【課題】厚いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタと、薄いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタとを備えた回路基板を提供する。
【解決手段】ポリシリコン半導体層の上下に、ボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層とトップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とを各々設け、トップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の厚さをボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層の厚さと異ならせる。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複
数種の薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを
課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる
酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャ
ネル保護型を用い、かつ、画素用薄膜トランジスタの主要な部分を透光性材料で構成する
ことにより、開口率を上げる。 （もっと読む）

【課題】活性層となる酸化物導電体層への光の入射を防ぎ、ＴＦＴ特性の低下を抑制することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本技術の表示装置は、活性層が酸化物導電体よりなる薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に設けられた発光素子と、薄膜トランジスタおよび発光素子の各端面、並びに発光素子の上面の一部を覆う遮光膜とを備える。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の電気的特性を確保することが可能な電子機器を提供する。
【解決手段】電子機器は、光源と、有機半導体層を含む薄膜トランジスタと、光源から生じた光が有機半導体層に至る経路に配置され、その有機半導体層の光吸収波長域のうちの少なくとも一部を含む波長域の光を吸収すると共にそれ以外の波長域の光を透過する光吸収透過層とを備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性（移動度、オフ電流、閾値電圧）及び信頼性（閾値電圧シフト、耐湿性）が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、Ｉｎ原子、Ｓｎ原子及びＺｎ原子を含む酸化物であり、かつ、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が２５原子％以上７５原子％以下であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が５０原子％未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタに含まれる不純物による汚染の問題を解決する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続されるソース電極及
びドレイン電極と、薄膜トランジスタ、ソース電極及びドレイン電極上の第１の絶縁膜と
、第１の絶縁膜上のカラーフィルタと、カラーフィルタ上の第２の絶縁膜と、第２の絶縁
膜上の画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコンを有し、カラーフィルタは第１の
開口部を有し、第２の絶縁膜は第２の開口部を有し、第２の開口部は第１の開口部の内側
に設けられ、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介してソース電極及びドレイ
ン電極の一方に電気的に接続され、カラーフィルタは、画素電極、ソース電極及びドレイ
ン電極に接触しない。 （もっと読む）

【課題】
製造プロセスのステップ数を少なくでき、素子の構造が簡単でコストを抑制することが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ１００は、主面を有する基材１１０と、前記基材１１０の前記主面に対する積層方向に配設される遮光層１１１と、前記積層方向からみて、前記遮光層１１１に含まれるように設けられる有機半導体層１５０と、前記有機半導体層１５０と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、前記積層方向からみて、前記有機半導体層１５０の外周において前記ソース電極１２０と前記ドレイン電極１３０と重畳しない溝部１６５が設けられたゲート絶縁層１６０と、前記積層方向からみて前記有機半導体層１５０を含むように、前記ゲート絶縁層１６０上及び前記溝部１６５に設けられるゲート電極１４０と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】紫外線の影響により特性が悪化することを防止することが可能である。
【解決手段】アクティブマトリクス表示装置は、波長２００ｎｍから３２０ｎｍにおける光線透過率が１０％以下であり、波長４５０ｎｍ、波長５４０ｎｍおよび波長６２０ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であるプラスチック基板２上に、酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）の混合物で、酸素（Ｏ）に対する窒素（Ｎ）の比（Ｎ数密度／Ｏ数密度）が０乃至２である非金属元素を含む半導体層７をチャネルに用いて形成した薄膜トランジスタ１を有する。また、波長２００ｎｍから３７０ｎｍにおける光線透過率が１０％以下である遮光層８を有し、波長４５０ｎｍ、波長５４０ｎｍおよび波長６２０ｎｍにおける光線透過率が８０％以上であるプラスチック基板２上に、酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）の混合物で酸素（Ｏ）に対する窒素（Ｎ）の比（Ｎ数密度／Ｏ数密度）が０乃至２である非金属元素を含む半導体層をチャネルに用いて形成した薄膜トランジスタ１を有する。 （もっと読む）

【課題】表示基板を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による表示基板は、絶縁基板上に形成されたゲート配線と、前記ゲート配線上に形成され、酸化物半導体を含む酸化物半導体パターンと、前記酸化物半導体パターン上に前記ゲート配線と交差するように形成されたデータ配線を含み、前記酸化物半導体パターンは第１酸化物および第３元素を含む第１酸化物半導体パターンおよび第２酸化物を含む第２酸化物半導体パターンを含む。 （もっと読む）

【課題】極めて簡単な構成にも拘わらず、半導体層への光照射を低減し、オフ電流の発生の抑制を図った薄膜トランジスタを具備する表示装置の提供。
【解決手段】画像表示部が形成された基板に薄膜トランジスタが形成された表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極を被って形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上であって前記ゲート電極に重畳して形成される半導体層と、
前記半導体層上に形成され互いに対向して配置された一対の電極と、
を備え、
前記半導体層は、平面的に観た場合、前記ゲート電極の形成領域内に配置され、前記ゲート電極側から、結晶性半導体層および非晶質半導体層の順次積層体から構成され、
前記ゲート電極は、少なくとも前記半導体層と対向する領域において、光透過率が０．３％以下となる膜厚で形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を形成する際に、ノジュールやアーキング等を発生しない酸化物焼結体を製造する方法、及びスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】少なくともインジウム化合物及び亜鉛化合物を含む原料を混合する工程（Ａ）と、
工程（Ａ）で得られる混合物を成形する工程（Ｂ）と、
工程（Ｂ）で得られる成形体を、８００℃以上１２００℃未満の温度帯域まで加熱した後、１時間以上保持する工程（Ｃ）と、
工程（Ｃ）後の成形体を１２００℃以上で焼結させる工程（Ｄ）を含む、酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成される不揮発性メモリ素子において、外部の光が電荷保持部に当ることにより、保持した電荷が、活性化し逃げることを防止することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上に不揮発性メモリ素子を備え、前記不揮発性メモリ素子が、電荷保持膜と、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にソースとドレインとを備える半導体層を備え、前記電荷保持膜が、少なくともその一部の上側と下側とに設けられた、上側遮光体及び下側遮光体の間に位置していることを特徴とする半導体記憶装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】バックライトを使用する液晶表示パネルにおいて、対向基板のブラックマトリク
スないしカラーフィルタからの反射光に起因するＴＦＴの光リーク電流を減少させてフリ
ッカを抑制するとともに良好なコントラストが得られる液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】マトリクス状に配列した走査線と信号線とで囲まれる各画素領域に画素電極
１６及び薄膜トランジスタＴＦＴを配置したアレイＡＲ基板と、ブラックマトリクスＢＭ
及びカラーフィルタ２６を備えたカラーフィルタ基板ＣＦとを有する液晶表示パネル１０
Ａにおいて、前記薄膜トランジスタＴＦＴの表面に絶縁膜２０を介して光吸収層３０を形
成したことを特徴とする。この光吸収層３０としては、各画素領域の画素電極が対向する
カラーフィルタの色とは異なる色のカラーフィルタ層３０_Ｒ、３０_Ｇ、３０_Ｂ又はアモル
ファスシリコン層とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 画素電極間からの侵入光が基板に到達するのを防止し、表示品質を向上させることが可能な反射型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 電極基板４に、第１誘電体部４７および第２誘電体部４８を形成する。これらの誘電体部における屈折率の差を利用し、画素電極４４間への侵入光Ｌ２を、第１誘電体部４７内に封じ込める。侵入光Ｌ２がＳｉ基板４１へ到達するのを防止し、Ｓｉ基板４１に対する侵入光Ｌ２の影響を除去することができる。よって、スイッチング素子４６の誤動作などを防ぎ、表示品質を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性を有する多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板１上に、非晶質シリコン膜２ａを形成する。その非晶質シリコン膜２ａ上にＷシリサイド膜（導電膜）４ｂを形成する。そして、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂに対し、高周波やＹＡＧレーザービームなどの電磁波を照射することにより、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂを発熱させ、この熱を利用して、非晶質シリコン膜２ａを多結晶シリコン膜２に変える。 （もっと読む）