極及びドレイン電極を有する。 （もっと読む）

【課題】表示領域周辺にリーク電流の小さい、ｐｏｌｙ−Ｓｉによるボトムゲート型ＴＦＴを用いて駆動回路を形成する。
【解決手段】ゲート電極１０３を融点の高いＭｏによって形成し、その上にゲート絶縁膜１０４を形成する。ゲート絶縁膜１０４上にｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７によるチャネル層を形成し、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７をａ−Ｓｉ層１０８で覆う。ａ−Ｓｉ層１０８上にｎ＋Ｓｉ層１０９を形成し、その上にＳＤ電極（１１０、１１１、１１２）を形成する。ゲート電極１０３に負の電圧（逆バイアス）が印加された場合、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７には正孔が誘起されるが、この正孔はａ−Ｓｉ層１０８を通過することができないので、ドレイン電流は流れない。したがって、リーク電流の小さな、ｐｏｌｙ−Ｓｉを用いたボトムゲート型ＴＦＴを実現できる。 （もっと読む）

【課題】単結晶Ｓｉ基板に水素イオン又はＨｅイオンを注入した後、単結晶Ｓｉ基板を加熱することによってイオン注入層にて剥離することによって形成する単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタの特性劣化を防止する。
【解決手段】絶縁基板５０上に薄膜デバイスを形成してなる半導体装置において、上記半導体装置内で、非単結晶Ｓｉ薄膜からなる薄膜トランジスタと、単結晶Ｓｉからなる薄膜トランジスタとが混在しており、単結晶Ｓｉからなる薄膜トランジスタのゲート電極膜３５が、シリコンより質量数の大きい金属またはその化合物を含む材料にて構成されている。 （もっと読む）

【課題】小面積化が可能、素子数が少なく構成が簡易、低消費電力動作、製造における高歩留まりが見込める電流記憶回路を実現する。また、この電流記憶回路をＯＬＥＤ表示装置等の電流駆動型の表示装置に適用することにより、表示装置の画素開口率の向上、高信頼性化、高性能化等を実現する。
【解決手段】ドレインまたはソースを複数有するトランジスタのような形状の新規な半導体素子を用いることを特徴とする。この半導体素子を書込み用素子と駆動用素子に用いる場合、電流値の読込み、記憶、そして電流出力が、この半導体素子二つで行うことができ、小面積化が著しく容易となる。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を抑制しつつ、且つ製造コストの増加を抑え、加えて、電気特性が高く、オフ電流の低減を図ることができる薄膜トランジスタを具備する液晶表示装置を提案することを課題とする。
【解決手段】基板上に設けられたゲート電極と、基板及びゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介したゲート電極上に、微結晶半導体膜と、上部に窪みが存在するバッファ層とが順に積層して設けられた第１の島状半導体膜及び第２の島状半導体膜と、導電性半導体膜と、導電性半導体膜上に接して設けられた導電膜と、を有し、導電性半導体膜が、第１の島状半導体膜及び第２の島状半導体膜の間に、ゲート絶縁膜に接して設けられている薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】スループット良くＳＯＩ基板を製造できる方法を提供する。
【解決手段】支持基板に半導体基板から分離させた半導体層を転置して、ＳＯＩ基板を製造する。まず、半導体層の基となる半導体基板を準備する。該半導体基板には所定の深さの領域に脆化層を形成し、且つ、一表面上に絶縁層を形成する。半導体基板と支持基板とを、絶縁層を間に挟んで重ね合わせて接合した後、半導体基板にレーザビームを選択的に照射して脆化層の脆化を進行させる。そして、物理的手段又は加熱処理により、脆化層の脆化を進行させた領域を始点として、半導体基板を分離する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する発光装置、及び該発光装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する発光装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極上にゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上にバッファ層と、バッファ層上において微結晶半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層と、チャネル保護層及びバッファ層上にソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域上にソース電極及びドレイン電極を有する。 （もっと読む）

【課題】特性が均一な微結晶半導体を有する半導体装置を効率良く提供することを課題とする。また、高品質な電子機器を効率良く提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、半導体層が完全溶融する光強度のパルスレーザー光を照射することにより、微結晶半導体領域を形成する。これにより、特性が均一な微結晶半導体領域を有する半導体装置を作製することができ、また、これを用いて、高品質な電子機器を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】残存する結晶化誘導金属の量を減少させて電気的特性が優秀な薄膜トランジスタ、これを具備した有機電界発光表示装置、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００と、基板上に位置し、チャネル領域１６２、ソース領域１６１、およびドレイン領域１６３を含む半導体層１６０と、半導体層のチャネル領域とゲート絶縁膜１７０を介し対向して設けられたゲート電極２１０と、半導体層のチャネル領域以外の領域の上部または下部にゲート電極と離隔されて位置した、ゲート電極と同一物質からなる金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層と、半導体層のソース領域およびドレイン領域にそれぞれ電気的に連結されたソース電極２４０ａおよびドレイン電極２４０ｂと、を含む。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上に設けられるデータ線（６ａ）と、データ線の上層側に設けられており、データ線と交差する走査線（１１）と、走査線の上層側に設けられており、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極の下層側に、該画素電極に容量絶縁膜（７５）を介して対向するように設けられた容量電極（７１）と、データ線の上層側且つ走査線の下層側に設けられており、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）及び画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、及び走査線の一部からなる又は走査線に接続されたゲート電極（３ａ）に絶縁膜（４１）を介して対向配置されたチャネル領域を有する半導体層（１ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を生産性よく作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜の表面からレーザビームを照射して微結晶半導体膜の結晶性を改善する。次に、結晶性が改善された微結晶半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成する。また当該薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】電気特性の信頼性の高い薄膜トランジスタを有する発光装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する発光装置において、逆スタガの薄膜トランジスタは、ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域の一部を露出するようにソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】例えば、高圧水蒸気処理によってＰチャネル型ＴＦＴ等のトランジスタ素子の動作特性が低下させない。
【解決手段】ＴＦＴ１３０と同層に形成されたＴＦＴ３０の高圧水蒸気処理が施される際に、重なる部分４２ａに水分が回り込まないようにＴＦＴ１３０上に保護膜１３３ａ及び１３３ｂが形成されている。このような保護膜１３３ａ及び１３３ｂが形成された境界領域Ｒａ及びＲｂの夫々は、絶縁膜４２上の画素領域に形成されたＴＦＴ３０に高圧水蒸気処理が施された際に、重なる部分４２ａ、より具体的には、絶縁膜４２のうちチャネル領域１３０ａ´の両端部分に重なる部分に水分が回り込まないように重なる部分４２ａを保護可能な幅を有する領域である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】ガラス基板１の上にゲート電極膜２を形成し、前記ガラス基板１およびゲート電極膜２の上に窒化珪素膜３を形成し、前記窒化珪素膜３の上にアモルファスＳｉ膜４を形成し、前記アモルファスＳｉ膜４の上にバリア膜を介して純銅からなるドレイン電極膜５およびソース電極膜６を形成し、前記アモルファスＳｉ膜４、ドレイン電極膜５およびソース電極膜６の上に窒化珪素膜３´を被覆形成してなる薄膜トランジスターにおいて、前記バリア膜は、炭化ケイ素膜１２で構成されており、微量炭素含有銅膜１５は有ることが好ましいが無くてもよい。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】ガラス基板１の上にゲート電極膜２を形成し、前記ガラス基板１およびゲート電極膜２の上に窒化珪素膜３を形成し、前記窒化珪素膜３の上にアモルファスＳｉ膜４を形成し、前記アモルファスＳｉ膜４の上にバリア膜を介していずれもＣｕ−Ｏ−Ｚｎ銅合金膜１５の下地層を有するＣｕ−Ｚｎ銅合金からなるドレイン電極膜５およびソース電極膜６を形成し、前記アモルファスＳｉ膜４、ドレイン電極膜５およびソース電極膜６の上に窒化珪素膜３´を被覆形成してなる薄膜トランジスターにおいて、前記バリア膜は、Ｃｕ−Ｓｉ−Ｏ−Ｚｎ銅合金膜１９で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】要求される特性を満たした半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の一部の領域にレーザー光を照射し、単結晶半導体層のレーザー光が照射されていない領域を用いて画素部の回路を形成し、単結晶半導体層のレーザー光が照射された領域を用いて、画素部の回路を駆動する駆動回路を形成することを特徴としている。これにより、周辺回路領域と画素領域とに適した単結晶半導体層を用いた半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

低コンタクト抵抗を示すＭＯＳ構造（１００，２００）と、このようなＭＯＳ構造の形成方法が提供される。一方法では、半導体基板（１０６）が提供され、前記半導体基板上にゲートスタック（１４６）が形成される。前記半導体基板内に、前記ゲートスタックと整合された不純物ドープ領域（１１６）が形成される。前記不純物ドープ領域から延びる隣接するコンタクトフィン（１８６）が形成され、前記コンタクトフィン上に金属シリサイド層（１２６）が形成される。前記コンタクトフィンの少なくとも１つに存在する前記金属シリサイド層の少なくとも一部に対するコンタクト（１２２）が形成される。
（もっと読む）

【課題】液晶分子への電界の印加を向上させた液晶表示装置の提供。
【解決手段】基板と、この基板の表面に被着された画素アレイを備え、
前記画素アレイは、少なくとも薄膜トランジスタとこの薄膜トランジスタに接続された画素電極を備え、
前記基板に対して、前記画素電極は薄膜トランジスタよりも上層に形成されている。 （もっと読む）

【課題】電気特性の信頼性の高い薄膜トランジスタを有する液晶表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、逆スタガの薄膜トランジスタは、ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域の一部を露出するようにソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。 （もっと読む）