オンパッケージ電圧調整モジュール（ＶＲＭ）を含む集積回路（ＩＣ）パッケージにおいて、ＩＣダイが、ソケットに結合する、或いは回路基板に直接実装される複数の接続を有する基板にフリップ接合される。一体化ヒートスプレッダ（ＩＨＳ）がＩＣダイに熱的に結合され、かつ（電気的及び機械的に）基板に結合される。ＶＲＭがＩＨＳに結合される。相互接続部材として機能するＩＨＳが、ＶＲＭを基板に電気的に結合させる相互接続手段を有する。一実施形態において、ＩＨＳのボディが接地面として機能すると同時に、別個の相互接続層がＶＲＭ及び基板の間で電気信号を送るための電気配線を有する。ＶＲＭは、ファスナー、エッジコネクタ及びパラレルカップラを含む幾つかの手段の１つを介してＩＨＳに結合された取り外し可能なパッケージを有してもよい。

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１またはそれを超える電子デバイスを吸熱部に熱的に連結するための方法および装置が提供される。その装置は、実質的に平らな上面を有する吸熱部と、電子デバイスを受ける貫通穴を有する配線板（ＰＷＢ）とを備えている。配線板の主面が吸熱部と熱的接触状態にあり、電気導線が配線板の少なくとも一部分と吸熱部との間に捕捉され、電子デバイスの頂部がＰＷＢを突き抜ける。その方法は、電子デバイスの基部がＰＷＢの下側で露出され且つそこから突き抜ける状態で電子デバイスを貫通穴に置くこと、電子デバイスの電気導線を配線板上の接点に取り付けること、および、電気導線をＰＷＢと吸熱部との間に捕捉した状態でＰＷＢを吸熱部に向けて押し付けることを含む。望ましくは、電気絶縁熱伝導層が配線板と吸熱部との間に配置される。

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熱源から熱を作用可能に拡散する装置が、平面的な境界を形成する厚さを有する熱伝導性基板と、基板内に配置され、平面的な境界から突出しないように位置決めされているインサート部分とを含んでいる。インサート部分は、少なくとも２軸方向に沿って基板材料の熱伝導率値の少なくとも１．５倍の熱伝導率値を有する材料製であり、該２軸方向の一方が、基板の第１と第２の面双方に対し事実上直角に延びている。
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