【課題】優れた熱伝導性及び絶縁性が安定して得られ、且つ生産性にも優れる樹脂封止型半導体装置用基板、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属ベース材２上に、少なくとも、エポキシ樹脂と、紫外線硬化型硬化剤及び熱硬化型硬化剤、又は熱紫外線硬化型硬化剤と、無機フィラーとを含有し、前記無機フィラーの含有量が５０〜８０体積％であるエポキシ樹脂組成物で、Ｂステージ状態の絶縁層２ｂを形成して、金属ベース基板１とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の熱伝導性が高く、かつ絶縁層と導電層との接着性が高い積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る積層体１は、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体２と、熱伝導体２の表面に積層されている第１の絶縁層３と、第１の絶縁層３の表面に積層されている第２の絶縁層４とを備える。積層体１は、第２の絶縁層３に導電層が積層されて用いられる。第１の絶縁層３が、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーを８６重量％以上、９７重量％未満で含み、かつ第２の絶縁層４が、無機フィラーを６７重量％以上、９５重量％未満で含む。第１の絶縁層３の硬化率が５０％以上であり、第２の絶縁層４の硬化率が８０％未満であり、かつ第１の絶縁層３の硬化率が第２の絶縁層４の硬化率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、型締め処理時における金属異物発生の抑制、かつ、モールド金型の長寿命化を図ることが可能な、ヒートシンク付き半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が集積された半導体チップが設置される上面を上向きにした状態で、ヒートシンク１０を下側金型１１０のステージ１１１に載置する。ヒートシンク１０の上面を上側金型１２０で押さえ付ける。その後、モールド樹脂止め用のスライド金型１３０をスライド移動させて、ステージ１１１上のヒートシンク１０の側面に押し当てる。これにより、ヒートシンク１０が樹脂モールドされる箇所と、ヒートシンク１０が樹脂モールドされずに外部に露出する箇所との境界部分を、モールド金型１００において確実に樹脂止めできる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導体が放熱部材に近づくように反った場合であっても、熱伝導体と放熱部材との間から熱伝導性グリスが外部に押し出されるのを抑えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、熱伝導体１０と、熱伝導体の一方の面１１に設けられた半導体チップ２１と、熱伝導体の他方の面１２に、自身の接続平面２２ａが対向するように配された放熱部材２２と、熱伝導体の一方の面、および半導体チップを封止するモールド樹脂２３と、熱伝導体の他方の面と放熱部材の接続平面との間に設けられた熱伝導性グリス２４と、を備え、熱伝導体の他方の面は、接続平面から離間した中央領域１３と、中央領域を囲うとともに接続平面に少なくとも一部が当接した縁領域１４とを有している。 （もっと読む）

【課題】表面実装型の半導体装置を回路基板の搭載面に実装した状態において、半導体チップの熱を効率よく外部に逃がせるようにする。
【解決手段】導電性を有する板状のダイパッド１０と、ダイパッドの上面に固定される半導体チップ２０と、導電性を有する帯板状に形成されて、その長手方向の一端部が半導体チップに電気接続されるリード３０，４０と、ダイパッドの下面に重ねて固定される放熱基板５０と、リードの他端部４２及び放熱基板の下面５０ｂが露出するように、ダイパッド、半導体チップ、リード及び放熱基板を封止するモールド樹脂６０とを備え、放熱基板が、その下面をなして導電性を有する金属板５１、電気的な絶縁性を有する絶縁層５２、及び、金属板よりも薄い導電性層５３を順番に積層して構成され、放熱基板の下面が、リードの他端部のうち回路基板の搭載面に対向させる接合面３２ｂ，４２ｂと同一方向に向いている半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】 両面冷却型の半導体パワーモジュールにおいて、半導体チップの放熱性や信頼性の低下を抑えつつ、溢れたはんだによるリードフレーム間のショートや半導体チップ面内でのショートの発生を防止する。
【解決手段】 半導体素子と、第１の突起面が半導体素子の一方の面に形成された電極部とはんだで接続されている第１のリードフレームと、半導体素子の前記一方の面と反対側の面に形成された電極部とはんだで接続されている第２のリードフレームと、第１のリードフレームと熱的に接続された第１の放熱部材と、第２のリードフレームと熱的に接続された第２の放熱部材とを備えた両面冷却型半導体パワーモジュールにおいて、第１の突起面は半導体素子の一方の面に形成されたはんだ接続する電極部よりも小さい形状を有し、第１の突起面と電極部との形状の寸法差が第１の突起面の方向により異なるように構成した。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の電気的絶縁特性が損なわれることなく、かつ良好な放熱性を確保する。
【解決手段】導電性を有する板状のダイパッド１０と、ダイパッドの一面に固定される半導体チップ２０と、導電性を有しかつ帯板状に形成されて、その長手方向の一端部が前記半導体チップに電気接続されるリード３０と、ダイパッドの他面に接合される放熱部材４０と、少なくともリードの他端部が露出するように、リードの一端部、ダイパッド及び半導体チップを封止するモールド樹脂５０とを備える。放熱部材は、ダイパッドの他面に接合材を介して接合される金属箔４１、半導体チップから生じる熱を放散する放熱部４２、及び放熱部と金属箔との間に介装される絶縁層４３を有する。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクの放熱性能を高めつつ、樹脂系材料をモールドする際のヒートシンクと金型との密着不良を抑えて歩留まりの向上に寄与することのできる樹脂モールド型半導体モジュールを得ること。
【解決手段】本発明の樹脂モールド型半導体モジュールは、リードフレームと、前記リードフレームの表面に実装された半導体素子と、前記リードフレームの裏面に接着される接着部を一方面側に有し、他方面側には放熱用の凹凸部を有するヒートシンクと、前記リードフレーム、前記半導体素子、および前記ヒートシンクを、前記ヒートシンクの少なくとも前記凹凸部を露出させた状態で覆って一体的にモールドするモールド樹脂とを備え、前記凹凸部の周囲および前記凹凸部の一部に、金型と密着する平坦部または突起部を設けた （もっと読む）

【課題】放熱性に優れる発熱デバイスを提供すること。
【解決手段】発熱デバイス１は、ベース基板２と、ベース基板２の一方の面側に設けられ、通電により発熱する発熱体４と、ベース基板２の一方の面側に発熱体４を封止するように設けられ、発熱体４から発生する熱を放熱する放熱体５とを有している。また、放熱体５は、樹脂材料を主材料として構成されているか、樹脂材料に熱伝導性を有するフィラーを分散させた材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】樹脂モールド時に、突起を設けない従来と同じモールド金型を使用しても、良好なクランプ性を確保しつつ、ヒートシンクの本体部に設けた突起によって、本体部での樹脂バリの発生を抑制できるようにする。
【解決手段】ヒートシンク１０として、本体部１３と、本体部１３から外側に突出した突出片部１４とを有する平面形状であって、突出片部１４の少なくとも一部を樹脂モールド時にクランプに抑えられる被クランプ部１６とし、さらに、ヒートシンク１０の被クランプ部１６を除く部分を、パンチとダイとで挟んでプレスすることで、ヒートシンク１０の他面１２のうち被クランプ部１６を除く少なくとも本体部１３の周縁部に、突起１７が設けられたものを用いる。これによれば、ヒートシンク１０の被クランプ部１６以外をプレスして突起１７を設けることとしたので、ヒートシンク１０の被クランプ部１６の板厚を、突起を設けない従来と同じ厚さにできる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コストで簡易な構造によりパワーモジュールのワイヤを冷却可能にすることを目的とする。
【解決手段】パワーモジュールの冷却構造１０は、基板１２、基板１２に実装されたパワーモジュール１４、パワーモジュール１４における基板１２の反対側に取り付けられた放熱器１６、パワーモジュール１４の基板側に取り付けられた放熱板１８を備える。放熱板１８は伝熱部材２８を介してパワーモジュール１４に取り付けられる。放熱板１８がパワーモジュール１４の基板側に取り付けられており、ワイヤ２６から放熱板１８への距離が近いため、ワイヤ２６の熱を放熱しやすい構造になっている。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に搭載された半導体素子の上面と回路基板とを接続部材を介して電気的に接続するとともに、半導体素子の上面に放熱用のヒートシンクを設けてなる半導体装置において、ヒートシンクの樹脂バリ付着を防止しつつ、半導体素子の上面と回路基板の一面側との電気的接続、および、半導体素子の上面からの放熱を適切に行う。
【解決手段】接続部材は、板状をなすリードフレーム３０であり、リードフレーム３０は、一端部３１側が半導体素子２０の上面２１の周辺部に電気的に接続され、他端部３２側が回路基板１０の一面１１まで延びて当該他端部３２が回路基板１０の一面１１側に電気的に接続されたものであり、ヒートシンク３０は、半導体素子２０の上面２１の中央部、および、リードフレーム３０の一端部３１側の上面３０ｂに放熱性接続材５０を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】冷却性に優れコンパクトな半導体装置の提供。
【解決手段】半導体チップ２の上面に形成された電極パッド３ａ、３ｂには、それぞれ金属ワイヤ４によってリード端子５ａおよび制御リード端子５ｂが接続されている。半導体チップ２の裏面電極３ｃには、はんだ６を介して導電性金属により形成されたダイパッド７が接合されている。ダイパッド７の下面には、セラミックス板により形成され、所定の強度と絶縁性を備えた絶縁板８が接合されている。この状態で合成樹脂材料が充填され、樹脂筐体９によって、半導体チップ２、電極パッド３ａ、３ｂ、裏面電極３ｃ、金属ワイヤ４、リード端子５ａ、制御リード端子５ｂ、ダイパッド７および絶縁板８が覆われる。ダイパッド７の下方に配置された絶縁板８の底面は、樹脂筐体９から露出している。 （もっと読む）

【課題】回路基板及びリードフレームの放熱性を高め、且つ装置全体の大型化を効果的に抑制し得る構成を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、電子部品８が実装される回路基板９と、回路基板９の一部と電気的に接合されると共に、ヒートシンク２に接合されるリードフレーム５と、ヒートシンク２、及びリードフレーム５を一体的に封止するモールド樹脂７とを備えている。そして、ヒートシンク２の第１の接合面２ａが回路基板９の一方面に接合され、第２の接合面２ｂがリードフレーム５に接合されており、リードフレーム５が第２の接合面２ｂに接合されてなる接合部２０と回路基板９とが回路基板９の板面と直交する方向において少なくとも部分的に重なっている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを搭載するヒートシンクの一面のうち導電性部材接触領域と粗化領域との間に非粗化領域が形成されることを抑制する。
【解決手段】一面３０ａを有する第１ヒートシンク３０を用意すると共に、当該第１ヒートシンク３０に搭載される半導体チップ１０、２０を用意する。そして、第１ヒートシンク３０に第１導電性部材７０を介して半導体チップ１０、２０を搭載する。その後、半導体チップ１０、２０をマスクとして、半導体チップ１０、２０および第１ヒートシンク３０の一面３０ａを粗化する第１粗化処理工程を行う。 （もっと読む）

【課題】外部接続用端子の放熱部材に対する接続位置の自由度、及び外部接続用端子と放熱部材との電気的な接続信頼性を向上させることができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】コレクタ端子５０，エミッタ端子６０は、導電性接続部材９２，９５にて放熱部材３０，２０の一面に接続された接続部５１，６１と、接続部５１，６１から連続的にモールド樹脂８０の外部まで延設された延設部５３，６３と、を有し、延設部５３，６３には、接続部５１，６１から屈曲されて放熱部材３０，２０の一つの側面３３，２３に対向する対向部５２，６２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】電子部品を配線基板に実装し樹脂封止した電子装置において、小型化が可能な電子装置を提供することにある。
【解決手段】電子装置において、メタルコア配線基板２の相対する両面に電子部品９，１１が実装される。電子装置は、電子部品の発熱を放熱するためのヒートシンク１４と、メタルコア配線基板２を外部と接続する配線用リード５とを有する。メタルコア配線基板２及び電子部品が封止樹脂１により封止されている。ヒートシンク１４は、メタルコア配線基板のコアメタル３の一部であり、一体的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】凹部を含む突起を有する構造において、凹部のエアー抜けを改善し、凹部にボイドを巻き込まない構造を備えた樹脂封止型半導体装置を提供することを第１の目的とする。また、凹部内にボイドを巻き込まない構造を備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】ヒートシンク１０は、当該ヒートシンク１０の一面１１のうち半導体素子３０が実装される実装領域１６において、一面１１の面方向のうちの一方向に沿って形成された線状の凹部１４と、凹部１４の両側にそれぞれ位置する突起部１５と、により構成された線状突起１３を有している。これにより、接合層２０は凹部１４の延設方向である一方向に沿って濡れやすくなるので、凹部１４に位置するエアーが抜けやすく、凹部１４にボイドを巻き込まない構造とすることができる。 （もっと読む）

【課題】エポキシ樹脂を封止材とした絶縁シート構造のパワーモジュールにおいて、吸湿による絶縁シートの絶縁性能低下を防止することにより、長期的信頼性を向上させる。
【解決手段】金属基板１１と、絶縁シート２と、ヒートスプレッタ３と、半導体素子４と、リードフレーム５と、配線６と、封止樹脂７とを備え、金属基板１１は、その端部が湾曲形状を有するとともに封止樹脂７内に封止される。これにより、外部から絶縁シート２までの水分浸入経路を長くすることができ、吸湿による絶縁シート２の絶縁性低下を防止して、パワーモジュールの長期信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内部で発生する熱を効率的に外部へ放熱する。
【解決手段】半導体装置１は、リードフレーム２に実装された半導体素子３、半導体素子３内に設けられた第１伝熱層４、第１伝熱層４に接続された第２伝熱層５、第２伝熱層５に接続された第３伝熱層６、及び樹脂層７を含む。樹脂層７は、半導体素子３、第１伝熱層４、第２伝熱層５を封止し、樹脂層７からは第３伝熱層６が表出する。半導体素子３で発生した熱は、第１伝熱層４、第２伝熱層５、第３伝熱層６へと効率的に伝熱され、樹脂層７から表出する第３伝熱層６から外部へと放熱される。 （もっと読む）