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Fターム[5F136AA10]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 冷却以外の目的 (110) | その他の目的 (48)

Fターム[5F136AA10]に分類される特許

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【課題】零入力漏れ電流を利用することによって高電力デバイスの温度を制御するための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】熱制御&温度監視システム(HCTMS)は、コンポーネントの接合温度を感知するために温度センサを利用し、コンポーネントは、電力印加時に固有の零入力漏れ電流のために自己加熱状態になる。電力源の電圧レベルを増加させることによって、この零入力自己加熱特性は増強され、温度がコンポーネントの最低規定動作温度よりも高く上昇するまで、デバイスの予熱を加速する。システムは、その後、全システム電力を印加し、定義された初期化シーケンス/手順をトリガすることによって初期化される。コンポーネントが動作状態になった後も温度は、継続的な自己加熱、継続的な印加DC電圧の増加、または必要ならばその両方によって、最低動作閾値より高く維持される。 (もっと読む)


【課題】絶縁基板とアルミニウム層との接合界面に余剰ろう材が残存せず、かつ非対称形状に起因する熱ひずみを低減しうる電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板(11)の一方の面に電子素子(18)を搭載するアルミニウム回路層(12)がろう付され、他方の面にアルミニウム層(13)がろう付された電子素子搭載用基板であって、前記アルミニウム層(13)の少なくとも絶縁基板(11)側の層が、ろう付後の結晶粒の平均粒径が10〜500μmとなされ、かつ引張強さが130N/mm以下となされたアルミニウムまたはアルミニウム合金で構成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の接合温度(ジャンクション温度)を精度よく求めることができる半導体素子の接合温度の推定方法、推定システムおよび推定プログラムを提供する。
【解決手段】 接合温度推定システム2は、演算処理装置10、入力装置20、記憶装置30および出力装置40を備えている。記憶装置30は、通電条件等情報32、電圧温度特性34、演算プログラム36を記憶している。演算プログラム36は、所定の通電条件下における半導体素子について、前記通電条件での通電開始後における時間経過に応じた接合温度を所定回数計算する演算処理が規定されたプログラムである。演算プログラム36の実行により、ステップ刻みで、前述したようにTjnの取得又は計算、Tjnにおける順方向電圧VFnの取得、Iの値の取得、Pの算出およびΔTjnの算出が行われていく。 (もっと読む)


【課題】放熱性能に優れたLED発光装置を提供する。
【解決手段】上端面に開口する凹部を有した基体2と、基体2の凹部内に取り付けられたLED素子3と、LED素子3を封止する透光性材料からなる封止部材4と、封止部材4の上方に設けられた蛍光体61を含有する波長変換部材6と、を備え、基体2には、LED素子3から発した熱と波長変換部材6から発した熱とを遮断する熱遮断部となる凹溝81が形成されているようにした。 (もっと読む)


【課題】本体部の外面上に複数の外部端子を配置した半導体装置において、本体部を大型化させたり部品点数を増加させることなく外部端子間の絶縁距離の増大を図る。
【解決手段】複数の外部端子12の少なくとも一つに、他の外部端子側を向く部位を切り欠く切り欠き部17が設けられ、この切り欠き部17によって、前記一つの外部端子12のネジ挿通孔16が前記他の外部端子側に向けて開放される。 (もっと読む)


【課題】樹脂と放熱板との密着力の確保とはんだ膜厚の制御を容易にする構造を提供するとともに、その製造工程を簡略化し、低コスト化する。
【解決手段】放熱板3上に半導体素子2を搭載しモールド樹脂7で封止する半導体装置1において、放熱板3とモールド樹脂7との間の接合部にあたる粗化部分5と、放熱板と半導体素子の間に設けられたはんだ膜厚を制御する支持部分6を、放熱板3上に金属粒を吹き付けて金属を積層することにより形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の駆動時に生じる熱応力を緩和しつつ、半導体素子の発する熱の熱拡散が阻害されにくくすること。
【解決手段】半導体モジュールは、回路基板と、回路基板上に半田付けにより接合された半導体素子12と、ヒートシンク13とから構成されている。裏金属板16における半導体素子12の直下領域A1は、貫通孔17の形成を許容する形成領域A3と、貫通孔の形成を許容しない非形成領域A4に分割されている。非形成領域A4には貫通孔17が形成されないため、貫通孔17は直下領域A1の形成領域A3(周縁部)に形成され、形成領域A3に形成される貫通孔17より内側の領域である内側領域A2は、セラミックス基板とヒートシンク13を接合する接合層となっている。 (もっと読む)


【課題】外観上で製品寿命を予測することにより、製品寿命による交換を適正に実施することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置10は、半導体チップ1と、半導体チップ1が取り付けられた回路基板2と、回路基板2の半導体チップ1が取り付けられた面と対向する面に取り付けられたベース板3とを備えている。ベース板3は、回路基板2が取り付けられる側の一方面3aおよび一方面3aに対向する他方面3bを有する第1の部材31と、第1の部材31と異なる熱膨張係数を有する第2の部材32とを含んでいる。第2の部材32は、第1の部材31の表面に表れないように第1の部材31に周囲を覆われている。 (もっと読む)


【課題】第1フレームの上に、制御素子が設けられている第2フレームをオーバーラップさせて配置した場合に、第1フレームに実装された電力用半導体素子が発熱しても、制御素子を、動作保証の範囲内に維持できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電力用半導体素子(20a,20b)と第2フレーム(2)の間に、熱遮蔽体(11)が介装されており、熱遮蔽体(11)が電力用半導体素子(20a,20b)から制御素子(30)への熱伝達を遮る。 (もっと読む)


【課題】 二つの熱源の間に配置した際に、それら熱源間での熱伝導をより効果的に抑制することができるインターポーザを提供する。
【解決手段】 インターポーザ24は、真空に維持されたキャビティ23を有する本体と、本体の上壁20aと下壁20bにそれぞれ形成された絶縁層22a及び22bと、絶縁層22a及び22bの上にそれぞれ形成された熱反射層21a及び21bとを備える。インターポーザ24は、その上下に搭載された半導体デバイス11aと12aの間を熱的に絶縁する。 (もっと読む)


【課題】発熱部で発生した熱を放熱部から放出する際に、ユーザーが放熱部に触れても安全な放熱装置を提供する。
【解決手段】熱を発生する発熱部65と、発熱部で発生した熱を放出させる放熱部81と、発熱部で発生した熱により変形することで、発熱部と前記放熱部との間の熱伝導率を低下させる変形部82と、を備える。これにより、発熱部65が異常な高熱を発生した場合に、その高熱によって変形部82自体が変形し、発熱部65と放熱部81との間の熱伝導率を低下させ、発熱部から放熱部への熱の移動(伝導)を制限して放熱部の過熱を抑制する。 (もっと読む)


【課題】チップをワイドバンドギャップ半導体によって構成した場合でも、該チップで発生する熱によって耐熱温度の低い部品が熱的な損傷を受けないような構成の電力変換装置を得る。
【解決手段】SiC半導体からなるチップ(21)の熱を放熱するためのヒートシンク(23)に該チップ(21)の熱を伝えるための銅基板(22)を、耐熱性接着剤からなる断熱部材(24)を介して、プリント基板(25,25)に接着固定する。該銅基板(22)とプリント基板(25,25)との間には、上記チップ(21)等からの熱放射を抑えるための遮熱板(26)を設ける。 (もっと読む)


【目的】Si−半導体素子とSiC−半導体素子を有する半導体装置において、それぞれの半導体素子を動作可能温度で動作させることができて、冷媒の圧力損失を小さくできるフィン付ベースを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】Si−IGBTチップ4同士をまとめ、SiC−Diチップ5同士をまとめることで、SiC−Diチップ5下のフィン1a間隔を広くすることができる。その結果、Si−IGBTチップ4は175℃まで動作させ、SiC−Diチップ5は250℃まで動作させることができる。また、Si−IGBTチップ4とSiC−Diチップ5に接続する配線バー56,57,59を介しての相互の熱干渉65,66,67を小さくするができる。その結果、全体のフィン1a間隔を広くすることができて圧力損失を小さくできる。 (もっと読む)


【課題】薄型化を図ることができる電子機器を得る。
【解決手段】一つの実施形態によれば、電子機器は、筐体と、前記筐体に収容され、発熱部品が実装された回路基板と、前記筐体に収容され、前記発熱部品と熱的に接続されたヒートシンクと、前記ヒートシンクの外縁よりも大きい外縁を有し、前記ヒートシンクと前記回路基板との間に位置したインシュレータと、を有する。 (もっと読む)


【課題】
本発明はフィンセットユニット、カバー、第一ファン、第二ファン、および制御回路を含む、埃除去機能を備えたダブルファン式放熱装置を提供する。
【解決手段】
制御回路は、稼動信号を受信すると、第一、第二ファンを始動させ、また埃除去の信号を受信すると、後述する(a)、(b)のステップをそれぞれ一定時間実施する。(a)のステップは、第一ファンを始動させ、同時に第二ファンを止めることを含む。(b)のステップは、第二ファンを始動させ、同時に第一ファンを止めることを含む。これにより第一、第二ファンは交互に埃を除去させ、フィンセットユニットに対する埃除去と放熱を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】
実際の使用環境・使用条件に即して、余寿命を非破壊にてより精密に予測することができる電力用半導体素子を用いた電子式制御装置及び電子式制御装置の余寿命を予測する方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、電力用半導体素子と、電圧を印加することにより発熱する発熱層と温度の計測が可能な感熱層とから形成される発熱感熱デバイスを設け、前記電子用半導体素子と電気的に接続された配線基板とを備える電子式制御装置を提供する。また、他の観点における本発明は、電力用半導体素子と、前記電子用半導体素子と電気的に接続された配線基板とを備える電子式制御装置を備える電子式制御装置の余寿命予測方法であって、前記配線基板に設けられた発熱層を加熱し、前記配線基板に設けられた感熱層の温度変化を計測することを特徴とする電子式制御装置の余寿命予測方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】比較的簡素な構成で、変換効率の極めて高い熱電変換素子を実現する。
【解決手段】一対の電極1,3間に、例えばn型のZnO等の半導体層2aとAl等の金属層2bとが交互に複数積層された周期構造体2を設け、必要に応じて電極1上に絶縁板を設けて熱電変換素子を構成し、電極3上又は絶縁板上に発熱源4が当接する。 (もっと読む)


【課題】全体として効率的に熱を回収して発電し、廃熱発電により得られた電力を有効に使用する、簡単な構成の安価な廃熱発電機能付き電子機器を提供する。
【解決手段】廃熱発電機能付き電子機器(10)は、電気部品(14)を冷却するための冷却装置(80)と、電気部品(14)の熱を電圧に変換する熱電変換器(24)と、熱電変換器(24)が出力した電圧を変圧比可変にて直流の再生電圧に変換する変換器(52,62)と、変換器(52,62)が出力した再生電圧及び外部電源(72)が出力した直流の電源電圧が入力され、再生電圧の電圧レベルが、電源電圧の電圧レベルよりも大きいときに再生電圧に基づく電力を出力する電源選択回路(70)と、再生電圧の電圧レベルが電源電圧の電圧レベルよりも大きくなるように、冷却装置(80)の冷却能力を調整して再生電圧の電圧レベルを制御する制御装置(60)とを備える。 (もっと読む)


【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、このパワーモジュール基板を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板11の表面に、アルミニウムからなる金属板12,13が積層されて接合されたパワーモジュール用基板10であって、セラミックス基板11は、酸素又は窒素を含有しており、金属板12、13には、Cu,Si,Ag及びGeから選択される1種又は2種以上の添加元素が固溶しており、さらに、金属板11、12とセラミックス基板11との界面部分には、Ti,Zr,Hf,Ta,Nb及びMoから選択される1種又は2種以上の活性元素が介在していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体モジュールから発生する電磁ノイズの影響を、制御回路基板が受けにくい積層型冷却装置を提供する。
【解決手段】半導体モジュール2と冷却チューブ3とを交互に積層配置してなる。半導体モジュール2の動作制御をする制御回路基板4が、半導体モジュール2と冷却チューブ3との積層体に対して積層方向と直交する方向に所定間隔をおいて隣接配置されている。制御回路基板4は制御信号端子21に接続されている。そして、導体モジュール2と制御回路基板4との間に、半導体モジュール2から発生した電磁ノイズを遮蔽するためのノイズ遮蔽部材5が設けられている。このノイズ遮蔽部材5は、冷却チューブ3と一体化している。 (もっと読む)


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