【課題】半導体素子の発する熱の熱伝導率の低下を抑制しつつ、熱応力を緩和すること。
【解決手段】半導体モジュールは、回路基板と、回路基板上に半田付けにより接合された半導体素子と、回路基板に接合されたフィンユニット１３とから構成されている。回路基板は、セラミックス基板１４の表裏両面に表金属板と裏金属板１６を接合して構成されている。裏金属板１６には、側面視凹凸形状をなすフィンユニット１３が接合されている。裏金属板１６には、半導体素子の発する熱により生じる熱応力を緩和する第１の溝２２が形成されている。凸部１３ａにおいて第１の溝２２と対向する部分には、半導体素子の発する熱により生じる熱応力を緩和する第２の溝２１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の発する熱の熱伝導率の低下を抑制しつつ、熱応力を緩和すること。
【解決手段】半導体モジュールは、回路基板と、回路基板上に半田付けにより接合された半導体素子と、回路基板に接合されたフィンユニット１３とから構成されている。回路基板は、セラミックス基板１４の表裏両面に表金属板と裏金属板１６を接合して構成されている。裏金属板１６には、側面視凹凸形状をなすフィンユニット１３が接合されている。裏金属板１６においてフィンユニット１３とフィンユニット１３の間には、半導体素子の発する熱により生じる熱応力を緩和するフィン間溝２３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造時におけるはんだ付け工程を簡略化でき、外部端子の接合精度に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、絶縁基板４上に形成された回路パターンを構成する金属層５に穴５ａを形成し、この穴５ａに外部端子２０を圧入することによって、外部端子２０が金属層５に接続されており、外部端子２０と穴５ａとの接触部５ｂにおける、外部端子２０と直交する方向の断面において、外部端子２０が、穴５ａの内周に対し４０％以上接触している。 （もっと読む）

【課題】回路層を、変形抵抗が大きな銅または銅合金で構成しても、セラミックス基板の一方側と他方側とで絶縁性を確保することができるパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を用いたヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面側に回路層１２が形成され、この回路層１２の一方の面に電子部品３が搭載されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、銅または銅合金で構成されており、セラミックス基板１１と回路層１２との間には、セラミックス基板１１の一方の面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなる緩衝アルミ層１６と、回路層１２の他方の面に接合された補助セラミックス板１７と、が介装されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板に大きな反りが生じることがなく、かつ、金属層においてブローホール等の欠陥が発生することなく、回路層が銅板で構成されるとともに金属層がアルミニウム板で構成されたパワーモジュール用基板を安定して製造することができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面に、銅又は銅合金からなる銅板２２を接合して回路層１２を形成する銅板接合工程と、セラミックス基板１１の他方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム板２３を接合して金属層１３を形成するアルミニウム板接合工程と、を有し、前記銅板接合工程では、銅板２２とセラミックス基板１１とを、液相温度が前記アルミニウム板の融点未満とされた接合材２４を用いて接合する構成とされており、銅板接合工程とアルミニウム板接合工程とを同時に行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面に発生するしわが抑制される電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の少なくとも一方の面に電子素子（18）を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付された電子素子搭載用基板（1）であって、前記アルミニウム回路層（12）は、母材（20）の電子素子搭載面側に高強度層（21）が一体に積層された積層材で構成され、前記高強度層（21）の引張強さＸ（Ｎ／ｍｍ^２）と母材（20）の引張強さＹ（Ｎ／ｍｍ^２）とがＸ／Ｙ≧１．１の関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】 セラミック基板にクラックが発生するのを抑制することが可能な半導体モジュール基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体モジュール基板１は、矩形状のセラミック基板２と、セラミック基板２の上面に設けられた、半導体素子３が実装される第１金属板４と、セラミック基板２の下面に設けられた第２金属板５とを備え、第２金属板５の下面には、複数の同心円状の溝Ｄが設けられているとともに、複数の溝Ｄの最外周に位置する溝Ｄ１が、第２金属板５の外周の一部と重なって切欠きになっている。 （もっと読む）

【課題】片面配線基板でありながら、板厚方向の熱伝導性が良好で、両面に露出する導電パターンを異なる形状に設計可能な汎用性を有する発熱素子搭載用基板、その製造方法、及び半導体パッケージを提供する。
【解決手段】発熱素子搭載用基板２は、樹脂フィルム２０と、樹脂フィルム２０の第１面２０ａ上に形成された複数の配線パターン２１と、樹脂フィルム２０に形成された複数の貫通孔２２に充填された導電性材料からなる複数の充填部２３とを備え、複数の配線パターン２１のうちの少なくとも１つの面積は、樹脂フィルム２０の第１面２０ａの面積の３０％以上であり、充填部２３は、第１面２０ａ側から見たとき、配線パターン２１からはみ出したはみ出し部を有し、第２面２０ｂ側から見たとき、充填部２３と配線パターン２１とが重なった面積が配線パターン２１の面積の５０％以上であり、樹脂フィルム２０にＬＥＤ素子３が搭載される。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とアルミニウムからなる回路層および緩衝層との接合界面に余剰ろう材が残存しない電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の一方の面に電子素子を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付され、他方の面にアルミニウム層（13）がろう付された電子素子搭載用基板（1）であって、前記アルミニウム回路層（12）およびアルミニウム層（13）の少なくとも一方は、母材（20）（22）の絶縁基板側にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる微細結晶層（21）（23）がクラッドされたクラッド材で構成され、ろう付後の前記微細結晶層（21）（23）の結晶粒の平均粒径が１０〜５００μｍとなされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とアルミニウム層との接合界面に余剰ろう材が残存せず、かつ非対称形状に起因する熱ひずみを低減しうる電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の一方の面に電子素子（18）を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付され、他方の面にアルミニウム層（13）がろう付された電子素子搭載用基板であって、前記アルミニウム層（13）の少なくとも絶縁基板（11）側の層が、ろう付後の結晶粒の平均粒径が１０〜５００μｍとなされ、かつ引張強さが１３０Ｎ／ｍｍ^２以下となされたアルミニウムまたはアルミニウム合金で構成されている。 （もっと読む）

【課題】一方の面に回路用の金属層が形成され、他方の面に放熱用フィンが形成されてなる放熱用フィン付き回路基板の製造で、製造効率を低下させることなく、薄く、高く、微小ピッチで放熱性に優れたフィンを有する、同回路基板を製造できるようにする。
【解決手段】セラミック基板１０の表裏両面に、アルミニウム板２１を接合して金属層を形成する。その後、回路用の金属層ではない方の金属層であるアルミニウム板２１の表面に、放熱用フィン形成用の金属部位４０を、コールドスプレーによって追加的に肉盛加工する。その後、この金属部位４０に、切り起こし法によってフィン４１を形成する。従来のように、フィンが別途製造された部品を、後でロウ付けするのでなく、一体形成された金属部位４０を切起こしてフィンを形成するものであるから、フィンに座屈等の変形を生じさせることなく、薄く、微小ピッチのフィン付きの回路基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とアルミニウム回路層との接合界面に余剰ろう材が残存せず、かつ冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面のしわが抑制される電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の少なくとも一方の面に電子素子（18）を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付された電子素子搭載用基板（1）であって、前記アルミニウム回路層（12）は、ろう付後の結晶粒の平均粒径が１０〜５００μｍとなされ、かつ引張強さが４５Ｎ／ｍｍ^２以上となされたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 セラミックス回路基板の回路パターン周縁部に発生する凹凸を生じにくいセラミックス回路基板用素材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、セラミックス基板上に形成された導電部を含んだ回路基板を形成するためのセラミックス回路基板用素材であって、前記導電部の所望の回路パターンを形成する際に、印刷マスクを用いて塗布されたエッチングレジスト膜の硬化後の回路パターン中央部の平均厚さを３０μｍ〜６０μｍとするとともに回路パターン周縁部の最大厚さを回路パターン中央部の平均厚さよりも５μｍ以上厚く形成したセラミックス回路基板用素材である。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクルにおける接合強度が高く、かつ冷却効率の高い放熱構造体、パワーモジュール、放熱構造体の製造方法およびパワーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】パワーモジュール１は、絶縁性を有するセラミックス基板１０と、該セラミックス基板１０の表面にろう材により接合された金属又は合金からなる金属部材５０と、該金属部材５０の表面に、金属又は合金からなる粉末をガスと共に加速し、表面に固相状態のままで吹き付けて堆積させることによって形成された放熱部４０とを備え、放熱部４０内部にはヒートパイプ６０が埋設されている。 （もっと読む）

【課題】温度サイクルに対する信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態の半導体装置は、第１の半導体チップと、緩衝体と、ターミナルリードと、を備える。第１の半導体チップは、第１の電極と、第１の電極とは反対側に設けられた第２の電極と、を有し、第１の電極と第２の電極との間に電流が流れる。緩衝体は、第２の電極に電気的に接続された下部金属箔と、下部金属箔を介して第２の電極上に設けられたセラミックス片と、セラミックス片の下部金属箔とは反対側に設けられ下部金属と電気的に接続された上部金属箔と、を有する。ターミナルリードは、一端が、上部金属箔上に設けられ、上部金属箔と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】表裏両面に電極を備えた半導体素子が発する熱に起因する応力による半導体モジュールの損傷を抑制する。
【解決手段】半導体モジュールは、放熱器と、配線パターンが形成され、表裏両面に電極を有する配線基板と、配線基板の所定面側に配置された半導体素子と、配線基板の所定面上に配置され、半導体素子と配線パターンとを接続するための配線部、および配線基板の周囲に位置する絶縁接合部を有する接合部と、前記半導体素子の所定面側に配置された電極配線と、前記放熱器に接着されることなく載置された絶縁層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を抑制することができるヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板１２の一方の面に回路層１３が形成されるとともに他方の面に金属層１４が形成されたパワーモジュール用基板１１と、金属層１４側に接合されてパワーモジュール用基板１１を冷却するヒートシンク１７とを備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板１０であって、金属層１４とヒートシンク１７とが直接接合されており、回路層１３の厚さＡと金属層１４の厚さＢとの比率Ｂ／Ａが、２．１６７≦Ｂ／Ａ≦２０の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とサーマルビアとの界面におけるクラックの抑制および発光素子で発生した熱の放熱性の向上。
【解決手段】配線基板２０は、外部接続用電極層１２０、セラミックス層１３０および配線層１４０を備える。セラミックス層１３０は、アルミナとホウ珪酸ガラスを材料として形成されており、熱伝導率が６Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。セラミックス層１３０は、複数の第１のサーマルビア１３２、および、第１のサーマルビア１３２より小さい直径を有する第２のサーマルビア１３４を配置することにより、熱伝導率の低いセラミックス層１３０を用いた配線基板２０において、発光素子１５０で生じる熱の放熱性能を向上している。第１のサーマルビア１３２は、発光素子搭載領域１５０ａ内に格子状に配置され、第２のサーマルビア１３４は、隣接する全ての第１のサーマルビア１３２から等距離離れた位置に配置されている。 （もっと読む）