【課題】プラズマによる影響が抑制できる範囲でより迅速にゲート絶縁膜が形成できる下層絶縁層の膜厚条件を提案する。
【解決手段】ソース領域１０６の上及びここからドレイン領域１０７の上の領域にかけて、膜厚５０ｎｍ程度のアモルファスシリコン膜を形成し、これを結晶化させ、この後、原子層成長方法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＡＬＤ）により膜厚１〜７ｎｍ程度に酸化シリコンを堆積することで、下層絶縁膜１０９が形成された状態とする。この後、プラズマＣＶＤ法で、上層絶縁層１１０が形成された状態とする。 （もっと読む）