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半導体装置
【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第1のゲート絶縁膜及び第2のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第1のゲート絶縁膜と第2のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、5×1018atoms/cm3以下(好ましくは1×1018atoms/cm3以下)とする。
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半導体装置の作製方法
【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】GRTA装置を用いて、第1の酸化物半導体膜に熱を加え、熱が加えられた第1の酸化物半導体膜に、酸素を添加して第2の酸化物半導体膜とし、GRTA装置を用いて、酸素が添加された第2の酸化物半導体膜に熱を加える。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置であって、当該GRTA装置を用いると短時間での高温加熱処理が可能となる。
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半導体装置の作製方法
【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第1の酸化物部材を形成し、第1の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第1の酸化物結晶部材を
形成し、第1の酸化物結晶部材上に第2の酸化物部材を形成し、第2の加熱処理を行って
第1の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第2の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。
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半導体装置
【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する電位保持機能の高い固体撮
像素子を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いて薄膜トランジスタのオフ電流を1×10−13A以
下とし、該薄膜トランジスタを固体撮像素子のリセットトランジスタ及び転送トランジス
タの両方に用いることで信号電荷蓄積部の電位が一定に保たれ、ダイナミックレンジを向
上させることができる。また、周辺回路に相補型金属酸化物半導体素子が作製可能なシリ
コン半導体を用いることで高速かつ低消費電力の半導体装置を作製することができる。
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装置の作製方法
【課題】剥離前の形状及び特性を保った良好な状態で転置工程を行えるような、剥離工程
を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の
半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技
術を提供することも目的とする。
【解決手段】透光性を有する第1の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、
光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第1の基板を通過させて、光
触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第1の基板より剥離する。
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半導体装置
【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。
【解決手段】薄膜トランジスタ119と、薄膜トランジスタ上に第1の層間絶縁膜156と、第1の層間絶縁膜上の、ソース領域またはドレイン領域の一方に電気的に接続される第1の電極114と、ソース領域またはドレイン領域の他方に電気的に接続される第2の電極110と、第1の層間絶縁膜、第1の電極、及び第2の電極上に形成された第2の層間絶縁膜135と、第2の層間絶縁膜上の、第1の電極または第2の電極の一方に電気的に接続される第1の配線177と、第2の層間絶縁膜上の、第1の電極または第2の電極の他方に電気的に接続されない第2の配線178とを有し、第2の配線と前記第1の電極または第2の電極の他方は、第2の層間絶縁膜中の分断領域169によって、電気的に接続されない半導体装置及びその作製方法に関するものである。
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半導体装置及び半導体装置の作製方法
【課題】微細化を実現し、トランジスタとして十分に機能できる電気的特性を付与された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、該半導体層としてインジウム、ガリウム、亜鉛、及び酸素の4元素を少なくとも含み、該4元素の組成を原子百分率で表したとき、インジウムの割合が、ガリウムの割合及び亜鉛の割合の2倍以上である酸化物半導体膜を用いる。該半導体装置において、酸化物半導体膜は作製工程において酸素が導入され、酸素を多く(過剰に)含む膜であり、トランジスタを覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁層が設けられる。
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表示装置
【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】表示部に複数の画素を有し、複数のフレーム期間で表示を行う液晶表示装置であって、フレーム期間は、書き込み期間及び保持期間を有し、書き込み期間において、複数の画素のそれぞれに、画像信号を入力した後、保持期間において、複数の画素が有するトランジスタをオフ状態にして、少なくとも30秒間、画像信号を保持させる。画素は、酸化物半導体層でなる半導体層を具備し、酸化物半導体層は、キャリア濃度が1×1014/cm3未満である。
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半導体装置
【課題】導電性が高い酸化物半導体層を有する酸化物半導体トランジスタを提供する。
【解決手段】インジウム、ガリウム、亜鉛を含む酸化物(IGZO)及び酸化インジウムの粒子を有する酸化物半導体層と、当該酸化物半導体層中のチャネル形成領域と、ゲート絶縁膜を挟んで重畳するゲート電極と、当該酸化物半導体層中のソース領域及びドレイン領域に重畳するソース電極及びドレイン電極とを有する半導体装置に関する。当該半導体装置は、トップゲート型酸化物半導体トランジスタ又はボトムゲート型酸化物半導体トランジスタであってもよい。また当該酸化物半導体層は、ソース電極及びドレイン電極の上に形成されていてもよいし、ソース電極及びドレイン電極の下に形成されていてもよい。
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半導体装置の作製方法
【課題】複数のトランジスタが高集積化された素子の少なくとも一のトランジスタに、作製工程数を増加させることなくバックゲートを設ける半導体装置を提供する。
【解決手段】複数のトランジスタが上下に積層されて設けられた素子において、少なくとも上部のトランジスタ102は、半導体特性を示す金属酸化物により設けられ、下部のトランジスタ100が有するゲート電極層を上部のトランジスタのチャネル形成領域と重畳するように配して、ゲート電極層と同一の層の一部を上部のトランジスタ102のバックゲートBGとして機能させる。下部のトランジスタ100は、絶縁層で覆われた状態で平坦化処理が施され、ゲート電極が露出され、上部のトランジスタ102のソース電極及びドレイン電極となる層に接続されている。
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集積回路装置の作製方法
【課題】薄膜回路の下方に外部と接続するための電極を容易に形成できる薄膜回路部品の
構造及び薄膜回路部品の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、薄膜
回路上に形成された第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上に形成された電極と、電極上に形成
された樹脂膜とを有する積層物を形成し、積層物の第1の絶縁膜の他方の面側に、電極と
重なるように導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射する。
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半導体基材およびその製造方法
【課題】簡便な方法で、結晶化部分を有する半導体基材を得る。
【解決手段】ベース基材と;該ベース基材上に配置された、アモルファス半導体材料由来の結晶性半導体層とを少なくとも含む半導体基材。結晶性半導体層の表面近傍において、SIMSによりGeが検出可能である。
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半導体装置
【課題】消費電力の増加を招くことなくオフの状態を実現することのできる半導体装置を
提供する。
【解決手段】ゲートに電圧が印加されていない状態でオン状態であるパワー素子と、パワ
ー素子のゲートに第1の電圧を印加するためのスイッチング用の電界効果トランジスタと
、パワー素子のゲートに第1の電圧より低い電圧を印加するためのスイッチング用の電界
効果トランジスタと、を有し、上記スイッチング用の電界効果トランジスタはオフ電流が
小さい半導体装置である。
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半導体装置
【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつきの影響を緩和し、複数の状態(例えば3以上の状態)の区別を正確、かつ容易にした半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ソース線と、ビット線と、ワード線と、ビット線とワード線に接続されたメモリセルと、入力されたアドレス信号によって指定されたメモリセルを選択するように、複数の第2信号線及び複数のワード線を駆動する、第2信号線およびワード線の駆動回路と、書き込み電位を第1信号線に出力する、書き込み回路と、指定されたメモリセルに接続されたビット線から入力されるビット線の電位と、複数の読み出し電位とを比較する読み出し回路と、ビット線の電位と複数の読み出し電位の比較結果に基づいて複数の補正電圧のいずれかを選択する制御回路と、書き込み電位及び複数の読み出し電位を生成して、書き込み回路及び読み出し回路に供給する、電位生成回路と、を有する半導体装置。
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不揮発性のラッチ回路
【課題】新規な不揮発性のラッチ回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】第1の素子の出力が第2の素子の入力に電気的に接続され、第2の素子の出力が第1の素子の入力に電気的に接続されるループ構造を有するラッチ部と、ラッチ部のデータを保持するデータ保持部とを有し、このラッチ部とデータ保持部とにより不揮発性のラッチ回路が構成される。データ保持部は、チャネル形成領域を構成する半導体材料として酸化物半導体を用いたトランジスタをスイッチング素子として用いている。またこのトランジスタのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続されたインバータを有している。上記トランジスタを用いて、ラッチ部に保持されているデータをインバータのゲート容量あるいは別に用意した容量に書き込むことができる。
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半導体装置の作製方法及び半導体装置
【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造を提供する。
【解決手段】異なるエネルギーギャップを有する、少なくとも第1の酸化物半導体層及び第2の酸化物半導体層を積層させた酸化物半導体積層であって、化学量論的組成比よりも過剰に酸素を含む領域を有する酸化物半導体積層を用いてトランジスタを形成する。
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半導体装置
【課題】半導体集積回路における消費電力を低減する。また、半導体集積回路における動作の遅延を低減する。
【解決手段】記憶回路が有する複数の順序回路のそれぞれにおいて、酸化物半導体によってチャネル形成領域が構成されるトランジスタと、該トランジスタがオフ状態となることによって一方の電極が電気的に接続されたノードが浮遊状態となる容量素子とを設ける。なお、酸化物半導体によってトランジスタのチャネル形成領域が構成されることで、オフ電流(リーク電流)が極めて低いトランジスタを実現することができる。そのため、記憶回路に対して電源電圧が供給されない期間において当該トランジスタをオフ状態とすることで、当該期間における容量素子の一方の電極が電気的に接続されたノードの電位を一定又はほぼ一定に保持することが可能である。その結果、上述した課題を解決することが可能である。
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イメージセンサ及び電子機器
【課題】後の工程で形成される光電変換層を広く形成することができ、センサの受光面積(開口率)を上げることができる、インテリジェント化された新規な半導体装置を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有するトランジスタを有し、トランジスタの上方に絶縁膜を有し、絶縁膜の上方にフォトダイオードを有する。トランジスタはフォトダイオードと重なる位置に設けられている。
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半導体装置
【課題】高速動作、低消費電力である半導体装置の提供。
【解決手段】結晶性のシリコンをチャネル形成領域に有する第1のトランジスタを用いた記憶素子と、当該記憶素子のデータを記憶する容量素子と、当該容量素子における電荷の供給、保持、放出を制御するためのスイッチング素子である第2のトランジスタとを有する。第2のトランジスタは第1のトランジスタを覆う絶縁膜上に位置する。第1及び第2のトランジスタは、ソース電極又はドレイン電極を共有している。上記絶縁膜は、加熱により一部の酸素が脱離する第1の酸化絶縁膜と、酸素の拡散を防ぎ、なおかつ当該第1の酸化絶縁膜の周囲に設けられた第2の酸化絶縁膜とを有し、第2のトランジスタが有する酸化物半導体膜は、上記第1の酸化絶縁膜に接し、かつチャネル形成領域である第1の領域と、第1の領域を挟み、第1及び第2の酸化絶縁膜に接する一対の第2の領域とを有する半導体装置。
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半導体装置及び半導体装置の作製方法
【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、電気的特性の変動が小さく、信頼
性の高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】チャネルを形成する酸化物半導体層に接する絶縁層に、シリコン過酸化ラジ
カルを含む絶縁層を用いる。絶縁層から酸素が放出されることにより、酸化物半導体層中
の酸素欠損及び絶縁層と酸化物半導体層の界面準位を低減することができ、電気的特性の
変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製することができる。
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