【課題】この発明は、金属配線部材とヒートシンクとの間に介装される絶縁樹脂層の厚みを高精度に管理できるようにし、要求される電気絶縁性と熱伝導性を安定して確保することができる電力変換装置およびその製造方法を得る。
【解決手段】半導体素子３が表面に搭載された金属配線部材４、金属配線部材４の裏面を露出させて、金属配線部材４および半導体素子３を埋設するモールド樹脂５、およびモールド樹脂５から延出する入出力端子７，９を有するパワーモジュール２と、金属配線部材４の露出面に対向して配設されるヒートシンク１１と、モールド樹脂４の金属配線部材４の露出面の外側部位とヒートシンク１１との間に挟持されて、金属配線部材４の露出面とヒートシンク１１との間に所定の隙間を形成する樹脂厚み規制部材１３と、金属配線部材４の露出面を覆うようにパワーモジュール２とヒートシンク１１との間に充填された絶縁樹脂層１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】硬化反応速度が比較的速く、接着能力の長期持続性に優れた熱硬化性接着剤で絶縁樹脂層が形成された放熱用部材を提供し、放熱性に優れた半導体モジュールを容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】窒化ホウ素粒子（Ａ）とエポキシ樹脂（Ｂ）とフェノール樹脂（Ｃ）とを含有する熱硬化性接着剤からなる絶縁樹脂層１０を有し、絶縁樹脂層１０の一面側を被着体に接着硬化させて被着体の熱を絶縁樹脂層１０を通じて放熱する放熱用部材１で、窒化ホウ素粒子が４０体積％以上６５体積％以下の割合で含有し、エポキシ樹脂としては、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂が含有され、フェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂の内の少なくとも１種が含有され、さらにテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートが含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子モジュール内に収納する電子部品の垂直方向伝導面と鉛直面とが一致する場合に、部品接触面にサーマルグリスを塗布してもグリスの流出を抑えることのできる電子部品の放熱構造及びこれを有する電子モジュールを提供する。
【解決手段】底面部、この底面部と交差する側面部を有するモジュールケース１と、モジュールケース１に収納された電子部品５と、モジュールケース１の底面部２及び側面部３上に固定され、底面部２と側面部３とが交差する隅部分に接触するＬ字状の屈曲部７を有する板で構成され、電子部品５とモジュールケース１との間に介在し、電子部品５が発する熱をモジュールケース１へ伝導させる取り付け補助板６とを備え、取り付け補助板６と底面部２との間に第１のサーマルグリス層８を有し、取り付け補助板６と側面部３との間に、屈曲部７によって第１のサーマルグリス層８と隔絶された第２のサーマルグリス層９を有する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性が高く、且つ応力緩和能が高い熱伝導部材を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体素子２０と放熱板３０との間に介在し、半導体素子２０と放熱板３０とを熱的に接続するとともに、半導体素子２０と放熱板３０とを接合する熱伝導部材４０を有する。この熱伝導部材４０は、金属箔５０と、半導体素子２０と放熱板３０との積層方向に延在し、金属箔５０上に平面方向に並んで設けられた第１及び第２柱状導体５１，５２とを有する金属層４１と、金属層４１を被覆する樹脂層４２とを有している。 （もっと読む）

【課題】熱伝導体が放熱部材に近づくように反った場合であっても、熱伝導体と放熱部材との間から熱伝導性グリスが外部に押し出されるのを抑えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、熱伝導体１０と、熱伝導体の一方の面１１に設けられた半導体チップ２１と、熱伝導体の他方の面１２に、自身の接続平面２２ａが対向するように配された放熱部材２２と、熱伝導体の一方の面、および半導体チップを封止するモールド樹脂２３と、熱伝導体の他方の面と放熱部材の接続平面との間に設けられた熱伝導性グリス２４と、を備え、熱伝導体の他方の面は、接続平面から離間した中央領域１３と、中央領域を囲うとともに接続平面に少なくとも一部が当接した縁領域１４とを有している。 （もっと読む）

【課題】 両面冷却型の半導体パワーモジュールにおいて、半導体チップの放熱性や信頼性の低下を抑えつつ、溢れたはんだによるリードフレーム間のショートや半導体チップ面内でのショートの発生を防止する。
【解決手段】 半導体素子と、第１の突起面が半導体素子の一方の面に形成された電極部とはんだで接続されている第１のリードフレームと、半導体素子の前記一方の面と反対側の面に形成された電極部とはんだで接続されている第２のリードフレームと、第１のリードフレームと熱的に接続された第１の放熱部材と、第２のリードフレームと熱的に接続された第２の放熱部材とを備えた両面冷却型半導体パワーモジュールにおいて、第１の突起面は半導体素子の一方の面に形成されたはんだ接続する電極部よりも小さい形状を有し、第１の突起面と電極部との形状の寸法差が第１の突起面の方向により異なるように構成した。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールからの熱伝導効率を向上させて冷却性能を向上させることができるパワーモジュールの冷却構造を提供する。
【解決手段】電流が流れることで熱が発生する電子部品を搭載したパワーモジュール１を伝熱部材２に実装し、この伝熱部材２を介してパワーモジュール１の発生熱をインバータケース１１に放熱する。伝熱部材２には、パワーモジュール１の実装面２１の反対側に突出する膨出部２２を設け、この膨出部２２をインバータケース１１の内面に面接触させて接着し、伝熱部材２とインバータケース１１との間の接触熱抵抗を低下する。 （もっと読む）

【課題】優れた放熱性能を有し、製造コストの低いヒートシンク一体型の電力変換用パワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】組立ての完了した半導体装置の金属ベース板と、ヒートシンクとの間に、はんだ板と熱源となる反応性金属箔を挿入して加圧し、反応性金属箔に電流を通電して発火させてはんだ板を溶融させ、室温下で瞬時に金属ベース板とヒートシンクを接合する。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に搭載された半導体素子の上面と回路基板とを接続部材を介して電気的に接続するとともに、半導体素子の上面に放熱用のヒートシンクを設けてなる半導体装置において、ヒートシンクの樹脂バリ付着を防止しつつ、半導体素子の上面と回路基板の一面側との電気的接続、および、半導体素子の上面からの放熱を適切に行う。
【解決手段】接続部材は、板状をなすリードフレーム３０であり、リードフレーム３０は、一端部３１側が半導体素子２０の上面２１の周辺部に電気的に接続され、他端部３２側が回路基板１０の一面１１まで延びて当該他端部３２が回路基板１０の一面１１側に電気的に接続されたものであり、ヒートシンク３０は、半導体素子２０の上面２１の中央部、および、リードフレーム３０の一端部３１側の上面３０ｂに放熱性接続材５０を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とヒートシンクとが応力緩和材を介してろう材箔によってろう付された放熱装置の製造において、接合に供されない余剰ろう材量を減らす。
【解決手段】 応力緩和材（20）は少なくとも片面に開口する応力吸収空間（21）を有し、この応力緩和材（20）の応力吸収空間（21）が開口する面に絶縁基板（11）またはヒートシンク（13）を接合するために絶縁基板（11）またはヒートシンク（13）と応力緩和材（20）との間に介在させる放熱装置用ろう材箔（30）（40）であって、前記応力緩和材（20）の応力吸収空間（21）の開口部に相対する開口部対応領域の一部もしくは全部に、ろう材箔を厚み方向に貫く貫通部（32）（42）がろう材箔を切除することなく形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の放熱性能を向上させる。
【解決手段】半導体素子１と、半導体素子１が表面に実装される金属板２と、半導体素子１が実装された領域の金属板２の裏面２ｂに設けられる金属膜１０と、金属板２の裏面側に設けられ、半導体素子１を冷却する冷却器４と、金属板２と冷却器４との間に設けられ、金属板２の裏面２ｂ及び金属膜１０に密着する充填材６と、を備え、金属膜１０は、金属板２よりも線膨張係数が低く、かつ、充填材６よりも熱伝導率が高い、ことを特徴とする半導体装置１００である。 （もっと読む）

【課題】熱変化に曝されたときに、半導体素子で発生する熱の伝熱経路に存在する部材間に印加される応力を緩和可能な半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】半導体モジュール１は、絶縁基板２０と冷却器１０と接触部材３４とを備えている。接触部材３４は、絶縁基板２０と冷却器１０の間に設けられており、絶縁基板２０と冷却器１０の少なくともいずれか一方に対して点接触又は線接触していることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】放熱用ヒートシンクを加工する必要がなく、電子部品の設置位置の自由度が広がり、コンパク化ができるとともに機械による実装ができ、省力化を図れる放熱構造を提供する。
【解決手段】貫通孔を形成した基板１０と、有底筒体部２１の開口縁に外向フランジ部２２を形成したプレート部材２０とを備えている。前記基板の貫通孔１１に前記プレート部材の有底筒体部を嵌着するとともにその底面を前記基板の表面と略面一にし、前記プレート部材の有底筒体部の底面に電子部品３０を設置するとともに前記プレート部材の外向フランジ部に放熱用ヒートシンク４０を接触させた基板装置である。 （もっと読む）

【課題】複数の冷却器を用いずに、簡素な構造で冷却性能を確保出来る電力変換装置を提供することである。
【解決手段】冷却器１０１と、冷却器１０１の主面１０３に並べられる半導体１０４と、半導体１０４が冷却器１０１と接する面と対向する面に接し、半導体１０４を覆うように設けられる断面がコの字型の放熱体１０５と、冷却器１０１の主面側１０３を覆うように設けられる冷却器１０１のカバー部材１０８と、カバー部材１０８と放熱体１０５との間に介在し、放熱体１０５と半導体１０４とを接触させる方向に付勢力Ｆａを付与するバネ部材１０９とを備え、少なくとも一部が冷却器１０１と放熱体１０５との端部とに接する弾性部材１１０とを更に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス層が形成されたシリコン基板等の半導体基板の積層体において、高い熱伝導率を有する層間充填材組成物により充填された三次元集積回路積層体を提供する。
【解決手段】半導体デバイス層が形成された半導体基板を少なくとも２層以上積層した半導体基板積層体を有し、該半導体基板間に、樹脂（Ａ）及び無機フィラー（Ｂ）を含有し、熱伝導率が０．８Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の第１の層間充填材層を有する三次元集積回路積層体。 （もっと読む）

【課題】放熱及び電磁シールドの機能を有する半導体装置を、部材数を抑えて実現する。
【解決手段】半導体装置１０Ａは、基板１１と、基板１１の上方に設けられた半導体素子１２を含み、更に、半導体素子１２を被覆し、且つ、基板１１に設けられた接続パッド１１ｂに接続された、はんだ材料からなる熱伝導材１５を含む。このような熱伝導材１５の上方に放熱体１７が設けられる。半導体素子１２と放熱体１７の間を熱的に接続する熱伝導材１５によって、半導体素子１２からの電磁的ノイズの放射や半導体素子１２への電磁的ノイズの入射を抑制する。 （もっと読む）

【課題】冷却対象物と接触していない伝熱部に結露が生じることを抑制する。
【解決手段】冷却ユニット１０は、冷却体によって冷却される冷却部１２と、冷却部１２と接触される第一接触部１４Ａ、及び、冷却対象物と接触される第二接触部１４Ｂをそれぞれ有する複数の伝熱部１４と、複数の伝熱部１４の各々を、冷却部１２に接触した位置に独立して移動可能に、冷却部１２から離間した位置に支持している支持部１８とを備えている。この構成によれば、冷却対象物と接触していない伝熱部１４は、冷却部１２から離間された状態に保たれるので、この伝熱部１４に結露が生じることを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】小電流用配線が自身よりも大電流が流れる部位と導通することを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】大電流が流れるエミッタ用パッド１２ａ及びコレクタ用パッド１２ｂと、小電流が流れる小電流用配線（１３１，１３３，１３４）とを含む半導体チップ１０と、コレクタ用パッド１２ｂに電気的に接続された金属からなるコレクタ用端子３０と、エミッタ用パッド１２ａに電気的に接続された金属からなる第２部材（ブロック体５０及びエミッタ用端子２０）とを備え、半導体チップ１０、ブロック体５０、エミッタ用端子２０、コレクタ用端子３０が一体的にモールド樹脂６０にてモールドされた半導体装置１００である。この第２部材（ブロック体５０及びエミッタ用端子２０）は、一部がモールド樹脂６０の外部に露出し、小電流用配線（１３１，１３３，１３４）を覆っている絶縁性保護膜８０に対向する位置にスリット部５１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
電子機器内で発生する単数または複数の局所的な高温部を冷却することができ、冷却対象となる部品の大きさや形状、そして周囲の構造物による搭載制限の影響を受けることなく使用できる、変形が可能な帯状の放熱板を提供する。
【解決手段】
基板上に搭載される１又は２以上の発熱部品を１つの放熱板により冷却する冷却構造であって、前記放熱板を、所定の曲げ形状を連続して繰り返して薄い帯状に形成し、前記放熱板の曲げ形状の一部を前記発熱部品に密接する。 （もっと読む）

【課題】小型化された半導体装置においても、効率よく放熱することが可能であり、放熱不足による劣化や故障を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体素子１０の一面が半田バンプ２０を介してプリント基板２にフリップチップ実装された半導体装置１Ａ（１）であって、前記半導体素子の他面が、弾性を有する放熱体３を介して前記半導体素子及び前記プリント基板とは異なる物体４に接触し、かつ、接触したときに前記放熱体が弾性変形した状態にあること、を特徴とする。 （もっと読む）