【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する電位保持機能の高い固体撮
像素子を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いて薄膜トランジスタのオフ電流を１×１０^−１３Ａ以
下とし、該薄膜トランジスタを固体撮像素子のリセットトランジスタ及び転送トランジス
タの両方に用いることで信号電荷蓄積部の電位が一定に保たれ、ダイナミックレンジを向
上させることができる。また、周辺回路に相補型金属酸化物半導体素子が作製可能なシリ
コン半導体を用いることで高速かつ低消費電力の半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】インバータ回路を構成する直列接続された素子を備えた半導体装置において、その直列接続の高電位配線の影響による耐圧低下が生じるのを防止する半導体装置の提供。
【解決手段】第１および第２の素子は、各々、電流のスイッチングを行うトランジスタと、還流を行うダイオードとを含み、かつ、トランジスタの第１主電極とダイオードの第１主電極が電気的に接続され、トランジスタの第２主電極とダイオードの第２主電極が電気的に接続され、第１の素子および第２の素子は、第１の素子におけるトランジスタの第１主電極と、第２の素子におけるトランジスタの第２主電極が電気的に接続され、かつ、半導体基板を平面視したときに、第１の素子におけるトランジスタの第１主電極とドリフト領域の間の導電性半導体領域と、第２の素子におけるトランジスタの第２主電極とドリフト領域の間の導電性半導体領域とが対向するように、配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 画素の容量値を調節することが可能で高いＳ／Ｎ比が得られる検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１００の上に配置されたトランジスタ１３０と、トランジスタ１３０の上に配置され、トランジスタ１３０と接続された変換素子１１０と、変換素子１１０と接続されたオーミックコンタクト部１５１と、オーミックコンタクト部１５１と接続された半導体部１５２と、絶縁層１０１を介して半導体部１５２及びオーミックコンタクト部１５１と対向して配置された導電体部１５４と、を基板１００と変換素子１１０との間に有して、トランジスタ１３０に対して変換素子１１０と並列に接続された容量素子１５０と、半導体部１５２にキャリアを蓄積させる第１電位と、半導体部１５２を空乏化させる第２電位と、を導電体部１５４に供給する電位供給手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】工程数が少なく、且つ、材料の利用効率が向上した駆動用回路基板およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本開示の表示装置は、一対のソース・ドレイン電極と、チャネル領域を形成すると共に、ソース・ドレイン電極に接して設けられた有機半導体層と、ソース・ドレイン電極まで貫通する貫通孔を有すると共に、有機半導体層およびソース・ドレイン電極上に設けられた少なくとも１層からなる絶縁層と、チャネル領域に対応する位置に設けられたゲート電極と、貫通孔を介して前記ソース・ドレイン電極に電気的に接続されると共に、ゲート電極と同一材料、且つ、同一膜厚で絶縁層上に設けられた画素用電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧の制御を行いながら、ゲート電極の電位は変動させず、バックゲート電極の電位のみを変動させることで、入力信号に応じた信号を出力することが可能な論理回路を有するシフトレジスタ回路を提供する。
【解決手段】同じ導電型の第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有する論理回路、を含むシフトレジスタ回路において、第１のトランジスタの第１のゲート電極を、第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極に接続し、第１のトランジスタの第２のゲート電極に入力信号を供給し、第２のトランジスタのゲート電極にクロック信号を供給し、第１のゲート電極と、ゲート電極とは、同じ層とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物の濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜における、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域において、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さく、少なくとも第１の領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い表示装置又は素子の面積の大きい半導体装置を提供することを課題
とする。
【解決手段】隣接する画素電極（又は素子の電極）の間に設けられた配線との下方にマル
チゲート構造のＴＦＴのチャネル形成領域を設ける。そして、複数のチャネル形成領域の
チャネル幅の方向を前記画素電極の形状における長尺方向と平行な方向とする。また、チ
ャネル幅の長さをチャネル長の長さよりも長くすることでチャネル形成領域の面積を大き
くする。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】開口部をシンプルにしてシュリンクの問題を解決する。
【解決手段】駆動トランジスタと、スイッチングトランジスタと、消去用トランジスタと、を画素内に有する３トランジスタ型の発光装置の場合において、スイッチング用ＴＦＴ５５０５と消去用ＴＦＴ５５０６の２つのＴＦＴを、第１のゲート信号線５５０２と第２のゲート信号線５５０３の間に配置する。このように配置することで開口率を上げ、開口部もシンプルな形状にすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】チップ面積を増大させずにスナップバック現象を抑制することのできる、ＩＧＢＴと他の半導体素子とが一体化して配置された半導体装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴとドリフト層を有する他の半導体素子とを備えた半導体装置であって、ＩＧＢＴのドリフト層と他の半導体素子のドリフト層とが互いに接しており、ＩＧＢＴのエミッタ層と他の半導体素子のドリフト電界を発生させる電圧が印加される一方の極性層とが互いに導電的に接続されており、ＩＧＢＴのコレクタ層と他の半導体素子の他方の極性層とが互いに導電的に接続されており、ＩＧＢＴのドリフト層の他の半導体素子のドリフト層との境界から離れた領域に絶縁層を介して対向する領域をドリフト方向に沿って延伸し、Ｎチャネル型ＩＧＢＴではコレクタ側からエミッタ側に向けて電流が流され、Ｐチャネル型ＩＧＢＴではエミッタ側からコレクタ側に向けて電流が流される配線部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光素子の劣化を極力抑えるための構造を提供すると共に、各画素に必要とされ
る容量素子（コンデンサ）を十分に確保するための構造を提供する。
【解決手段】トランジスタ上に、第１パッシベーション膜、第２の金属層、平坦化膜、バ
リア膜及び第３の金属層の順に積層され、平坦化膜に設けられた第１開口部の側面がバリ
ア膜に覆われ、第１開口部の内側に第２開口部を有し、かつ、第３の金属層は前記第１開
口部及び第２開口部を介して前記半導体に接続され、トランジスタの半導体、ゲート絶縁
膜、ゲート電極、第１パッシベーション膜及び前記第２の金属層で積層形成された容量素
子を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動作不良を抑制する。
【解決手段】電界効果トランジスタと、スイッチと、容量素子と、を設ける。電界効果トランジスタは、チャネル形成領域を介して互いに重畳する第１のゲート及び第２のゲートを有し、第２のゲートの電位に応じて閾値電圧の値が変化する。スイッチは、電界効果トランジスタのソース及びドレインの一方と、電界効果トランジスタにおける第２のゲートと、を導通状態にするか否かを制御する機能を有する。容量素子は、電界効果トランジスタにおける第２のゲートと電界効果トランジスタにおけるソース及びドレインの他方との間の電圧を保持する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定的に電子素子部を形成可能な電磁波剥離性フレキシブルデバイス用基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、可撓性を有する金属基材と、上記金属基材の少なくとも一方の表面上に形成された絶縁層と、上記金属基材の他方の表面上に形成され、電磁波剥離性を有する電磁波剥離性粘着樹脂を含む電磁波剥離性粘着層と、を有することを特徴とする電磁波剥離性フレキシブルデバイス用基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧の能動素子を含む回路と低電圧で動作するロジック回路とが同一基板上に混載された半導体装置を低コストで実現する。
【解決手段】半導体装置が、ロジック回路５０と、能動素子回路とを具備している。ロジック回路５０は、半導体基板１に形成された半導体素子２を備えている。該能動素子回路は、半導体基板１の上方に形成された拡散絶縁膜７−１の上に形成された半導体層８−１、８−２を用いて形成されたトランジスタ２１−１、２１−２を備えている。この能動素子回路がロジック回路５０により制御される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層のバックチャネル部を半導体層成膜後の薄膜トランジスタ作製工程によるダメージから保護し、良好なトランジスタ特性を得ると共に、薄膜トランジスタ作製の工程数を削減することである。
【解決手段】基板１と、基板１上に設けられたゲート電極２と、基板１上に設けられ、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上に設けられ、アモルファス酸化物からなる半導体層４と、半導体層４上に設けられた保護膜５と、ゲート絶縁膜３上に設けられたソース電極６、及びドレイン電極７と、を備え、保護膜５を、金属材料の化成処理、又は陽極酸化によって形成する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードとトランジスタとが絶縁膜を介して同一の半導体基板に形成された半導体装置の、フォトダイオードを形成する半導体層と絶縁膜との界面のリーク電流を小さくする。
【解決手段】一導電型の半導体層１１と、半導体層の主面１５１に設けられた反対導電型の半導体領域１８２と、半導体層１１の主面１５１に半導体領域１８２と離間して設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度の半導体領域１９１、１９２と、少なくとも半導体領域１８２と半導体領域と１９１、１９２の間の半導体層１１の主面１５１に設けられた一導電型で半導体層１１より高不純物濃度で半導体領域１９１、１９２よりも低不純物濃度の半導体領域９９と、を備えるフォトダイオード３０と、半導体層１１の主面１５１上に設けられた絶縁層１０と、絶縁層１０上に設けられ、トランジスタ素子４０が形成された半導体層９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】メモリの大容量化と図りつつ、消費電力を軽減でき、且つ、消費電力を一定にす
る。
【解決手段】メモリを、複数のメモリブロックを対称に配置して構成する。また、メモリ
に供給されるアドレス信号のうち、特定の信号の組み合わせにより、データ読み出しまた
は書き込みの対象となるメモリセルを含むメモリブロックを一意に特定する。さらに、当
該メモリブロック以外のメモリブロックに供給される信号を一定値に保つ。このようにす
ることで、メモリアレイにおけるビット線の配線長を短縮し、負荷容量を軽減すると同時
に、メモリ内のあらゆるアドレスのメモリセルに対するデータ読み出しもしくは書き込み
において、消費電流を一定にできる。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ材料をはじめとした薄膜の特性を劣化させることなく、大型化かつ高精度の微細パターニングを可能とする転写用ドナー基板を提供すること。
【解決手段】支持体と、前記支持体上に光熱変換層を有する転写用ドナー基板であって、前記支持体の前記光熱変換層形成面側に溝を備えることを特徴とする転写用ドナー基板。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの特性ばらつきに起因する、画素間における発光素子の輝度のばらつきを低減し、信頼性が高く、画質の優れた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子に接続するＴＦＴを複数個、少なくとも２つ設け、それぞれのＴＦＴの活性層を形成する半導体領域の結晶性を異ならせるものである。
当該半導体領域は、非晶質半導体膜をレーザーアニールにより結晶化させたものが適用されるが、結晶性を異ならせるために、連続発振レーザービームの走査方向を変えて、結晶成長の方向を互いに異ならせる方法を適用する。或いは、連続発振レーザービームの走査方向は同じとしても、個々の半導体領域間でＴＦＴのチャネル長方向を変えて、結晶の成長方向と電流の流れる方向を異ならせる方法を適用する。 （もっと読む）