説明

Fターム[5F136DA07]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 冷却対象 (4,540) | 樹脂封止型装置 (813) | リードフレームと別体のヒートスプレッダ (316) | ヒートスプレッダの一部が露出 (234)

Fターム[5F136DA07]に分類される特許

1 - 20 / 234



【課題】本明細書は、半導体カードと冷却プレートを交互に積層し、その積層体を積層方向に付勢して密着する半導体モジュールに関し、半導体カードと冷却プレートの間に挟んだ絶縁板を破損から保護する技術を提供する。
【解決手段】半導体モジュール100は、複数の平板型の冷却プレート2と半導体素子を収めた複数の平板型の半導体カード3を交互に積層したものである。その半導体モジュール100は、半導体カード3を冷却プレート2から絶縁する絶縁板4を、冷却プレートと半導体カードの間に挟んでいる。積層体は、板バネ14によりその積層方向に付勢され、冷却プレート2、絶縁板4、半導体カード3の密着が維持される。半導体モジュール100では、絶縁板4と対向する冷却プレート表面に窪み2aが設けられており、その窪み2aは、その縁の少なくとも一部が半導体カード3の端部よりも内側に位置するように配置されている。 (もっと読む)


【課題】半導体モジュールをヒートシンクに組み付けるときの位置決めが容易にでき、放熱特性に優れた半導体装置を得る。
【解決手段】半導体モジュール1の一面側に形成された放熱面1aをヒートシンク3の面に当接させ、放熱面1aの反対側の面から押さえ板4で押さえて保持し、押さえ板4をヒートシンクに固定して、半導体モジュール1をヒートシンク4に固定する半導体装置であって、半導体モジュール1の放熱面1aとは反対側の面に、位置決のための突起部1bを有し、押さえ板4には係合穴4cが形成され、突起部1bと係合穴4cとが係合されて半導体モジュール1がヒートシンク3に位置決めされている。 (もっと読む)


【課題】優れた放熱性能を有する電子部品搭載用パッケージ及び前記電子部品搭載用パッケージに複数の電子部品を搭載した電子部品パッケージ、並びにそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本電子部品搭載用パッケージは、導電体からなる細長状部が複数並設された電子部品搭載部と、放熱板と、前記電子部品搭載部と前記放熱板とを埋設する樹脂部と、を有し、前記放熱板上に前記電子部品搭載部が配置され、前記樹脂部上面から、前記細長状部上面が露出している。 (もっと読む)


【課題】放熱板とモールド樹脂との間の剥離の発生を適切に防止することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明による半導体装置1は、正面及び背面を有する半導体素子2と、半導体素子2の正面側に位置して半導体素子2の熱を放熱する正面側放熱板3と、半導体素子2の背面側に位置して熱を放熱する背面側放熱板4と、正面側放熱板3と半導体素子2との面方向の間隔を調節する調節部材6と、を含む半導体装置1であって、正面側放熱板3の正面と背面側放熱板4の背面を除いて半導体装置1を覆う封止材5を含み、調節部材6は封止材5よりも熱硬化収縮率が大きい樹脂層61を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】優れた熱伝導性及び絶縁性が安定して得られ、且つ生産性にも優れる樹脂封止型半導体装置用基板、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属ベース材2上に、少なくとも、エポキシ樹脂と、紫外線硬化型硬化剤及び熱硬化型硬化剤、又は熱紫外線硬化型硬化剤と、無機フィラーとを含有し、前記無機フィラーの含有量が50〜80体積%であるエポキシ樹脂組成物で、Bステージ状態の絶縁層2bを形成して、金属ベース基板1とする。 (もっと読む)


【課題】絶縁層の熱伝導性が高く、かつ絶縁層と導電層との接着性が高い積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る積層体1は、熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体2と、熱伝導体2の表面に積層されている第1の絶縁層3と、第1の絶縁層3の表面に積層されている第2の絶縁層4とを備える。積層体1は、第2の絶縁層3に導電層が積層されて用いられる。第1の絶縁層3が、熱伝導率が10W/m・K以上である無機フィラーを86重量%以上、97重量%未満で含み、かつ第2の絶縁層4が、無機フィラーを67重量%以上、95重量%未満で含む。第1の絶縁層3の硬化率が50%以上であり、第2の絶縁層4の硬化率が80%未満であり、かつ第1の絶縁層3の硬化率が第2の絶縁層4の硬化率よりも大きい。 (もっと読む)


【課題】絶縁層の熱伝導性が高く、かつ絶縁層と導電層との接着性が高い積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る積層体1は、熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体2と第1の絶縁層3と第2の絶縁層4とを備える。第1,第2の絶縁層3,4は、同一の硬化性組成物を用いて形成されている。第1,第2の絶縁層3,4はそれぞれ、熱伝導率が10W/m・K以上である無機フィラーを含む。第1の絶縁層3の硬化率が50%以上であり、第2の絶縁層4の硬化率が80%未満である。上記硬化性組成物は、25℃での粘度が15000mPa・s以下である液状エポキシ化合物を含むか、又は融点が140℃未満である結晶性エポキシ化合物を含む。 (もっと読む)


【課題】半導体モジュールと冷却装置の間の熱抵抗の増加を防止することが可能な半導体装置を得る。
【解決手段】半導体モジュール10を板バネ20で加圧しながら冷却装置30に固定する半導体装置において、半導体素子12の上面の面積の少なくとも半分以上が板バネ20の加圧部24の外周24a内に入るように配置し、半導体モジュール10の上面10aから、熱抵抗変化への影響が大きい半導体素子12上を重点的に加圧するようにした。これにより、半導体素子12直下における半導体モジュール10の変位を抑制することができ、半導体モジュール10を冷却装置30に安定して密着させることができる。その結果、半導体モジュール10と冷却装置30の間の熱抵抗の増加を防止することが可能である。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、型締め処理時における金属異物発生の抑制、かつ、モールド金型の長寿命化を図ることが可能な、ヒートシンク付き半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が集積された半導体チップが設置される上面を上向きにした状態で、ヒートシンク10を下側金型110のステージ111に載置する。ヒートシンク10の上面を上側金型120で押さえ付ける。その後、モールド樹脂止め用のスライド金型130をスライド移動させて、ステージ111上のヒートシンク10の側面に押し当てる。これにより、ヒートシンク10が樹脂モールドされる箇所と、ヒートシンク10が樹脂モールドされずに外部に露出する箇所との境界部分を、モールド金型100において確実に樹脂止めできる。 (もっと読む)


【課題】パワーモジュールの信頼性をより向上させる。
【解決手段】セラミック基板8の一方の面の電極8にはんだ付けされた能動素子13,14が樹脂2で封止されたパワーモジュールにおいて、前記セラミック基板8の他方の面に導体膜11を形成し、この導体膜11の周縁部にまで樹脂2をおよばせる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置で発生する異常発熱をより確実に検出し得る構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置2は、半導体素子10と、一対の信号パッド12、14と、温度検出ダイオードD1〜D5と、を備える。温度検出ダイオードD1〜D5は、それぞれ、一対の信号パッド12、14間に並列に接続されている。そのため、一対の信号パッド12、14間に一定の電圧を印加すると、温度検出ダイオードD1〜D5のそれぞれにおいて、温度検出ダイオードD1〜D5の近傍の温度に応じた電流I1〜I5が流れる。従って、一対の信号パッド12、14間を流れる電流Iは、各温度検出ダイオードD1〜D5を流れた電流I1〜I5の和となる。 (もっと読む)


【課題】金属細線流れによる不良を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】IGBT1を電力用リード4上に固着し、IGBT1を制御する制御用半導体素子3を制御用リード5上に固着し、制御用リード5と制御用半導体素子3を金属細線11により接続する。IGBT1と制御用半導体素子3との間において制御用リード5上に保護部材14を固着する。これらの構成をキャビティ19内に配置する。IGBT1側からキャビティ19内に樹脂16を注入する。この際に、保護部材14がキャビティ19の天井に接するため、IGBT1側から制御用半導体素子3側に向かう樹脂16の横方向の流れは保護部材14により防止される。従って、樹脂16は、IGBT1側から制御用リード5の下側に流れた後に、制御用リード5の間隙21を通って制御用リード5の下側から上側に流れて制御用半導体素子3及び金属細線11を封止する。 (もっと読む)


【課題】信頼性向上を図ることができるパワーモジュールの提供。
【解決手段】パワーモジュールは、半導体チップ156,328が搭載された導体板315,318を、導体板315,318の放熱面が露出するように樹脂で封止した一次封止体302と、放熱面と対向するように配置された放熱部307A,307Bと、一次封止体302と放熱部307A,307Bとの間に配置された絶縁層333と、を備え、絶縁層333は、含浸用樹脂が含浸されたセラミックス溶射膜333Aおよび良熱伝導性のフィラーが混入された接着用樹脂層333Bを積層したものであって、放熱部307A,307Bおよび少なくとも放熱面の全域と接するように設けられている積層体と、積層体の端部を全周にわたって覆うように、放熱部307A,307Bと一次封止体302との隙間に設けられた応力緩和用樹脂部333Cとを有する。 (もっと読む)


【課題】表面実装型の半導体装置を回路基板の搭載面に実装した状態において、半導体チップの熱を効率よく外部に逃がせるようにする。
【解決手段】導電性を有する板状のダイパッド10と、ダイパッドの上面に固定される半導体チップ20と、導電性を有する帯板状に形成されて、その長手方向の一端部が半導体チップに電気接続されるリード30,40と、ダイパッドの下面に重ねて固定される放熱基板50と、リードの他端部42及び放熱基板の下面50bが露出するように、ダイパッド、半導体チップ、リード及び放熱基板を封止するモールド樹脂60とを備え、放熱基板が、その下面をなして導電性を有する金属板51、電気的な絶縁性を有する絶縁層52、及び、金属板よりも薄い導電性層53を順番に積層して構成され、放熱基板の下面が、リードの他端部のうち回路基板の搭載面に対向させる接合面32b,42bと同一方向に向いている半導体装置1を提供する。 (もっと読む)


【課題】低コストで容易に製造でき、しかも熱を散逸させる能力が高い電子制御装置を提供する。
【解決手段】プリント基板115は、ケース117とカバー119とによって挟まれた状態で、プリント基板115を貫くネジにより、筐体に固定されている。プリント基板115の搭載面には、モールド部品113が搭載され、このモールド部品113はプリント基板115とカバー119との間に配置されている。カバー119には突出部123が設けられ、この突出部123とモールド部品113との間には熱伝導材125が配置される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、パワーモジュールの構造及び成形方法、並びにパワーモジュール成形用モールド金型に係り、半導体素子を挟んだ2つの冷却部材間にモールド樹脂が充填されるパワーモジュールの定寸管理を実現することにある。
【解決手段】半導体素子12と、半導体素子12を挟んで配置される冷却ブロック26a,26bと、2つの冷却ブロック26a,26bの間で半導体素子12を支持するフレーム部材16と、2つの冷却ブロック26a,26bの間に充填されるモールド樹脂32と、を備えるパワーモジュール10において、フレーム部材16に、2つの冷却ブロック26a,26bの間で弾性変形し得るバネ部材20を設ける。 (もっと読む)


【課題】熱伝導性および/または導電性に優れた物質と樹脂とからなる複合構造体であって、両者が良好に接合され、かつ樹脂からなる層の厚さを小さくすることが可能な複合構造体を提供する。
【解決手段】反磁性物質22の粒子と樹脂24とを金型30内に配置し、金型30内に配置された反磁性物質22に磁場を印加して、反磁性物質22を金型30の内側表面の少なくとも一部から遠ざかる方向に移動させた後、金型30内で樹脂24を硬化させて樹脂−反磁性物質複合構造体を製造することを含む方法によって、反磁性物質層12と樹脂層14とからなる樹脂−反磁性物質の複合構造体10を得る。 (もっと読む)


【課題】本体部の外面上に複数の外部端子を配置した半導体装置において、本体部を大型化させたり部品点数を増加させることなく外部端子間の絶縁距離の増大を図る。
【解決手段】複数の外部端子12の少なくとも一つに、他の外部端子側を向く部位を切り欠く切り欠き部17が設けられ、この切り欠き部17によって、前記一つの外部端子12のネジ挿通孔16が前記他の外部端子側に向けて開放される。 (もっと読む)


【課題】ボンディングを必要としなくても、信号線端子とパワー素子との電気接続が一括して行えるようにする。
【解決手段】半導体チップ7a、7bのエミッタ電極72に接合されるリードフレーム10、11を用いてゲート電極に接続される信号線端子S1、S2を構成する。そして、接合材22を用いることにより、ボンディングワイヤを用いることなく信号線端子S1、S2が半導体チップ7a、7bの信号線電極71に直接接合されるようにする。これにより、ボンディングを行わなくても良い構造の半導体モジュール4を構成することが可能となり、従来のボンディングを行う場合のようなダイボンド工程→ボンディング工程→ダイボンド工程という煩雑な経なくても済み、製造工程の簡略化を図ることが可能となる。 (もっと読む)


1 - 20 / 234