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Fターム[5F110QQ21]の内容

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【課題】厚いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタと、薄いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタとを備えた回路基板を提供する。
【解決手段】ポリシリコン半導体層の上下に、ボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層とトップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とを各々設け、トップゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の厚さをボトムゲート型薄膜トランジスタのゲート絶縁層の厚さと異ならせる。 (もっと読む)


【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。TFTの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 (もっと読む)


【課題】高開口率な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に第1配線と、第1配線上に第1絶縁膜と、第1絶縁膜上に半導体膜と、半導体膜上に第2絶縁膜と、第2絶縁膜上に第2配線と、第1配線と接続するゲート電極と、第2配線及びゲート電極上に第3絶縁膜と、第3絶縁膜上に半導体膜と接続する第3の配線とを有する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】工程を複雑にすることなく、多結晶シリコン膜に回路特性に適した複数の異なる
ゲート絶縁膜厚を有する薄膜トランジスタ(TFT)を同一基板に形成することができる
薄膜半導体装置とその製造方法を提供。
【解決手段】ガラス基板上に形成した多結晶シリコン膜に駆動電圧が異なるTFTを混載
する際に、低電圧駆動TFTではチャネル領域の不純物をアクセプタがより多くなるよう
にしあるいはドナーがより少なくなるようにし、高電圧駆動TFTではチャネル領域の不
純物をドナーがより多くなるようにしあるいはアクセプタがより少なくなるようにする。 (もっと読む)


【課題】短チャネルでもオフ特性の優れたトランジスタ等の半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース102aの周囲をエクステンション領域103aおよびハロー領域105a、ドレイン102bの周囲をエクステンション領域103bおよびハロー領域105bで取り囲むように配置し、また、不純物濃度の低い基板101がソース102a、ドレイン102bと接しない構造とする。さらに、ゲート絶縁物109を介して高仕事関数電極104を設け、基板101の表面近傍にエクステンション領域103aおよびエクステンション領域103bより侵入する電子を排除する。このような構造とすることにより、短チャネルでもチャネル領域の不純物濃度を低下させることができ、良好なトランジスタ特性を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】優れた結晶性を有する酸化物半導体膜を作製する。
【解決手段】酸化物半導体の膜を形成するに際し、基板を第1の温度以上第2の温度未満に加熱しつつ、基板の、典型的な長さが1nm乃至1μmの部分だけ、第2の温度以上の温度に加熱する。ここで、第1の温度とは、何らかの刺激があれば結晶化する温度であり、第2の温度とは、刺激がなくとも自発的に結晶化する温度である。また、典型的な長さとは、その部分の面積を円周率で除したものの平方根である。 (もっと読む)


【課題】画素電極上に金属膜を形成して積層構造とする際に、1つのレジストマスクを用
いて、画素電極及び金属膜を形成することを課題とする。
【解決手段】画素電極となる導電膜と金属膜を積層させる。金属膜上に半透部を有する露
光マスクを用いて、膜厚の厚い領域と該領域よりも膜厚が薄い領域とを有するレジストパ
ターンを形成する。レジストパターンを用いて画素電極と、画素電極上の一部に接する金
属膜を形成する。以上により、1つのレジストマスクを用いて、画素電極及び金属膜を形
成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】トランジスタが有するしきい値相当分の電圧/電流のロスを低減し、プロセスの簡略化、及び回路構成の簡素化を目的とした整流特性を有する半導体装置(RFID)を提供する。
【解決手段】無線によりデータの交信が可能な半導体装置(RFID)を構成する素子に整流回路を設ける。整流回路において、電波を受信するアンテナと整流回路のトランジスタのゲートとドレイン端子との間に、コイルを重ねて配置することで、電波を受信するアンテナとコイルの結合を利用して、ダイオード単体と比較しダイオードとコイルが出力する電圧を大きくし、整流効率を向上させる。 (もっと読む)


【課題】遮光層の端部で回折した光が半導体層に照射されTFT特性の変動を引き起こしているため、この光の照射を防止する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第3の遮光層108の端部で回折した光117を完全に遮光するため、半導体層103をゲート電極104と第2の遮光部106とで覆うことによって、回折した光の照射を防止し、TFT特性の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 (もっと読む)


【課題】不揮発性記憶装置と揮発性記憶装置の双方のメリットを享受する記憶装置を提供する。
【解決手段】基板または基板上に設けられた第1のトランジスタと、第1のトランジスタよりも上に設けられた第2のトランジスタを有する半導体装置において、第1のトランジスタと第2のトランジスタの少なくとも一部を重畳させ、第1のトランジスタのゲート電極と、第2のトランジスタのソース電極またはドレイン電極を電気的に接続させる。第1のトランジスタとしてはシリコン単結晶により設けられたものが好ましく、第2のトランジスタとしてはオフ電流が極端に小さい酸化物半導体により設けられたものが好ましい。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタのリーク特性を維持しつつ、オン電流を大幅に改善することができる薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体薄膜を形成する工程と、前記半導体薄膜にシリコンを注入する工程と、チャネル形成領域とソース形成領域及びドレイン形成領域との間にそれぞれ位置するLDD形成領域上にマスクを形成する工程と、前記LDD形成領域上にマスクを形成した半導体薄膜上にシリコンを注入する工程と、前記半導体薄膜を熱処理により結晶化する工程と、を有する薄膜トランジスタの製造方法とした。 (もっと読む)


【課題】 有機化合物層において生じた光の全てが透明電極である陰極から取り出されるわけではなく、例えば、横方向(基板面と平行な方向)にも発光されるが、結果的にこの横方向に発光する光は取り出されないため、ロスになっていた。そこで、本発明は、発光素子において、ある一方向に取り出す発光量を増加させる構造とした半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、半導体基板にlang=EN-US>FETを形成し、絶縁物19の上端部に曲率半径を有する曲面を形成し、該曲面に合わせて第1の電極18c、18dの一部が露呈して斜面が形成され、発光領域となる領域に第1の電極18bが露呈するようにエッチング処理する。有機化合物層20からの発光を第1の電極18c、18dの斜面で反射させて、図1(A)中に示した矢印方向におけるトータルの光の取り出し量を増加させる。 (もっと読む)


【課題】結晶粒間に鬆がない緻密な結晶性半導体膜(例えば微結晶半導体膜)を作製する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマCVD装置の反応室内における反応ガスの圧力を450Pa〜13332Paとし、当該プラズマCVD装置の第1の電極と第2の電極の間隔を1mm〜20mm、好ましくは4mm以上16mm以下として、前記第1の電極に60MHz以下の高周波電力を供給することにより、第1の電極および第2の電極の間にプラズマ領域を形成し、プラズマ領域を含む気相中において、結晶性を有する半導体でなる堆積前駆体を形成し、堆積前駆体を堆積させることにより、5nm以上15nm以下の結晶核を形成し、結晶核から結晶成長させることにより微結晶半導体膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】高開口率な表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、保持容量とが設けられた画素と、走査線と、走査線に直交して設けられた信号線と、を有し、走査線の上方には、薄膜トランジスタのソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域が形成される部分と保持容量の下部電極となる部分とを有する半導体膜が設けられ、半導体膜上には絶縁膜が設けられ、半導体膜のチャネル形成領域となる部分の上方には、絶縁膜を介して走査線と電気的に接続されたゲート電極が設けられ、半導体膜の下部電極となる部分の上方には、絶縁膜を介して保持容量の上部電極が設けられ、半導体膜は、基板に平行であり、ゲート電極は、保持容量の上部電極より半導体膜を基準に高い場所に設けられ、ゲート電極及び上部電極の上方には、信号線が設けられている表示装置。 (もっと読む)


【課題】 レジスト材料の利用効率を向上させて、作製コストの削減を目的としたレジス
トパターンの作製方法、レジストパターンの除去方法、半導体装置の作製方法を提供する
ことを課題とする。
【解決手段】 本発明は、減圧下で、被加工物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジ
ストパターンを形成するステップを有することを特徴とする。また、前記レジストパター
ンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパタ
ーンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レ
ジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上
の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】開口率の高い半導体装置を提供することを課題とする。または、開示する発明の一態様は、消費電力の低い半導体装置を提供することを課題とする。または、開示する発明の一態様は、配線抵抗の低い半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁面を有する基板と、基板上に設けられた透光性を有する第1の電極と、基板上に設けられた透光性を有する第2の電極と、第1の電極および第2の電極と電気的に接続するように設けられた透光性を有する半導体層と、第1の電極と電気的に接続された第1の配線と、少なくとも半導体層を覆うように設けられた絶縁層と、半導体層と重なる領域の絶縁層上に設けられた透光性を有する第3の電極と、第3の電極と電気的に接続された第2の配線と、を有する。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜
の上に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、ソース領域又はドレイン
領域に電気的に接続する配線又は電極と、配線又は電極の上に設けられ第1の開口部を有
する第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜の上に設けられ第2の開口部を有する第2の絶縁膜と
、第2の絶縁膜の上に設けられた画素電極とを有し、第1の絶縁膜は窒化シリコン膜を含
む積層の無機絶縁膜からなり、第2の絶縁膜は有機樹脂膜からなり、第2の絶縁膜の第2
の開口部の底面において、第1の絶縁膜の上面は第2の絶縁膜に覆われていない露呈した
部分を有し、第2の絶縁膜の第2の開口部の断面において、第2の絶縁膜の内壁面は凸状
の曲面を有しており、画素電極は、第1の開口部及び第2の開口部を介して配線又は電極
に電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】 レジスト材料の利用効率を向上させて、作製コストの削減を目的としたレジス
トパターンの作製方法、レジストパターンの除去方法、半導体装置の作製方法を提供する
ことを課題とする。
【解決手段】 本発明は、減圧下で、被加工物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジ
ストパターンを形成するステップを有することを特徴とする。また、前記レジストパター
ンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパタ
ーンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レ
ジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上
の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】大量生産上、大型の基板に適している半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、チャネルを含む島状半導体層と、島状半導体層上に形成されたドレイン配線およびソース配線とを有し、島状の半導体層は、In−Ga−Zn−Oを含み、ドレイン配線及びソース配線は島状半導体層をキャリアの移動方向と垂直に横断し、チャネルの長さはドレイン配線およびソース配線の間隔に等しいことを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題
とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリン
ト技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形
状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶
縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する1つの開口を形成する
のではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太
さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 (もっと読む)


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