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Fターム[5F136BA36]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | ヒートシンク (3,233) | ヒートシンクの製造方法 (236)

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【課題】
金属マトリックス中に金属被覆ダイヤモンド粒子を含有してなる複合ヒートシンク材において、熱伝導性の改良されたヒートシンク材を提供すること。
【解決手段】
本発明のヒートシンク材は次の各工程を経て製造される:
1. 整粒されたダイヤモンド粒子の全表面に、パイロゾル法によって金属炭化物層を形成することによって被覆ダイヤモンド粒子を得る工程、
2. 前記被覆ダイヤモンド粒子とマトリックス金属材の粉末とを密に混合して混合粉とし、焼結反応容器内に充填する工程、
3. 前記混合粉を還元性雰囲気中で加熱することによって酸素を除去する工程
4. 前記反応容器をマトリックス金属材の融点以上の加熱温度及び100MPa以上の焼結圧力に供し、該金属材を溶融して被覆ダイヤモンド粒子間の空隙に流入・充填し、金属炭化物層を介してダイヤモンド粒子及び金属材を一体化させる工程。 (もっと読む)


【課題】冷却水の流れ圧力損失を最小化するとともに、放熱効果を増大できるだけでなく、発熱部の全体面積の温度偏差を最小化することができるヒートシンクを提供する。
【解決手段】本発明のヒートシンク100は、冷却水の流入部分に連結され、第1フィン101が多数個配列された第1領域と、冷却水の排出部分に連結され、第1フィン101より表面積が大きい第2フィン103が多数個配列された第2領域とを含むものである。 (もっと読む)


【課題】システム/デバイス内の高電力コンポーネントの動作温度範囲を効率的に拡大するための方法およびシステムを提供すること。
【解決手段】埋め込みモニタが、コンポーネントの接合温度などの局部的温度を測定する。測定温度がコンポーネントの最低動作温度閾値よりも低い場合、温度制御ロジックは、加熱源を利用して、コンポーネントの温度を動作レベルまで上昇させるために予熱を開始する。コンポーネント(またはデバイス)は、温度が動作レベル以上である場合にのみ、動作状態にされる。温度制御ロジックは、動作中システム/デバイス内のコンポーネントによって散逸される高電力を自己加熱源として使用して、コンポーネントの動作温度を維持する。自己加熱が動作温度を維持することができない場合、加熱源が、コンポーネントの動作温度の維持を支援するために利用され、それによって、コンポーネントが利用されるシステムの有効動作温度範囲を拡大する。 (もっと読む)


【課題】 被覆ベースプレートを含む半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は基板(122)に結合された半導体チップと基板(122)に結合されたベースプレートとを含む。ベースプレートは、第2の金属層(106)に接合する第1の金属層(108)クラッドを含む。第2の金属層(106)はピン−フィンまたはフィンの冷却構造(112)を設けるように変形される。第2の金属層(106)はピンもピン−フィンも有しない副層(113)を有する。第1の金属層(108)は第1の厚さ(d108)を有し、副層(113)は第2の厚さ(d113)を有する。第1の厚さ(d108)と第2の厚さ(d113)の比は少なくとも4:1である。 (もっと読む)


【課題】放熱性に優れ、セラミックス基板の割れを生じさせないように支持することができるピン状フィン一体型ヒートシンクを提供する。
【解決手段】ピン状フィン一体型ヒートシンク1は、金属材料からなる板状部2の一面側に、セラミックス基板を有する電子部品が搭載される平面状の上表面部21が形成されるとともに、その上表面部21と反対面側に、多数のピン状フィン3が立設された下表面部22が形成されてなり、下表面部22は、その周辺部の取付部7と、この取付部7の内縁から中心部に向かって厚みが漸次大きくなるように形成された中央部5と、その中央部5に立設された多数のピン状フィン3とにより形成されている。 (もっと読む)


【課題】包絡体積が小さく放熱量の大きいヒートシンクを提供する。
【解決手段】電子部品上に装着して電子部品の発熱を放熱するヒートシンク1において、平板状の底面部11a、12aと底面部11a、12aの両端を折曲して立設したフィン部11b、11c、12b、12cとを有した金属板から成る複数の放熱部材11、12を備え、対向するフィン部11b、11c、12b、12cの間隔が各放熱部材11、12で異なるともに、フィン部11b、11c間の間隔の大きい放熱部材11の底面部11a上にフィン部12b、12c間の間隔の小さい放熱部材12の底面部12aを順に重ねて一体に形成し、最も外側に配される放熱部材11の厚みを内側に配される放熱部材12よりも厚くした。 (もっと読む)


【課題】放熱性が良好で、かつ小型で薄型のパッケージ構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板110の開口116に、電子デバイス120が配置され、接着剤層130上のパターン化金属層140が基板110の下表面113上にラミネートされるとともに、電子デバイス120の底表面124を露出させる。露出された底表面124上に散熱コラム150が形成され、第1ラミネート構造160が基板110の上表面111および電子デバイス120の頂表面122を被覆し、第2ラミネート構造170が散熱コラム150ならびにパターン化金属層140を被覆する。 (もっと読む)


【課題】ヒートシンクの軽量化を図りつつ、放熱性能の低下を抑制する。
【解決手段】熱源体4が発生する熱を放熱させるヒートシンク100であって、熱源体4が表面に取り付けられる熱源体取付板1と、熱源体取付板1に連続して形成された波形状の放熱板2と、放熱板2の表面及び裏面の一方又は両方に形成され、その放熱板2を構成するヒートシンク100の母材101よりも輻射率の高い材料からなる被膜3と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ピンフィンが千鳥状配置される冷却器において、ピンフィンから冷媒への熱伝達の効率を向上させつつ、冷媒流れの圧力損失を低減する冷却フィン構造、を提供する。
【解決手段】冷却フィン構造は、パワー制御ユニットの冷却器に用いられる。冷却フィン構造は、冷却水が流れる冷却水通路80に千鳥状に配置される複数のピンフィン71を備える。ピンフィン71は、円形断面を有する円形部72と、円形部72に対して冷却水流れの上流側および下流側に連設される曲線形部73とを有する。曲線形部73には、その曲線形部73を有するピンフィン71(71A)から冷却水流れに対して斜め方向に隣り合って配置されるピンフィン71(71B)の円形部72の中心点101を中心とした円周130に沿う湾曲面75が形成される。 (もっと読む)


【課題】ピン状フィンの良好な成形性を有しつつ、取付け強度や耐力を確保し、また、電子部品の熱伸縮に対して、板状部が容易に塑性変形することができるピン状フィン一体型ヒートシンク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】純度が99.90質量%以上の純銅からなり、板状部2の一面側に多数のピン状フィン3が立設されるとともに、板状部2の周縁部7の少なくとも一部は、0.2%耐力が板状部の中央部分の2倍〜5倍とされており、金属材料を加熱処理する加熱工程と、多数の孔を有する成形ダイ上で加熱処理後の金属材料を鍛造することにより、板状部の周縁部の少なくとも一部を厚肉部にするとともに、厚肉部を除く部分にピン状フィン3及びピン状フィン3を立設した薄肉のフィン立設部5を成形する熱間鍛造工程と、厚肉部を冷間で鍛造することにより板状部の周縁部を成形する冷間鍛造工程とにより製造される。 (もっと読む)


【課題】金型内の円滑な移動を妨げることなく、バリを生じさせないピン状フィン一体型ヒートシンクの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】多数の孔12を有する成形ダイ13と、成形ダイ13上で金属材料を鍛造して各孔12によりピン状フィンを成形するパンチと、孔12内に挿入状態に収容され、鍛造時の圧力でピン状フィンの先端面を成形するとともに、成形後にピン状フィンを押して孔12から抜き出すエジェクタ−ピン15とを備え、孔12は、鍛造時の圧力で押込まれる金属材料によりピン状フィンを成形するフィン成形部23と、フィン成形部23の先端で内径を縮小するテーパ部22と、テーパ部22から延びる小径のエジェクタ−ピンスライド部24とからなり、エジェクタ−ピン15の先端部には、テーパ部22に面接触可能な逆円錐部31が形成されている。 (もっと読む)


【課題】凹部を含む突起を有する構造において、凹部のエアー抜けを改善し、凹部にボイドを巻き込まない構造を備えた樹脂封止型半導体装置を提供することを第1の目的とする。また、凹部内にボイドを巻き込まない構造を備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを第2の目的とする。
【解決手段】ヒートシンク10は、当該ヒートシンク10の一面11のうち半導体素子30が実装される実装領域16において、一面11の面方向のうちの一方向に沿って形成された線状の凹部14と、凹部14の両側にそれぞれ位置する突起部15と、により構成された線状突起13を有している。これにより、接合層20は凹部14の延設方向である一方向に沿って濡れやすくなるので、凹部14に位置するエアーが抜けやすく、凹部14にボイドを巻き込まない構造とすることができる。 (もっと読む)


【課題】セラミックス基板、ダイヤモンド基板等の無機系材料の放熱材料は硬度が高く難加工性であり、グラファイトフィルム、カーボンナノチューブ等の炭素系材料は放熱性が低かった。
【解決手段】グラファイト基板の表面にナノメートルのオーダの凹凸構造を加工する(ステップ301)。さらに、その表面に表面保護層を形成する(ステップ302) (もっと読む)


【課題】多孔質グラファイトのヒートシンクとその製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質グラファイトのヒートシンクであって、主体はグラファイト顆粒から構成され、且つ、グラファイト顆粒間に、空洞構造を有する。多孔質グラファイトのヒートシンクは、優れた導熱効果を有すると共に、炭素発泡体の脆性欠陥を改善する。このほか、本発明は、多孔質グラファイトの製造方法も提供する。 (もっと読む)


【課題】パッケージの外面の切削又は研削加工によって放熱部材を露出させるものにあって、切削面における平面度の低下を抑える。
【解決手段】半導体装置21は、パッケージ22内に、2組の半導体チップ23及び金属ブロック体28を備え、下面に共通の放熱板24、上面に放熱板25、26を備える。放熱板24の露出面に、前後方向に延びる凹部24aを設ける。半導体装置21の製造にあたっては、半導体チップ23、金属ブロック体28、放熱板24、25、26等を接合し、エポキシ樹脂によりモールドしてパッケージ22を形成する。この後、パッケージ22の下面を、切削ラインCまで切削して放熱板24を露出させる。凹部24aによって放熱板24が分断されるので、放熱板24が深く切削されることを防止できる。 (もっと読む)


【課題】
Cu−高融点金属の複合材料のヒートシンク用材料としての熱特性と機械的性質を原料粉末の複雑な前処理を必要とせず比較的簡単な方法で改善する。
【解決手段】
粉砕した原料粉末を冷間CIPプレスし、グリーン圧縮体を高純度Arガス中で液相焼結し、得られた焼結複合体をHIP処理して得た、Cuが10〜40質量%と高融点、低熱膨張性の硬質金属が90〜60質量%で、Cuの一部を焼結体全量に対し、0.1質量%以下のNiと置換してなり、高融点金属はその粒子間はCuの液相ネットによって連結された、高融点金属粒子の外面にはNiとの金属間化合物層が形成されているヒートシンク用複合焼結体。 (もっと読む)


【課題】安定的かつ容易に基板に取り付けることができるヒートシンクを実現することを目的とする。
【解決手段】基板の表面に実装された発熱部品に接触してその熱を空間に放熱するヒートシンクにおいて、基板の表面から裏面に貫挿されて基板の裏面側で係止されるフックと、基板の辺縁部において表面側から裏面側に回り込む回り込み部と、基板の裏面において基板を押圧する押圧部とを備えるヒートシンクとする。さらに好ましくは、第一押圧部と第二押圧部とを備え、フックと第一押圧部と第二押圧部との三点により、平面視において、フックを頂点とする二等辺三角形となるように、基板に係止されるヒートシンクとする。 (もっと読む)


【課題】従来よりも放熱性に優れ、かつ、固定時の構造安定性が高いアルミニウム製ヒートシンク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】発熱部材の表面に当接させるベース21と、ベース21から立設させたフィン22とを備えた放熱部2と、ベース21の外周に一体的に接合されたフレーム部3とを有する。放熱部2とフレーム部3とは、異なる材質よりなるアルミニウム合金により構成されており、放熱部2を構成する第1アルミニウム合金はフレーム部3を構成する第2アルミニウム合金よりも含有アルミニウム純度が高いと共に熱伝導性が高く、かつ、第2アルミニウム合金は第1アルミニウム合金よりも引張強さが高い。第1アルミニウム合金は、含有アルミニウム純度が98質量%以上であることが好ましい。第1アルミニウム合金は、熱伝導率が160W/m℃以上であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】絶縁シートの欠けや切り屑の発生なしに、ヒートシンクの表面形状に合わせて加工した絶縁シートをヒートシンクに接着した放熱性部材を提供する。
【解決手段】ヒートシンクに絶縁シートが接着された放熱性部材の製造方法が、平坦な表面を有するヒートシンク10を準備する工程と、ヒートシンク上に、少なくともヒートシンクの上面を覆うように絶縁シート20を重ねる工程と、絶縁シートの縁部を削り、絶縁シートの形状をヒートシンクの上面形状に合わせる切削工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】アルミ製ベースプレートの一方の面に対象物を設けるとともに他方の面に放熱体を設け、対象物または放熱体をベースプレートにハンダ付けするにあたって、前記ベースプレートの表層側を最適なメッキ層によって形成し、ハンダの濡れ性をさらに向上させた放熱構造を提供することを課題としている。
【解決手段】本発明は、アルミ製ベースプレート2の一方の面に対象物を密着させて設けるとともに、他方の面に放熱体3を設け、前記ベースプレート2の表層側を、ハンダHの濡れ性を向上させるメッキ層によって形成し、対象物及び放熱体3の一方又は両方をベースプレート2にハンダ付けし、対象物の熱がベースプレート2を介して放熱体3に伝導されて放熱されることにより、対象物が冷却される放熱構造であって、少なくとも亜鉛及びニッケルを前記メッキ層に含有させ、ニッケルのベースプレート2全体に占める重量比率が2.72乃至2.94%であり、亜鉛のベースプレート2全体に占める重量比率が0.16乃至0.24%である。 (もっと読む)


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