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Fターム[5F110NN41]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | その他の構成要素 (47,691) | 遮光膜 (1,533)

Fターム[5F110NN41]の下位に属するFターム

複数層 (106)
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材料 (786)
製法 (237)

Fターム[5F110NN41]に分類される特許

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【課題】画質の低下を防ぎつつ、消費電力の低減を実現することができる、液晶表示装置
の駆動方法を提案する。
【解決手段】液晶素子と、当該液晶素子への画像信号の供給を制御するトランジスタとを
画素に有する。上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンド
ギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極め
て小さい。そして、画素を反転駆動させる際に、画素電極を間に挟んで配置されている一
対の信号線に、互いに逆の極性を有する画像信号を入力する。上記構成により、液晶素子
に容量素子を接続しなくても、表示される画質が低下するのを防ぐ。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び側面に側壁絶縁層が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び側壁絶縁層に接して設けられる。該半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜、側壁絶縁層、及びゲート電極層上を覆うように導電膜及び層間絶縁膜を積層し、化学的機械研磨法によりゲート電極層上の層間絶縁膜及び導電膜を除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体を基板とする液晶パネルは、ウェル領域があるため、漏れ光がトランジスタ部分のみでなくそこから離れた半導体基板を通過しただけで光リーク電流が流れることがある。この光リーク電流が、ガラス基板上にスイッチング素子としてのTFTを配置した液晶パネルに比べて多くなるという欠点がある。
【解決手段】反射電極となる画素電極(14)と、画素電極への電圧印加を制御するスイッチング素子とを有する画素単位が基板上にマトリックス状に配置されてなる液晶パネル用基板において、両素電極とスイッチング素子の端子電極を構成する導電層(6a)との間に、両者を接続するためのコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールの形成箇所を囲む開口を有し、隣接する複数の画素電極の間の領域には開口を有さない遮光層を、画素電極と導電層との間に設けることにより、画素電極どうしの隙間から漏込む光による弊害を防ぐ。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御するため、薄膜トランジスタのチャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介してゲート電極を設けた際に、プロセス数の増加を招くことなく、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を得る。
【解決手段】酸化物半導体層131の上方に設ける第2のゲート電極133を形成するとき、酸化物半導体層131のパターニングと同時に形成することで、第2のゲート電極133の作製に要するプロセス数の増加を削減する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の電気的な特性のバラツキを低減し、鮮明な多階調カラー表示を可能
にすることを目的とする。
【解決手段】半導体素子に用いられる半導体層の一部を抵抗体として利用する。具体的に
は、半導体素子と、前記半導体素子の有する半導体層と電気的に接続された発光素子と、
を有する表示装置であり、前記半導体層には、前記半導体素子と前記発光素子との間に設
けられた抵抗体とみなせる領域が含まれる。抵抗体とみなせる領域が存在することによっ
て半導体素子の電気的な特性のバラツキの影響を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信
頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導
体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第1
の導電膜を形成し、第1の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第2の導電
膜を形成し、第1の導電膜及び第2の導電膜をエッチングすることでソース電極及びドレ
イン電極を形成し、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極上に、酸化物半導体膜
と接する絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。 (もっと読む)


【課題】後の工程で形成される光電変換層を広く形成することができ、センサの受光面積(開口率)を上げることができる、インテリジェント化された新規な半導体装置を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有するトランジスタを有し、トランジスタの上方に絶縁膜を有し、絶縁膜の上方にフォトダイオードを有する。トランジスタはフォトダイオードと重なる位置に設けられている。 (もっと読む)


【課題】非接触にて、被写体の位置情報の取得を容易に行うことができる固体撮像装置、または半導体表示装置の提供。
【解決手段】第1入射方向から第1入射角を有する光が入射する複数の第1フォトセンサと、第1入射方向とは異なる第2入射方向から第2入射角を有する光が入射する複数の第2フォトセンサとを有し、複数の第1フォトセンサのうち、第1入射方向の上流側の一つの第1フォトセンサの方が、第1入射方向の下流側の他の一つの第1フォトセンサよりも、第1入射角が大きく、複数の第2フォトセンサのうち、第2入射方向の上流側の一つの第2フォトセンサの方が、第2入射方向の下流側の他の一つの第2フォトセンサよりも、第2入射角が大きい。 (もっと読む)


【課題】画素電極の電圧が保持され、画質が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基材110上で半導体層150と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極120及びドレイン電極130と、前記チャネル領域を制御するゲート電極140と、前記ドレイン電極130と接続され液晶材料を駆動する画素電極190と、を複数有するアクティブマトリクス基板において、複数の前記画素電極190の間の空間に配された無機絶縁膜195と、前記画素電極190とは接触せずに、前記無機絶縁膜195と接触するようにして配された遮光膜200と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ特性(移動度、オフ電流、閾値電圧)及び信頼性(閾値電圧シフト、耐湿性)が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、In原子、Sn原子及びZn原子を含む酸化物であり、かつ、Zn/(In+Sn+Zn)で表される原子組成比率が25原子%以上75原子%以下であり、Sn/(In+Sn+Zn)で表される原子組成比率が50原子%未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】電極からの反射がなく、表示画像が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基板110側と反対側に反射防止層130が形成された反射防止層130が形成された電極(図14のAに相当するソースドレイン電極層)と、基板110側と反対側に反射防止膜が形成されていない反射防止膜除去電極(図14のBに相当するソースドレイン電極層)と、基板110上に設けられた親液性領域Rと、反射防止膜除去電極とに接するように形成された半導体層150と、を有している。 (もっと読む)


【課題】生産性が高く微細な電界効果トランジスタとその製造方法ならびに製造装置を提供すること。
【解決手段】以下の工程(1)から(3)よりなる印刷工程により前記基板上へラインもしくはスペース最小幅が1から50μmであり、印刷位置精度が100ppm以下の機能性膜の形成を行うことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法としたもの。
工程(1) 版の画線部に相当する溝構造部にドクターブレードを用いたインキング法で、機能性材料が溶媒へ溶解もしくは分散した薬液を充填する工程。
工程(2) 転写シリンダーと前記版を接触させ、前記溝構造部の薬液を前記転写シリンダーへ転移させる工程。
工程(3) 前記転写シリンダー上の薬液を前記基板の所定の位置へ転写し、機能性膜の形成を行う工程。 (もっと読む)


【課題】信号配線、ゲート配線の寄生容量を低下させ、感度の向上、ノイズの減少を図る放射線検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に配置されたスイッチ素子と、スイッチ素子上に配置された放射線を電荷に変換する変換素子とを含み、スイッチ素子と変換素子とは接続されている画素を有し、画素は絶縁基板上に行列に二次元配列され、絶縁基板上に配置された行方向に配列された複数のスイッチ素子が共通に接続されるゲート配線と、列方向に配列された複数のスイッチ素子が共通に接続される信号配線と、を有し、スイッチ素子と変換素子の間に複数の絶縁層が配置され、ゲート配線又は信号配線の少なくとも一方が、複数の絶縁層に挟まれて配置されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ゲート絶縁膜の絶縁耐圧を高めることができ、低電圧で動作させることができる有機薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極20と、該ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜30とを有する有機薄膜トランジスタであって、
前記ゲート絶縁膜は、自己組織化単分子膜31上に高分子絶縁膜32が形成された積層構造を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】動作性能および信頼性の高いEL表示装置を提供する。
【解決手段】第1のチャネル形成領域と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第1のゲート電極とを備えた第1のTFTと、第2のチャネル形成領域と、第2のソース領域及び第2のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第2のゲート電極とを備えた第2のTFTと、第1のTFT及び第2のTFT上に設けられた第1の絶縁膜と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域の他方と接続し、且つ第2のゲート電極に接続された第1のドレイン配線と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の一方に接続された第2のドレイン配線と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 (もっと読む)


【課題】スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。具体的には結晶性の高い酸化物半導体膜を形成する作製プロセスを提供する。
【解決手段】意図的に窒素を酸化物半導体に対して添加することにより、六方晶であり、ウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成する。酸化物半導体膜において、窒素を含む領域の結晶性は、窒素をあまり含まない領域、或いは窒素を意図的に添加していない領域に比べて高くなる。この結晶性の高いウルツ鉱型結晶構造を有する酸化物半導体膜をトランジスタのチャネル形成領域として用いる。 (もっと読む)


【課題】表示基板、表示パネル、及び表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は表示パネル100、ガンマ電圧生成部、制御部及びデータ駆動部を含む。表示パネル100は第1下部電極113_1及び第1下部電極113_1にオーバーラップし第1スリットパターン115_1を有する第1上部電極114_1を含む第1画素と、第1画素の第1方向に配置されて第2下部電極113_2及び第2下部電極113_2にオーバーラップし第1スリットパターン115_1の延長方向と異なる方向に延長した第2スリットパターン115_2を有する第2上部電極114_2を含む第2画素と、第1方向と異なる第2方向に延長し第1画素と第2画素との間に配置された第1ゲートラインGL1を含む構成である。 (もっと読む)


【課題】さらなる低温プロセス(350℃以下、好ましくは300℃以下)を実現し、安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層103を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層103の一部にn型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域107(非晶質構造を有する領域)を形成した後、100〜300℃の加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域108を形成し、非晶質な領域のままでTFTのソース領域またはドレイン領域とする。 (もっと読む)


【課題】高い画素開口率と、更に広いTFT製造プロセスマージン、小さな周辺回路レイアウト面積、長い寿命、のいずれかを実現するアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】基板上に、チャネル層と、ソース電極・ドレイン電極と、第1の絶縁層と、第1の電極と、を有し、第1の電極は第1の絶縁層を介してチャネル層と対向して設けられた画素薄膜トランジスタと、基板上に、チャネル層と、ソース電極・ドレイン電極と、第2の絶縁層と、第2の電極と、第3の絶縁層と、第3の電極と、を有し、第2の電極は第2の絶縁層を介してチャネル層と対向して設けられ、第3の電極は第3の絶縁層を介してチャネル層と対向して設けられた薄膜トランジスタと、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板。 (もっと読む)


【課題】生産性が良く、低コストに、開口面積の大きい薄膜トランジスタアレイ、及びそれを用いた画像表示装置を作製することができる薄膜トランジスタアレイを提供する。
【解決手段】半導体層と、半導体層に離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ゲート絶縁層を介して半導体層に離間して配置されたゲート電極とを有する表示スイッチング用の薄膜トランジスタを備えた画素が絶縁基板上に複数形成された薄膜トランジスタアレイにおいて、複数の画素100は互いに隣接して格子状に配置され、この複数の画素100のうち互いに隣接する4つの画素100を一単位とし当該一単位の中心部分あに各画素100の薄膜トランジスタ1001が集中して配置される構成にした。 (もっと読む)


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