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Fターム[5F110NN71]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | その他の構成要素 (47,691) | 他の素子との融合 (7,695)

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2,001 - 2,020 / 2,024


【課題】 キャパシタの静電容量を増加させて、有機エレクトロルミネセンス素子の開口率を増加させることのできる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ゲート電極及びキャパシタの誘電体膜に用いられるゲート絶縁膜の厚さを互いに異ならせて形成することで、静電容量の大きさを減少することなくキャパシタの表面積を減少させて、有機エレクトロルミネセンス素子の開口率を増加させることのできる技術である。 (もっと読む)


【課題】動作特性を損なうことなく短チャネル化及び微細化を行うことができる有機又は無機トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】有機トランジスタは、基板1の表面に形成された導電層2上の絶縁層3及びそれを含む内面に形成される。導電層2は、ソース又はドレイン電極6に接続される。ゲート電極4は、絶縁層3上にある多孔質金属膜内にあり、ゲート絶縁膜5は、ゲート電極4を覆うようにして形成される。有機半導体層7は、ソース又はドレイン電極6とドレイン又はソース電極8との間に挟まれ、有機トランジスタのチャネルは、有機半導体層7とゲート絶縁膜5との界面に垂直方向に形成される。 (もっと読む)


【課題】 環境温度が変化したり、経時変化が生じたりすると、輝度にバラツキが生じてしまう。本発明は、環境温度の変化と経時変化に起因した発光素子の電流値の変動による影響を抑制することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、環境温度の変化の補償機能と経時変化の補償機能を備えた表示装置である。本発明の表示装置は、発光素子と、発光素子に接続する駆動用トランジスタと、モニタ用発光素子とを備えている。このモニタ用発光素子を利用して、環境温度の変化と経時変化に起因した発光素子の電流値の変動による影響を抑制する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの表示装置を構成する配線等の構成物を、密着性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタ又は表示装置などを構成する構成物を、それらの被形成物表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質を添加(混入)して形成することによって、構成物と被形成物との密着性を向上させる。また、構成物上に形成される絶縁層において、構成物表面に生じる凹凸形状を十分に被覆し、かつ絶縁層として信頼性に足るように緻密化できるように、絶縁層を有機材料を含む第1の絶縁層と、無機材料を含む第2の絶縁層とを積層して形成する。 (もっと読む)


【課題】 ダイオードによるフォトセンサはその構造上リフレッシュができず、光が当たっていない時のリーク特性が不安定であるため、フォトセンサには不適当である。また、薄膜トランジスタのフォトセンサは、光量は非常に微小なものであり、フィードバックが困難となる問題があった。
【解決手段】 薄膜トランジスタのフォトセンサに、出力電流を電圧に変換する検出回路を付加する。これにより微小な電流をフィードバックが可能な所望の範囲の電圧に変換できる。また、回路を構成する抵抗、容量、フォトセンサの接続数を変動させることによりフォトセンサの感度を変化させることができる。 (もっと読む)


【課題】 しかし、薄膜トランジスタを有する表示装置では、同一対象物、例えば同一絶縁膜のエッチング条件を最適化することが難しかった。これは、同一絶縁膜において、エッチングする絶縁膜の膜厚や面積が異なるためである。特に面積の小さなコンタクトホールは、エッチングする量がその他の開口部と異なる。
【解決手段】 上記課題を鑑み本発明は、第1のマスクを用いて、第1の領域の対象物をエッチングして広面積な開口部を形成し、第2のマスクを用いて、第2の領域の前記対象物をエッチングして微細な開口部、つまりコンタクトホールを形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、低コストで大量生産が可能である半導体装置及びその作製方法を提供する。また、非常に膜厚の薄い集積回路を用いた半導体装置、及びその作製方法を提供する。更には、低消費電力である半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明は、絶縁表面上に半導体不揮発性記憶素子トランジスタを有し、メモリトランジスタのフローティングゲート電極が、複数の導電性粒子又は半導体粒子で形成されていることを特徴とする半導体装置である。 (もっと読む)


半導体デバイス構造(10)では、N及びPチャネルトランジスタキャリア移動度を別々に最適化するため、二つの半導体層(16、20)が使用される。これを決定する導電特性は、半導体の材料の種類、結晶面、配向性及び歪みの組み合わせである。シリコンゲルマニウムの半導体材料、圧縮性歪み、(100)の結晶面及び<100>の配向性を特徴とする導電特性の場合、Pチャネルトランジスタ(38)においてホール移動度が向上する。また、結晶面は(111)であってもよく、この場合、配向性は重要ではない。N型伝導に適した基板は、P型伝導に適した(又は最適)基板とは異なる。Nチャネルトランジスタ(40)は、好ましくは、引っ張り歪み、シリコン半導体材料及び(100)面を有する。別の半導体層(16、20)では、N及びPチャネルトランジスタ(38、40)はいずれもキャリア移動度に対し最適化される。
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【課題】 より高精細なパターンの形成が可能な、液滴吐出法を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】 パターンが形成されたモールドを絶縁膜に押し付けた状態で絶縁膜の硬化を行なった後、モールドを取り外すことで、絶縁膜に凹部を形成し、導電材料を有する液滴を吐出することにより、凹部に導電膜を形成し、導電膜を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に島状の半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 (もっと読む)


【課題】 アクティブマトリクス方式に代表される、トランジスタ4を駆動素子として用いる電流駆動方式の発光装置において、簡素な構成によって従来よりも発光効率を向上させる。
【解決手段】 発光素子2と、発光素子2を駆動する駆動回路3とを備える発光装置であって、駆動回路3中にトランジスタ4が介装されるとともに、トランジスタ4の電流経路に、発光素子2から発する光により電気抵抗が低下する物質を含有させる。 (もっと読む)


【課題】 ソース/ドレイン電極間の電気的疎通を円滑にすることが可能な,薄膜トランジスタ,その製造方法及び該薄膜トランジスタを備える平板ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る薄膜トランジスタは,基板110と,基板110上に形成されたゲート電極120と,ゲート電極120上に形成されるゲート絶縁層130と,ゲート電極120と絶縁されるようにゲート絶縁層130上に形成されるソース/ドレイン電極140a,140bと,ソース/ドレイン電極140a,140bと接するとともに,ゲート電極120と絶縁される有機半導体層150と,を含み,ソース/ドレイン電極140a,140bの少なくとも有機半導体層150と接する部分には酸化部140´a,140´bが設けられ,酸化部140´a,140´bを構成する物質は,有機半導体層150のHOMOエネルギー準位より大きい仕事関数を有する物質を含む。 (もっと読む)


SRAMメモリセルをFD-SOIトランジスタで構成し、駆動トランジスタを構成するSOIトランジスタの埋め込み酸化膜の下の層の電位を制御して、メモリセルの性能を向上させる。
【課題】
低電源電圧状態でのSRAM回路の性能を向上させる。
【解決手段】
FD-SOIトランジスタを用いて構成されたSRAMメモリセルにおいて、駆動トランジスタのBOX層下のウエル電位を制御することでVthを制御して電流を増加させて、メモリセルの安定動作を可能とする。 (もっと読む)


アクティブマトリックス型表示装置は共通基板(60)上に設けられた表示画素の配列を有する。各画素は、下部電極(74)及び実質的に透明な上部電極(80a)を有する上面放出型の電流駆動型発光表示素子(2)を有する。表示素子(2)の光出力を検出する光検出デバイス(27)が基板(60)と表示素子(2)との間に配置され、駆動トランジスタ(22)が光検出デバイス(27)の出力に応じて制御される。表示素子の下部電極(27)は、下部電極への入射光の最大で20%を透過させるために部分的に透過性であり、透過された光の少なくとも一部が下方の光検出デバイス(27)に導かれる。
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基板の支持表面上に形成された、横方向に隣接した導電性半導体領域により構成された横方向に延びているスタックを備える半導体デバイスおよびそのデバイスを作製する方法。
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本発明は、第1半導体域と第2半導体域との間に配置されたフィールド電極および/またはフィールド領域を備えた、SOI半導体素子に関するものである。電気的結合を、フィールド電極とフィールド領域との間で行うことができる。
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アクティブマトリクス表示装置は、蓄積キャパシタ(24;C)にトランジスタ駆動電圧を蓄える。光依存性デバイス(27)は、発光表示素子(2)の光出力に依存して蓄積キャパシタの放電を実行する。電力は、第1の電源ライン(26)から夫々の画素へ供給され、光依存性デバイス及び蓄積キャパシタのうちの1つは、可変な電圧が画素照射期間の間に供給される第2の電源ライン(50)へ結合される。電源ラインのうちの1つの電圧を変化させることによって、光フィードバックシステムによるキャパシタの放電特性は、光依存性デバイスの漏れ電流に対する補償を提供するよう変更される。
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非準静的MOS整流回路は、4つの有機PMOSトランジスタを用いるブリッジ整流構成と、差動入力信号を誘起するアンテナコイルと、整流出力信号をフィルタリングする出力キャパシタとを用いる。VSSもしくは接地接続トランジスタは、トランジスタチャネルのコイル側のゲート接続とダイオード接続する。VDD接続トランジスタは、コイルに接続された反対のVDD接続トランジスタソースに接続するゲートを有する。この構成は、全波整流をもたらす。ゲートは全てコイルに接続され、それにより無線周波数並列共振ネットワークのキャパシタンスの部分となる。トランジスタのゲートはそこで、無線周波数信号のレートで、コイル電圧に対して遅延なくスイッチされる。有機トランジスタの動作は、トランジスタの非準静的挙動に基づく。非準静的動作は、トランジスタのユニティゲイン帯域幅の準静的限界よりもとても高い周波数における整流をもたらす。 (もっと読む)


基板に支持され、ポリシリコンTFT(10)及びアモルファスシリコン薄膜PINダイオード(12)を含む回路を有するアクティブマトリックス型画素デバイス、例えばEL表示装置、が提供される。ポリシリコンアイランドが形成された後に、アモルファスシリコン層がPINダイオード用に堆積されることにより、アモルファスシリコンは高温処理にさらされなくなる。TFTはドープされたソース/ドレイン領域(16a、17a)を有し、その一方(17a)はまた、ダイオードにN型又はP型のドープ領域を提供する。有利なことに、フォトダイオードに別個のドープ領域を設けることが不要になり、処理コストが削減される。反対導電型にドープされたソース/ドレイン領域(16b、17b)を有する第2のTFT(10b)が、ダイオードに他方のドープ領域(16b)を提供し、真性領域(25)が2つのTFT間にそれぞれのポリシリコンアイランドの各々に重なるように横方向に配置される。
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本発明の薄膜トランジスタは、半導体層(14)と、前記半導体層に相互に対向するように分離して設けられたソース領域(15)とドレーン領域(16)とを有する薄膜トランジスタ(100)であって、前記半導体層はπ共役系有機半導体分子を主成分として有し、前記π共役系有機半導体分子が、π軌道が実質的に対向するように配向され、かつ主鎖の分子軸が前記半導体層に形成されるチャネルにおける電界の方向に対して傾斜して配向されている。 (もっと読む)


電界効果型装置はキャパシタのプレートをそれぞれ形成する複数のセグメントを有する少なくとも1つのセグメント化されたフィールド・プレートを含んでおり、選択されたセグメントを動的に接続してゲート−ドレイン間容量及びドレイン−ソース間容量を選択的に設定する電子素子に電界効果型装置が接続されている。トランスデューサを送信モードスイッチング装置と、受信モードスイッチング装置との間でスイッチングするスイッチング装置に結合されたトランスデューサを超音波装置が含んでおり、このスイッチング装置は電界効果型装置を含んでいる。
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