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Fターム[5F110NN71]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | その他の構成要素 (47,691) | 他の素子との融合 (7,695)

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【課題】複雑な作製工程を必要とせず、消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた信号処理回路を提供する。
【解決手段】インバータまたはクロックドインバータなどの、入力された信号の位相を反転させて出力する位相反転素子を用いた記憶素子内に、データを保持するための容量素子と、当該容量素子における電荷の蓄積および放出を制御するスイッチング素子とを設ける。上記スイッチング素子には、アモルファスシリコン、ポリシリコン、微結晶シリコン、あるいは酸化物半導体等の化合物半導体をチャネル形成領域に含み、そのチャネル長が最小加工線幅の10倍以上あるいは、1μm以上であるトランジスタを用いる。上記記憶素子を、信号処理回路が有する、レジスタやキャッシュメモリなどの記憶装置に用いる。 (もっと読む)


【課題】低コスト化を図ることができるとともに、動作速度の向上を図ることができるフォトセンサを実現する。
【解決手段】複数の光電変換素子群201は行方向(X方向)に配置され、1つの光電変換素子群201は、行方向に対して略直交する列方向(Y方向)に並べられた3つのフォトダイオードPD1〜PD3を含む。さらに、各フォトダイオードから信号を読み出すための転送トランジスタ(Tr1〜Tr3)が設けられる。同一行に属する転送トランジスタのゲート電極(2241,2242,2243)は一体的に形成される。さらに、ソース電極223とゲート電極との重なり部分の面積は、ドレイン電極222とゲート電極との重なり部分の面積よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を有する有機トランジスタを、インクジェット法により製造する。
【解決手段】有機半導体層7は、インクジェット法によって、有機半導体材料を溶媒に溶解した有機半導体溶液を塗布して形成され、塗布された有機半導体溶液の縁部71が、ソース電極5とドレイン電極6間に配置されるように、ソース電極5とドレイン電極6間のちょうど中間位置よりずらした位置に、塗布領域の中心が位置するように、有機半導体溶液を塗布することを特徴とする。また、ソース電極5が配置されている位置、又はドレイン電極6が配置されている真上に、塗布領域の中心が位置するように、有機半導体溶液を塗布する。 (もっと読む)


【課題】配線にCuを用いる配線の電気抵抗値とTFTの電気特性値を均一にするアクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板およびTFTを有する表示装置の製造方法であって、TFTは、電極および電極近接層を有し、電極は、銅および銅以外の添加元素を含み、以下の工程を含む表示装置の製造方法(A)基板の上に電極および電極近接層が形成される工程、(B)電極または電極近接層がオゾン水で洗浄される工程、(C)前記(B)の工程後の熱処理により、電極と電極近接層との界面に、酸素を含む酸化物膜が形成される工程。 (もっと読む)


【課題】低いエネルギー付与でπ電子共役化合物を得る製造方法、及びこの技術を利用し、難溶性π電子共役系化合物の連続した薄膜の効率的な製造方法を提供する。更に該薄膜の有機電子デバイスへ応用する。
【解決手段】π電子共役系化合物前駆体(I)を含む溶媒の塗工液を基材に塗布して形成された塗工膜より、式(II)で示される脱離性置換基を脱離させ(Ia)で示されるπ電子共役系化合物を含有する膜状体を生成することを特徴とする膜状体の製造方法。


[式(I)、(Ia)、(II)中、XおよびYは水素原子もしくは脱離性置換基を表す。Q乃至Qはそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子または、1価の有機基であり、QとQは水素原子、ハロゲン原子または、前記脱離性置換基以外の一価の有機基である。Q乃至Qは隣り合った基同士でそれぞれ結合して環を形成していてもよい。] (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、ゲート電極を形成後、インライン装置にて、酸化アルミニウム膜と酸化シリコン膜と酸化物半導体膜を大気暴露することなく連続的に形成し、さらに同インライン装置にて加熱および酸素添加処理を行い、他の酸化アルミニウム膜でトランジスタを覆った後、熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、且つ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験(BT)試験前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 (もっと読む)


【課題】高い精度で効率良く有機半導体をパターニングすることができる有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体層形成用溶液に対して撥液性がある撥液部2を有する基体1と、前記基体1上に形成されたソース電極3及びドレイン電極4と、前記基体1の撥液部2の一部上に形成された遮蔽層5とを有し、前記ソース電極3及び前記ドレイン電極4に金もしくは/及び白金、又は酸化還元電位が銀以下の金属が含まれている有機半導体素子用基板6上に紫外線又は含酸素プラズマを前記有機半導体素子用基板6に照射して、前記有機半導体層形成用溶液に対して親液性がある親液部7に変性する有機半導体素子用基板6の形成工程と、有機半導体層8の形成工程と、前記ソース電極3及び前記ドレイン電極4に酸化還元電位が銀以下の金属が含まれている場合は還元工程と、を有する有機半導体素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく
作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層、ソース領域及びドレイン領域を酸化物半
導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層
の純度を高め、不純物である水分などを低減する加熱処理(脱水化または脱水素化のため
の加熱処理)を行う。 (もっと読む)


【課題】高い精度で効率良くパターニングすることができる有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体層形成用溶液に対して撥液性がある撥液部2を有する基体1を準備する第1工程、前記基体1の撥液部2上に遮蔽層5を形成する第2工程、前記基体1の撥液部2の一部を前記有機半導体層形成用溶液に対して親液性がある親液部7に変性する第3工程、及び、前記第1工程、前記第2工程、または前記第3工程の後に行い、前記基体1上にソース電極3及びドレイン電極4を形成する第4工程を有する有機半導体素子用基板6の形成工程と、有機半導体層8を親液部7上に形成する有機半導体層8の形成工程と、を有する有機半導体素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、少なくとも酸化物半導体膜中に希ガスイオンを注入する注入工程を行い、減圧下、窒素雰囲気下、又は希ガス雰囲気下において、希ガスイオンを注入した酸化物半導体膜に加熱工程を行って希ガスイオンを注入した酸化物半導体膜中に含まれる水素若しくは水を放出させ、酸化物半導体膜を高純度化する。 (もっと読む)


【課題】微細な配線パターンを備えた発光装置の作製方法の提供。
【解決手段】Inと、Gaと、Znとを有する酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に第1の導体パターンを形成し、第1の導体パターンより微細な第2の導体パターンを形成し、前記第2の導体パターンと電気的に接続する発光素子を形成する発光装置の作製方法であって、第2の導体パターンは、酸化物半導体層を横断する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、開口率を大きくする必要がなく、印刷に適し、複数画素を用いずに面積階調できる薄膜トランジスタアレイ、表示装置、および薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】画素の有効領域の幅をA、画素の有効領域のネガパターンの幅をBとしたとき、幅Bが幅Aよりも大きな薄膜トランジスタとする。あるいは、対向電極と画素電極の距離をCとしたとき、距離Cが幅Bの4分の1以上B以下である表示装置とする。 (もっと読む)


【課題】フレキシブルデバイス用基板であって、膜厚を非常に薄くしても断線等による電気的性質の低下が抑えられ、それにより歩留まりの向上した基板を提供する。
【解決手段】基材2と、前記基材2上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層3とを有し、該平坦化層3表面の測定領域10μm角での表面粗さRaが5nm以下であり、かつ該平坦化層3表面の測定領域1μm角での表面粗さRaが5nm以下であるフレキシブルデバイス用基板1。ポリイミドの数平均分子量が2,000〜1,000,000であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】長期に亘って信頼性の高い横型MISFETを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置1は、半導体基板11上に形成された半導体層13と、半導体層13に溝状に形成され、その内壁が絶縁膜31で被覆され、絶縁膜31の内部にゲート電極32が埋設されたトレンチ溝30と、半導体層13上に、トレンチ溝30と少なくとも一部が対向配置する位置に形成されたゲート配線51と、ゲート配線51を挟むように半導体層13上に形成されたソース電極52、及びドレイン電極53とを具備する。半導体層13におけるオン動作時の電流経路は、ソース電極52とドレイン電極53の間の半導体層13の表面領域を実質的に経由せず、上記トレンチ溝30の側面近傍を経由する。 (もっと読む)


【課題】画質劣化を抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】有機EL表示装置1は、駆動側基板10上に、有機EL素子10Aと、トランジスタ10Bと、映像信号に対応する電荷を保持する保持容量素子10Cとを備えたものである。保持容量素子10Cは、酸化物半導体よりなる半導体層11上に絶縁膜12Bを介して導電膜13Bを有し、かつ半導体層11上の選択的な領域に、導電膜13Bおよび絶縁膜12Bのうちの少なくとも一部が除去されてなる凹部を有している。保持容量素子10Cでは、そのような凹部を通じて、半導体層11の酸化物半導体から酸素が離脱し易くなり、これにより、印加電圧に依存する容量変動が抑制される。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜に直接ストライプ状に凹部を形成することで隔壁形成プロセスを省き、前記凹部をガイドとして塗布法により精度よく半導体溶液を所望の場所に形成し、トランジスタ素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタの構造を提供する。また、その構造を用いた薄膜トランジスタの製造方法、及びそれを用いたが画像表示装置を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記基板上及び前記ゲート電極上のゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層に形成された凹部と、前記絶縁体層の凹部内に形成される半導体層と、前記半導体層上の中央部に設けられる保護膜と、前記半導体層の両端部で接続されるソース電極とドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁体層の凹部がストライプ状に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタとする。 (もっと読む)


【課題】TFTの特性劣化を抑制しつつクロス容量を低下することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上にゲート電極12および第1配線層21を形成したのち、全面にゲート絶縁膜13を形成する。次に、ゲート絶縁膜13上に半導体層14Aを形成したのち、半導体層14A上に第1保護膜15を形成する。第1配線層に対向する領域の半導体層14および第1保護膜15の除去およびその他の領域をエッチングにより加工する。次いで、全面に第2保護膜23を形成および加工したのち、ソース・ドレイン電極17および第2配線層24を形成する。これにより、チャネル層14表面の損傷が防止されると共に、配線部20のクロス容量が低減される。 (もっと読む)


【課題】入力電源電圧の動作保証範囲が大きいとしても当該電圧変動の影響を抑制して正常に過電流保護を図るようにした過電流保護回路を提供する。
【解決手段】支持基板10が第1半導体層11および第2半導体層12を絶縁層13で挟んで構成されている。第1半導体層11上には絶縁膜14を介してフィールドプレート抵抗膜20が形成されている。可変電流源ISが、ゲート電極19からドレイン電極17にかけて絶縁膜14上に沿って形成されたフィールドプレート抵抗膜20(フィールドプレート抵抗R1およびR2)に生じるノードN1の電圧に応じて出力電流値を変更してセンス抵抗Rsの検出電圧V2を補正する。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜に形成されるヴィアホールの直径を縮小化することが可能で、高密度化に寄与することのできる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、基板10上に第1導電体を形成する第1導電体形成工程と、第1導電体を被覆する様にゲート絶縁膜21を成膜する第1絶縁膜成膜工程と、第1導電体上のゲート絶縁膜21に貫通孔32を開口して、当該貫通孔32を介して第1導電体の表面および基板の表面を部分的に露出させる貫通孔形成工程と、貫通孔32内に露出する第1導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、貫通孔32内に露出する第1導電体以外の領域に第2絶縁膜を形成する第2絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Alを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、10nm以上100nm以下である。 (もっと読む)


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