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Fターム[5F110NN45]の内容

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【課題】シュリンク技術を利用して、コンタクトホールとして利用できる複数の凹部を1回のレジストマスク工程で異なる深さ寸法に形成することのできるコンタクトホールの形成方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板10上にコンタクトホールを形成するにあたって、まず、第1開口部17aおよび第2開口部17bを備えたレジストマスク17を層間絶縁膜42の表面に形成した後、第1開口部17aおよび第2開口部17bから層間絶縁膜42および絶縁膜49をエッチングする。その後、シュリンク工程において、レジストマスク17を変形させて第2開口部17bを塞ぐ一方、第1開口部17aの開口面積を狭める。次に、第1開口部17aから層間絶縁膜41およびゲート絶縁層2をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】厚いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタと、薄いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタとを備えた回路基板を提供する。
【解決手段】ポリシリコン半導体層の上下に、ボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層とトップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とを各々設け、トップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の厚さをボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層の厚さと異ならせる。 (もっと読む)


【課題】 光リーク電流を抑制した高い耐光性を有するTFTを、製造工程を簡素化することにより低コストで実現する。
【解決手段】 TFT100は、絶縁基板107としてのガラス基板上に形成された遮光膜113と、遮光膜113上に形成された絶縁膜112と、絶縁膜112上に形成された半導体膜111と、半導体膜111上に形成されたゲート絶縁膜104とを基本的に有する。遮光膜113、絶縁膜112及び半導体膜111の三層から成る積層体100aは、各層が同時にパターニングされている。そして、積層体100aの各層がシリコン又はシリコンを含む材料から成る。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性の安定した半導体装置を提供する。とくに、酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接して形成されたソース電極、及びドレイン電極と、を有し、ゲート絶縁膜は、少なくとも酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された酸素放出型の酸化膜と、により構成され、酸素放出型の酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 (もっと読む)


【課題】活性層となる酸化物導電体層への光の入射を防ぎ、TFT特性の低下を抑制することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本技術の表示装置は、活性層が酸化物導電体よりなる薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に設けられた発光素子と、薄膜トランジスタおよび発光素子の各端面、並びに発光素子の上面の一部を覆う遮光膜とを備える。 (もっと読む)


【課題】有機半導体層の電気的特性を確保することが可能な電子機器を提供する。
【解決手段】電子機器は、光源と、有機半導体層を含む薄膜トランジスタと、光源から生じた光が有機半導体層に至る経路に配置され、その有機半導体層の光吸収波長域のうちの少なくとも一部を含む波長域の光を吸収すると共にそれ以外の波長域の光を透過する光吸収透過層とを備える。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタのしきい値電圧を制御するため、薄膜トランジスタのチャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介してゲート電極を設けた際に、プロセス数の増加を招くことなく、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を得る。
【解決手段】酸化物半導体層131の上方に設ける第2のゲート電極133を形成するとき、酸化物半導体層131のパターニングと同時に形成することで、第2のゲート電極133の作製に要するプロセス数の増加を削減する。 (もっと読む)


【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信
頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導
体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第1
の導電膜を形成し、第1の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第2の導電
膜を形成し、第1の導電膜及び第2の導電膜をエッチングすることでソース電極及びドレ
イン電極を形成し、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極上に、酸化物半導体膜
と接する絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁膜のコンタクトホールの内部にコンタクト用導電膜および埋め込み膜を設けた場合でも、コンタクトホールの外部で画素電極とコンタクト用導電膜とを確実に導通させることができる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100を製造するにあたって、層間絶縁膜45上にコンタクトホール45aの底部45eおよび内壁45fに重なるコンタクト用導電膜90をITO膜により形成した後、コンタクトホール45aの内部を埋める埋め込み膜48をシリコン酸化膜により形成し、その後、埋め込み膜48に対して反応性イオンエッチングを行い、コンタクト用導電膜90を露出させる。また、コンタクトホール45aの内部には埋め込み膜48を残す。その際、埋め込み膜48とコンタクト用導電膜90とのエッチング選択比を利用して埋め込み膜48を選択的に除去してコンタクト用導電膜90を露出させる。 (もっと読む)


【課題】画素電極の電圧が保持され、画質が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基材110上で半導体層150と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極120及びドレイン電極130と、前記チャネル領域を制御するゲート電極140と、前記ドレイン電極130と接続され液晶材料を駆動する画素電極190と、を複数有するアクティブマトリクス基板において、複数の前記画素電極190の間の空間に配された無機絶縁膜195と、前記画素電極190とは接触せずに、前記無機絶縁膜195と接触するようにして配された遮光膜200と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】カラーフィルタに含まれる不純物による汚染の問題を解決する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続されるソース電極及
びドレイン電極と、薄膜トランジスタ、ソース電極及びドレイン電極上の第1の絶縁膜と
、第1の絶縁膜上のカラーフィルタと、カラーフィルタ上の第2の絶縁膜と、第2の絶縁
膜上の画素電極とを有し、第1の絶縁膜は窒化シリコンを有し、カラーフィルタは第1の
開口部を有し、第2の絶縁膜は第2の開口部を有し、第2の開口部は第1の開口部の内側
に設けられ、画素電極は、第1の開口部及び第2の開口部を介してソース電極及びドレイ
ン電極の一方に電気的に接続され、カラーフィルタは、画素電極、ソース電極及びドレイ
ン電極に接触しない。 (もっと読む)


【課題】高開口率な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に第1配線と、第1配線上に第1絶縁膜と、第1絶縁膜上に半導体膜と、半導体膜上に第2絶縁膜と、第2絶縁膜上に第2配線と、第1配線と接続するゲート電極と、第2配線及びゲート電極上に第3絶縁膜と、第3絶縁膜上に半導体膜と接続する第3の配線とを有する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】しきい値電圧変動が少なく信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体層に接して、加熱により酸素の放出が可能な絶縁膜を形成し、ゲート電極又はゲート電極と重なる領域に形成された金属層に光照射を行うことで、ゲート電極と重なる領域の酸化物半導体層中に酸素を添加する。これによりゲート電極と重なる領域の酸化物半導体層中に存在する酸素欠損や界面準位を低減することで、課題を達成できる。 (もっと読む)


【課題】新たなパラメーターによって半導体層内における不純物分布を制御して電界効果
型トランジスターを形成することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】LDD構造の電界効果型トランジスターからなる画素トランジスターを基板
本体10wの一方面10sに形成するにあたって、一方面10s側の半導体層1aに不純
物を導入する不純物導入工程を行う。その後、不純物拡散工程において、一方面10s側
にレーザーアニール装置、ヒートガスアニール装置、ランプアニール装置等の加熱装置9
20を配置し、一方面10s側を他方面10t側より温度を高くした状態で半導体層1a
を加熱する。 (もっと読む)


【課題】本発明はTFT−LCDアレイ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明はTFT−LCDアレイ基板及びその製造方法に関し、アレイ基板はベース基板と、ベース基板上に形成され画素領域を限定するゲートライン及びデータラインを含み、前記画素領域内には画素電極、薄膜トランジスタと共通電極が形成される。また、導電性薄膜材料により製造されるブラックマトリクスを含み、前記ブラックマトリクスは前記共通電極と接続される。 (もっと読む)


【課題】
製造プロセスのステップ数を少なくでき、素子の構造が簡単でコストを抑制することが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ100は、主面を有する基材110と、前記基材110の前記主面に対する積層方向に配設される遮光層111と、前記積層方向からみて、前記遮光層111に含まれるように設けられる有機半導体層150と、前記有機半導体層150と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極120及びドレイン電極130と、前記積層方向からみて、前記有機半導体層150の外周において前記ソース電極120と前記ドレイン電極130と重畳しない溝部165が設けられたゲート絶縁層160と、前記積層方向からみて前記有機半導体層150を含むように、前記ゲート絶縁層160上及び前記溝部165に設けられるゲート電極140と、からなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体装置、半導体装置の製造方法、電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、一面に、ソース電極41cおよびドレイン電極41dを有する第1基板34と、一面に、ゲート電極41e、ゲート絶縁膜41bおよび半導体層41aを有する第2基板39と、第1基板34および第2基板39が互いの一面側を対向させて貼り合わされることによりこれら第1基板34と第2基板39との間に構成される薄膜トランジスタTRと、を備えている。 (もっと読む)


【課題】入射光が確実に遮光され安定した動作が得られるトランジスターを備えた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、この電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、ソース領域30sと、ドレイン領域30dと、チャネル領域30cと、チャネル領域30cとドレイン領域30dの間に形成された接合領域30fとを有する半導体層30aと、半導体層30aを覆う第1絶縁膜を介してチャネル領域30cに対向するゲート電極部30gと、平面的に接合領域30fに沿って第1絶縁膜および第2絶縁膜に設けられた溝としてのコンタクトホールCNT5,CNT6と、コンタクトホールCNT5,CNT6内に、ゲート電極部30gから延在して設けられる第1導電膜と、データ線6aを構成する第2導電膜とを含む少なくとも2層の導電膜を有する遮光性の側壁部と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】特性のバラツキが少なく、電気特性が良好なトランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体を含む半導体層を形成し、半導体層上に不純物半導体層を形成し、不純物半導体層上にマスクを形成した後、マスクを用いて半導体層及び不純物半導体層をエッチングして、半導体積層体を形成し、マスクを除去した後に半導体積層体を希ガスを含む雰囲気で発生させたプラズマに曝して半導体積層体の側面に障壁領域を形成し、半導体積層体の不純物半導体層に接する配線を形成する。 (もっと読む)


【課題】 ウェット法により電極を形成した場合においても、マイグレーションによる不具合が起きず、配線抵抗も十分小さく、かつトランジスタ特性の優れた薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】 基板10上にゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極及びドレイン電極、有機半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が3層の積層体からなり、かつ3層の積層体の膜厚が第1層目、第2層目、第3層目の順に薄くする薄膜トランジスタである。 (もっと読む)


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