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Fターム[5F110PP23]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | 再結晶化 (11,370) | 成長方向 (496) | 基板に対し平行 (427)

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【課題】結晶異方性を有する領域と結晶異方性を有さない領域とを含む結晶化半導体膜を用いて薄膜トランジスタの集積化を容易に行なうことができる半導体素子基板の製造方法および半導体素子基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に成膜した非晶質半導体膜56の下方に加熱促進層30を形成した領域と、加熱促進層30を形成しない領域とを設け、非晶質半導体膜56にレーザビーム18を照射する。このとき、加熱促進層30によってレーザビーム18が反射または吸収されることにより、非晶質半導体膜56は裏面側からも結晶化が促進される。これにより、加熱促進層30が形成された領域には結晶の配向が揃った第1の結晶性半導体膜54が形成され、形成されない領域には結晶の配向がランダムな第2の結晶性半導体膜55が形成される。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタアレイ基板、有機発光表示装置、及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上に配置され、活性層212、ゲート電極214、ソース電極218a、ドレイン電極218b、活性層とゲート電極との間に配置された第1絶縁層13、及びゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間に配置された第2絶縁層15を含む薄膜トランジスタと、第1絶縁層及び第2絶縁層上に配置され、ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結される画素電極117と、ゲート電極と同一層で形成された下部電極314及び画素電極と同一材料を含む上部電極317を含むキャパシタと、第2絶縁層と画素電極との間及び下部電極と上部電極との間に直接配置された第3絶縁層116と、ソース電極、ドレイン電極及び上部電極を覆って画素電極を露出させる第4絶縁層19と、を含む薄膜トランジスタアレイ基板。 (もっと読む)


【課題】緻密で高耐圧な絶縁膜を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に半導体膜を有し、半導体膜上に第1の絶縁膜を有し、第1の絶縁膜上に導電膜を有し、導電膜上に第2の絶縁膜を有し、第1の絶縁膜は、第2の絶縁膜よりも緻密であり、第1の絶縁膜は、珪素と、酸素と、窒素とを有する。第1の絶縁膜は、希ガスを有し、その膜厚は、1nm以上100nm以下である。このような第1の絶縁膜はゲート絶縁膜として機能させる。 (もっと読む)


【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生
産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向か
って結晶成長する第1の酸化物結晶部材を形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化
物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第1の酸化物結晶部
材と第2の酸化物結晶部材がc軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の
同軸(アキシャル)成長をさせていることである。 (もっと読む)


【課題】ポリシリコン活性層を含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】前記製造方法は、基板にアモルファスシリコン層を堆積するとともに、前記アモルファスシリコン層に対してパターニングを行うことで、ソース領域とドレイン領域とチャンネル領域とを含む活性層を形成するステップと、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に誘起金属を堆積するステップと、前記誘起金属が堆積された前記活性層に対して第1の熱処理を行い、前記活性層が前記誘起金属の作用によって結晶化されるステップと、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に、前記誘起金属を集めるための第1の不純物をドープするステップと、ドープされた前記活性層に対して第2の熱処理を行い、前記第1の不純物が前記チャンネル領域に残された誘起金属に対して吸収するステップと、を備える。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、新規な半導体シリコン膜及びそのような半導体シリコン膜を有する半導体デバイス、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体シリコン膜(160)は、複数の細長シリコン粒子(22)が短軸方向に隣接してなる半導体シリコン膜である。ここでは、細長シリコン粒子(22)は、複数のシリコン粒子の焼結体である。また、このような半導体シリコン膜(160)を製造する本発明の方法は、第1のシリコン粒子分散体を、基材(100)上に塗布し、乾燥し、光(200)を照射して、第1の半導体シリコン膜(130)を形成する工程、第2のシリコン粒子分散体を、第1の半導体シリコン膜(130)に塗布し、乾燥し、光(200)を照射する工程を含む。ここで、この方法では、第1のシリコン粒子分散体の第1のシリコン粒子の分散が5nm以上である。 (もっと読む)


【課題】側壁スペーサを形成することなく、且つ、工程数を増やすことなく、自己整合的にLDD領域を少なくとも一つ備えたTFTを提供する。また、同一基板上に、工程数を増やすことなく、様々なTFT、例えば、チャネル形成領域の片側にLDD領域を有するTFTと、チャネル形成領域の両側にLDD領域を有するTFTとを形成する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にLDD領域を形成する。 (もっと読む)


【課題】動作性能および信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1のチャネル形成領域713と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第1のゲート電極とを備えた第1のTFTと、第2のチャネル形成領域714と、第2のソース領域及び第2のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第2のゲート電極とを備えた第2のTFTと、第1のTFT及び第2のTFT上に設けられた第1の絶縁膜664と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域の一方と接続されたソース配線668と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域の他方と接続し、且つ第2のゲート電極に接続された第1のドレイン配線と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の一方に接続された第2のドレイン配線672と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 (もっと読む)


【課題】低コストで高スループットなプリント技術を使用した不揮発性メモリセルを提供する。
【解決手段】同一水平レベルにおいて所定の距離で離間している第1及び第2の半導体アイランドであって、第1の半導体アイランド2が制御ゲートを構成し、第2の半導体アイランド3がソース端子及びドレイン端子を構成する、当該第1及び第2の半導体アイランドと、第1の半導体アイランド2の少なくとも一部の上のゲート誘電体層4と、第2半導体アイランドの少なくとも一部の上のトンネリング誘電体層5と、ゲート誘電体層4とトンネリング誘電体層5の少なくとも一部の上のフローティングゲート7と、制御ゲート2並びにソース端子及びドレイン端子に電気的に接触する金属層と、を備える。一つの効果的な実施形態では、不揮発性メモリセルを、「全プリント」加工技術を使用して製造することができる。 (もっと読む)


【課題】動作性能および信頼性の高いEL表示装置を提供する。
【解決手段】第1のチャネル形成領域と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第1のゲート電極とを備えた第1のTFTと、第2のチャネル形成領域と、第2のソース領域及び第2のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第2のゲート電極とを備えた第2のTFTと、第1のTFT及び第2のTFT上に設けられた第1の絶縁膜と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域の他方と接続し、且つ第2のゲート電極に接続された第1のドレイン配線と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の一方に接続された第2のドレイン配線と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 (もっと読む)


【課題】光学調整に困難を伴うことなく、3以上のレーザビームを照射面にて合成し、高出力で生産性を向上させることができるレーザを照射する技術の提供。
【解決手段】その技術は、波長の互いに異なるレーザ発振器とダイクロイックミラー、又はそれに加えて偏光子を用いてレーザビームを合成し、高出力で生産性を向上させレーザを照射するものであり、例えばレーザ発振器から射出されたレーザ光1をダイクロイックミラー1を通過させ、レーザ光1とは波長の異なるレーザ発振器から射出されたレーザ光2をダイクロイックミラー1で反射させてレーザ光を合成し、合成されたレーザ光を照射レーザ光とし、照射レーザ光を照射面上に投影するものである。 (もっと読む)


【課題】画素電極上に金属膜を形成して積層構造とする際に、1つのレジストマスクを用
いて、画素電極及び金属膜を形成することを課題とする。
【解決手段】画素電極となる導電膜と金属膜を積層させる。金属膜上に半透部を有する露
光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパ
ターンを形成する。レジストパターンを用いて画素電極と、画素電極上の一部に接する金
属膜を形成する。以上により、1つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形
成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能な不揮発性メモリを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板901上に画素と不揮発性メモリとを備え、不揮発性メモリは、基板901上に形成される半導体活性層と、半導体活性層上に形成される絶縁膜923と、絶縁膜923上に形成されるフローティングゲイト電極907と、フローティングゲイト電極907を酸化して得られる酸化膜908,915,922と、酸化膜908,915,922に接して形成されるコントロールゲイト電極929と、を備え、画素と不揮発性メモリとは、基板901上に一体形成される。 (もっと読む)


【課題】レーザ光のエネルギー強度の弱い部分を遮断し、かつ光の回折による縞を発生させることなく、線状レーザ光を照射面に照射することができる、照射面上に均一強度の線状ビームを照射するレーザアニール方法及びレーザアニール装置の提供。
【解決手段】レーザ発振器101から射出されたレーザ光をスリット102を通過させて強度の弱い部分を遮断し、ミラー103で偏向させ、スリットにできた像を凸型シリンドリカルレンズ104によって照射面106に投影して照射面上に均一強度の線状ビームを照射することでレーザアニールを行う。 (もっと読む)


【課題】非晶質上に低コストで高性能な半導体装置を形成する技術を提供する。
【解決手段】GeがSi濃度よりも高濃度に含まれた疑似Ge領域(2)を含有し、該領域のGe濃度は初期SiGe薄膜中のGe濃度よりも高濃度であり、リボン形状をした結晶粒(1)は、互いに平行で且つ直線状に配置している疑似Ge領域(2)に挟まれる構造を有し、結晶粒(1)内においてGe濃度はSi濃度よりも低濃度であり、且つ結晶粒(1)内のGe濃度は初期SiGe薄膜中のGe濃度よりも低濃度であり、さらに各々の結晶粒(1)は相互に同一の方位を有する結晶粒から成っていることを特徴とする非晶質上の半導体薄膜からなる半導体装置。 (もっと読む)


【課題】10μmを超える長さをもつ直線状の結晶粒が整列した、結晶方位がほぼ2軸揃った結晶粒からなる半導体薄膜を形成し、高移動度でかつ特性の均一な半導体デバイスを提供することができる半導体薄膜の製造方法、半導体デバイスおよび半導体薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】連続発振レーザー結晶化において、回折型レーザビームホモジナイザを用いることで、レーザースポットを直線状・矩形状にし、長い方向にほぼ均一なレーザー強度分布を形成する。このレーザースポットを、レーザースポットの短い方向に適切な間隔をおいて、2段以上並べる。この多段レーザースポットを、シリコン薄膜上に照射し、レーザースポットの短い方向に走査させて、シリコン薄膜を横方向結晶化(ラテラル結晶化)を行うことで、結晶方位がほぼ2軸揃った結晶粒からなる多結晶シリコン薄膜の形成を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】基板裏面からの二次ビームを原因とする干渉の影響を抑え、被照射物を均一にレーザアニールすることができ、且つスループットが良好である半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された半導体膜に、少なくとも1つのガルバノミラーとfθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、前記基板の屈折率をn、前記基板の厚さをd(メートル)、真空中の光速をc(メートル/秒)とした場合に、前記レーザビームのパルス幅であるt(秒)を、t<2nd/cという式により算出し、前記レーザビームのパルス幅を前記算出したtの範囲から選択して、前記レーザビームを照射する。 (もっと読む)


【課題】不完全結晶成長領域を含まない多結晶シリコンでゲート電極または遮光部材のような金属パターン上に位置する半導体層を形成することにより、駆動特性及び信頼性を向上させる薄膜トランジスタ、その製造方法、及びこれを含む表示装置を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンで形成された半導体層142を含む薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層と基板110との間に前記半導体層と絶縁するように位置する金属パターンをさらに含み、前記半導体層の多結晶シリコンは、結晶成長方向と平行な結晶粒界を含み、表面における波状線の最大ピークと最小ピークとの間の距離として定義される表面粗度が15nm以下である。 (もっと読む)


【課題】本発明は非晶質シリコン膜の結晶化方法、またこれを適用した薄膜トランジスタの製造方法およびこれによって製造された薄膜トランジスタに関する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る結晶化方法は、非晶質シリコン膜を形成する段階と、非晶質シリコン膜上に互いに離隔するように結晶化触媒粒子を位置させる段階と、非晶質シリコン膜で結晶化触媒粒子を選択的に除去する段階と、非晶質シリコン膜を熱処理によって結晶化する段階とを含む。 (もっと読む)


【課題】結晶粒界の方向とチャネル領域の方向とが直交しているトランジスタの性能を向上させるとともに、各トランジスタの特性のバラツキを少なくする。
【解決手段】本発明の結晶性半導体膜の形成方法は、基板11上にアモルファスシリコン膜(非晶質半導体膜)12を形成する工程と、第1のレーザ光20aおよび基板11のうちの少なくとも一方を移動させながら、アモルファスシリコン膜12に対して第1のレーザ光20aを照射し、その移動方向に沿って半導体膜の結晶を成長させてアモルファスシリコン膜12から多結晶シリコン膜(結晶性半導体膜)13を得る工程と、多結晶シリコン膜13に対して、第1のレーザ光20aよりもエネルギー量の小さい第2のレーザ光30aを照射して、半導体膜の厚さ方向に対して結晶を成長させて、再結晶化後の多結晶シリコン膜(結晶性半導体膜)14を得る工程と、を含む。 (もっと読む)


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