【課題】電気的不具合の発生が抑えられた、高品質、高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０Ａは、基板１１の上方に配設された半導体素子１２と、半導体素子１２の上方に配設された熱伝導材１６と、熱伝導材１６の上方に配設された放熱体１７とを含む。放熱体１７は、半導体素子１２との対向領域の外側に配設されて基板１１側に突出する複数の突起１７ｂを有する。製造時に半導体素子１２上から熱伝導材１６が流出する場合でも、その流出する熱伝導材１６を突起１７ｂにより放熱体１７側に濡れ拡がらせ、基板１１側への熱伝導材１６の流出や飛散、それによる電気的不具合の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】回路層を、変形抵抗が大きな銅または銅合金で構成しても、セラミックス基板の一方側と他方側とで絶縁性を確保することができるパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を用いたヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面側に回路層１２が形成され、この回路層１２の一方の面に電子部品３が搭載されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、銅または銅合金で構成されており、セラミックス基板１１と回路層１２との間には、セラミックス基板１１の一方の面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなる緩衝アルミ層１６と、回路層１２の他方の面に接合された補助セラミックス板１７と、が介装されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板に大きな反りが生じることがなく、かつ、金属層においてブローホール等の欠陥が発生することなく、回路層が銅板で構成されるとともに金属層がアルミニウム板で構成されたパワーモジュール用基板を安定して製造することができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面に、銅又は銅合金からなる銅板２２を接合して回路層１２を形成する銅板接合工程と、セラミックス基板１１の他方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム板２３を接合して金属層１３を形成するアルミニウム板接合工程と、を有し、前記銅板接合工程では、銅板２２とセラミックス基板１１とを、液相温度が前記アルミニウム板の融点未満とされた接合材２４を用いて接合する構成とされており、銅板接合工程とアルミニウム板接合工程とを同時に行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とアルミニウム回路層との接合界面に余剰ろう材が残存せず、かつ冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面のしわが抑制される電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板（11）の少なくとも一方の面に電子素子（18）を搭載するアルミニウム回路層（12）がろう付された電子素子搭載用基板（1）であって、前記アルミニウム回路層（12）は、ろう付後の結晶粒の平均粒径が１０〜５００μｍとなされ、かつ引張強さが４５Ｎ／ｍｍ^２以上となされたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と実装基板との間の接合材層に生じた応力を緩和できる半導体装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】実装基板４と、前記実装基板上に、電気伝導性を有する熱可塑性接合材層５を介して実装された半導体素子２，３と、前記半導体素子を通電制御する制御手段６と、を備えた半導体装置において、前記制御手段は、所定条件で前記熱可塑性接合材層を少なくとも軟化させる応力緩和制御を実行する。 （もっと読む）

【課題】 両面冷却型の半導体パワーモジュールにおいて、半導体チップの放熱性や信頼性の低下を抑えつつ、溢れたはんだによるリードフレーム間のショートや半導体チップ面内でのショートの発生を防止する。
【解決手段】 半導体素子と、第１の突起面が半導体素子の一方の面に形成された電極部とはんだで接続されている第１のリードフレームと、半導体素子の前記一方の面と反対側の面に形成された電極部とはんだで接続されている第２のリードフレームと、第１のリードフレームと熱的に接続された第１の放熱部材と、第２のリードフレームと熱的に接続された第２の放熱部材とを備えた両面冷却型半導体パワーモジュールにおいて、第１の突起面は半導体素子の一方の面に形成されたはんだ接続する電極部よりも小さい形状を有し、第１の突起面と電極部との形状の寸法差が第１の突起面の方向により異なるように構成した。 （もっと読む）

【課題】 被覆ベースプレートを含む半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は基板（１２２）に結合された半導体チップと基板（１２２）に結合されたベースプレートとを含む。ベースプレートは、第２の金属層（１０６）に接合する第１の金属層（１０８）クラッドを含む。第２の金属層（１０６）はピン−フィンまたはフィンの冷却構造（１１２）を設けるように変形される。第２の金属層（１０６）はピンもピン−フィンも有しない副層（１１３）を有する。第１の金属層（１０８）は第１の厚さ（ｄ１０８）を有し、副層（１１３）は第２の厚さ（ｄ１１３）を有する。第１の厚さ（ｄ１０８）と第２の厚さ（ｄ１１３）の比は少なくとも４：１である。 （もっと読む）

【課題】低コストで容易に製造でき、しかも熱を散逸させる能力が高い電子制御装置を提供する。
【解決手段】プリント基板１１５は、ケース１１７とカバー１１９とによって挟まれた状態で、プリント基板１１５を貫くネジにより、筐体に固定されている。プリント基板１１５の搭載面には、モールド部品１１３が搭載され、このモールド部品１１３はプリント基板１１５とカバー１１９との間に配置されている。カバー１１９には突出部１２３が設けられ、この突出部１２３とモールド部品１１３との間には熱伝導材１２５が配置される。 （もっと読む）

【課題】放熱効果及び層間熱膨張係数の差から発生する反り現象を防止できるとともに、層間熱膨張係数の差による内部変形率の差から発生する内部クラックを防止できる半導体パッケージ基板を提供する。
【解決手段】ベース基板１１０と、ベース基板１１０の上部に実装される実装材１２０と、ベース基板１１０と実装材１２０との間に形成される接着層１４０と、を含み、接着層１４０は、熱伝導性接着剤１４１と、熱伝導性接着剤１４１の外周に形成される軟性接着剤１４３と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】ろう付中の被ろう付部材の位置ずれを抑制しうるろう付治具を提供する。
【解決手段】ろう付治具10は、第１金属板１、絶縁板２および第２金属板３を、隣り合うものどうしの間に所定大きさの平面が面接触した面接触部分を有するように積層した状態でろう付する際に用いられる。ろう付治具10は、第１金属板１、絶縁板２および第２金属板３を支持する支持部材11と、支持部材11に支持された第１金属板１上に載せられる押圧板12と、支持部材11の上方に間隔をおいて上下動自在に配置される加圧部材13と、押圧板12と加圧部材13との間に配置されたコイルばね14とを備えている。コイルばね14は、加圧部材13が下降した際に圧縮されるとともに、圧縮された際の反発力を押圧板12に伝える。押圧板12とコイルばね14との間に球体15を配置する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パワーモジュールパッケージ及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のパワーモジュールパッケージ１００は、メタル材質からなるベース基板１１０と、ベース基板１１０の内部に冷却物質が流れるように形成された冷却チャンネル２００と、ベース基板１１０の外面に形成された陽極酸化層１２０と、陽極酸化層１２０を有するベース基板１１０の第１の面に形成された回路及び接続パッドを含むメタル層１３０と、メタル層１３０上に実装された半導体素子１４０と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンデンサを備え、かつ、高温動作が可能な半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】本半導体モジュールは、半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続されるコンデンサと、冷却器と、を備え、前記半導体素子と前記コンデンサとは、前記冷却器を挟んで積層されており、積層方向から視て、前記半導体素子は前記コンデンサと重複する位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】第１の半導体素子および第２の半導体素子について、各半導体素子の両側にヒートシンクを配置するとともに、各半導体素子におけるヒートシンク間を、導電部を介して電気的に接続してなる半導体装置において、導電部による接続を適切に確保できるようにする。
【解決手段】第２のヒートシンク２０から第３のヒートシンク３０側に延び第２のヒートシンク２０と第３のヒートシンク３０とを電気的に接続する導電部９０を備え、第３のヒートシンク３０における導電部９０との接続部位には、導電性接着材８０を溜める凹部１００が設けられており、この凹部１００に導電部９０の先端側が挿入されて導電性接着材８０によって接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＱＦＮパッケージを、基板上にはんだ接続してなる電子装置において、はんだの厚さを厚く確保するのに適した新規な構成を提供する。
【解決手段】ヒートシンク接続ランド２１０における周辺部に、ソルダーレジスト２３０がオーバーラップしており、ヒートシンク接続ランド２１０におけるソルダーレジスト２３０よりも内側の部位に、はんだ３００が存在しており、オーバーラップしたソルダーレジスト２３０を介して、モールドパッケージ１００とヒートシンク接続ランド２１０とが接触することで、モールドパッケージ１００と基板２００との間におけるはんだ３００の厚さが規定されている。 （もっと読む）

【課題】応力緩和性及び耐熱性を両立する半導体接合構造体及びその製造方法を実現する。
【解決手段】半導体素子１０２と電極１０３とが接合部２１２を挟んで接合された半導体接合構造体において、接合部２１２は、電極１０３に接する第１金属間化合物層２０７と、半導体素子１０２に接する第２金属間化合物層２０８と、第１金属間化合物層２０７及び第２金属間化合物層２０８に挟まれた金属層とを備える。金属層は、Ｓｎ含有相２１０と、金属間化合物からなり且つＳｎ含有相に分散された複数の結晶粒塊２０９とを含み、それぞれの結晶粒塊２０９は、第１金属間化合物層２０７及び第２金属間化合物層２０８に対し、いずれとも離れているか、又は、いずれか一方のみに接している。 （もっと読む）

【課題】冷却性に優れコンパクトな半導体装置の提供。
【解決手段】半導体チップ２の上面に形成された電極パッド３ａ、３ｂには、それぞれ金属ワイヤ４によってリード端子５ａおよび制御リード端子５ｂが接続されている。半導体チップ２の裏面電極３ｃには、はんだ６を介して導電性金属により形成されたダイパッド７が接合されている。ダイパッド７の下面には、セラミックス板により形成され、所定の強度と絶縁性を備えた絶縁板８が接合されている。この状態で合成樹脂材料が充填され、樹脂筐体９によって、半導体チップ２、電極パッド３ａ、３ｂ、裏面電極３ｃ、金属ワイヤ４、リード端子５ａ、制御リード端子５ｂ、ダイパッド７および絶縁板８が覆われる。ダイパッド７の下方に配置された絶縁板８の底面は、樹脂筐体９から露出している。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とヒートシンクとが応力緩和材を介してろう材箔によってろう付された放熱装置の製造において、接合に供されない余剰ろう材量を減らすことができるろう材箔を提供する。
【解決手段】応力緩和材２０は少なくとも片面に開口する応力吸収空間２１を有し、この応力緩和材２０の応力吸収空間２１が開口する面に絶縁基板１１またはヒートシンク１３を接合するために絶縁基板１１またはヒートシンク１３と応力緩和材２０との間に介在させる放熱装置用ろう材箔６０、７０であって、応力緩和材２０の応力吸収空間２１の開口部に相対する開口部対応領域６１、７１に、開口部対応領域の少なくとも一部が切除されて貫通部６２、７２が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂から放熱面を露出させるために封止樹脂および放熱面の研削や切削を不要とすることができる構造を提供する。
【解決手段】第２ヒートシンク４０に凹部４３を設け、この凹部４３内に第１封止樹脂５０を設ける。このように、凹部４３に第１封止樹脂５０が配置されることにより、凹部４３の底面４４とは反対側に位置する第２放熱面４１が第１封止樹脂５０に埋没されることはない。また、第１封止樹脂５０の最上面５１を第１放熱面１１よりも第１端面１２側に位置させる。これにより、第１放熱面１１が第１封止樹脂５０に被覆・埋没されることはない。したがって、第１封止樹脂５０から各放熱面１１、４１を露出させるために第１封止樹脂５０および各放熱面１１、４１を研削もしくは切削する必要がない。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とヒートシンクとが応力緩和材を介してろう付された放熱装置において、余剰ろう材による応力吸収空間の塞がりを防止する。
【解決手段】 絶縁基板（11）の一面側に電子素子搭載用の回路層（12）が接合され、他面側に応力緩和材（20）を介してヒートシンク（13）が接合された放熱装置（1）であって、前記応力緩和材（20）は、絶縁基板（11）側およびヒートシンク（13）側の両面に開口する少なくとも１つの応力吸収空間（21）を有し、前記応力吸収空間（21）の内壁面（22）に、絶縁基板（11）側およびヒートシンク（13）側の両方の開口部に通じて、応力緩和材（20）と絶縁基板（11）との接合部の余剰ろう材をヒートシンク（13）側に誘導する案内部（23）が形成されている。 （もっと読む）