【課題】電気的不具合の発生が抑えられた、高品質、高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０Ａは、基板１１の上方に配設された半導体素子１２と、半導体素子１２の上方に配設された熱伝導材１６と、熱伝導材１６の上方に配設された放熱体１７とを含む。放熱体１７は、半導体素子１２との対向領域の外側に配設されて基板１１側に突出する複数の突起１７ｂを有する。製造時に半導体素子１２上から熱伝導材１６が流出する場合でも、その流出する熱伝導材１６を突起１７ｂにより放熱体１７側に濡れ拡がらせ、基板１１側への熱伝導材１６の流出や飛散、それによる電気的不具合の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに備えられる回路や配線の設計に影響を与えることなく、半導体チップの表面側から、半導体チップからの発熱を効率良く放熱させることができる構造体を提供する。
【解決手段】半導体装置２を、絶縁膜５と、配線６と、絶縁膜５の表面上に全面にわたって設けられた複数の第１電極７とを含む配線層８を備える半導体チップ２と、絶縁膜５の表面上の第１電極７が設けられていない領域に貼り付けられ、絶縁膜５よりも高い熱伝導率を有する高熱伝導部材１５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】向上した熱散逸能力を有するマイクロ電子デバイス構造を提供する。
【解決手段】構造は、基板１１０にフリップチップ接合される三次元（３Ｄ）集積チップアセンブリ１０５を含む。チップアセンブリは、その上に配置される能動素子１４４を含むデバイス基板１３２を含む。キャップ層１１４は、デバイス基板１３２に物理的に接合され、能動素子１４４の周囲の気密シール１４８を少なくとも部分的に画定する。マイクロ電子デバイス構造は、それを通る複数の熱散逸経路を提供し、その中で生成される熱を散逸させる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性が高く、且つ応力緩和能が高い熱伝導部材を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体素子２０と放熱板３０との間に介在し、半導体素子２０と放熱板３０とを熱的に接続するとともに、半導体素子２０と放熱板３０とを接合する熱伝導部材４０を有する。この熱伝導部材４０は、金属箔５０と、半導体素子２０と放熱板３０との積層方向に延在し、金属箔５０上に平面方向に並んで設けられた第１及び第２柱状導体５１，５２とを有する金属層４１と、金属層４１を被覆する樹脂層４２とを有している。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で、熱雑音の増大や信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素が配置されてなる画素アレイが形成される画素形成領域と、画素アレイから出力される電気信号に対する信号処理を行うロジック回路が形成されるロジック回路形成領域と、少なくとも一部がSi表面を同位体濃縮して形成されている基板とを備え、基板は、ロジック回路形成領域において発生した熱を、外装としてのパッケージに伝達するように設けられる。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】第１の基板上に第２の基板を搭載し、第２の基板上に電子部品を搭載し、さらに第２の基板上にて電子部品と放熱板とを熱的に接続してなる電子装置において、第２の基板を介することなく、放熱板から第１の基板に直接的に放熱できるようにする。
【解決手段】第１の基板１０と、一面側に電子部品３０が設けられ他面側が第１の基板１０と熱的に接続された第２の基板２０と、第２の基板２０の一面側に設けられ電子部品３０と熱的に接続された放熱板４０とを備える電子装置において、放熱板４０の周辺部には、直接第１の基板１０に熱的に接続された延設部７０が備えられ、この延設部７０は、前放熱板４０の周辺部から突出し、その先端部が第２の基板２０の貫通穴２１に挿入されて第２の基板２０の他面側に露出する突出部４１と、第２の基板２０の他面側にて突出部４１の先端部と第１の基板１０とを熱的に接続するはんだ５０とよりなる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子から多層基板への熱拡散性能の向上、および、多層基板と半導体素子との接合強度の向上。
【解決手段】半導体パワーモジュール１０は、セラミックス多層基板１００と、接合層１１０と、拡散層１２０と、半導体素子１３０を備える。接合層１１０は、セラミックス多層基板１００の第１の面１０５上に配置され、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００とを電気的に接続する導電接合部１１１と、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００とを絶縁する絶縁接合部１１２とを備える平面状の薄膜層である。こうすれば、半導体素子１３０とセラミックス多層基板１００との間における空隙の発生を抑制しつつ接合することができ、半導体素子１３０からセラミックス多層基板１００への熱拡散性能、および、セラミックス多層基板１００と半導体素子１３０との接合強度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】電子部品とその製造方法において、半導体チップとヒートスプレッダとを熱的に良好に接続すること。
【解決手段】パッケージ基板８と、パッケージ基板８上に配置された半導体チップ９と、バネ２３を介して半導体チップ９と接続されたヒートスプレッダ１５とを有する電子部品による。 （もっと読む）

【課題】フリップチップパッケージの反りまたは剥離を抑制する。
【解決手段】配線基板１００上には、バンプ３２０を介して、半導体チップ３００が搭載されている。また、配線基板１００上のうち、半導体チップ３００の周囲には、スティフナ４００が設けられている。このスティフナ４００は、半導体チップ３００の周囲に接着された接着部４２０と、半導体チップ３００の上面とのなす角θが０度より大きく、９０度より小さい傾斜部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に搭載された半導体素子の上面と回路基板とを接続部材を介して電気的に接続するとともに、半導体素子の上面に放熱用のヒートシンクを設けてなる半導体装置において、ヒートシンクの樹脂バリ付着を防止しつつ、半導体素子の上面と回路基板の一面側との電気的接続、および、半導体素子の上面からの放熱を適切に行う。
【解決手段】接続部材は、板状をなすリードフレーム３０であり、リードフレーム３０は、一端部３１側が半導体素子２０の上面２１の周辺部に電気的に接続され、他端部３２側が回路基板１０の一面１１まで延びて当該他端部３２が回路基板１０の一面１１側に電気的に接続されたものであり、ヒートシンク３０は、半導体素子２０の上面２１の中央部、および、リードフレーム３０の一端部３１側の上面３０ｂに放熱性接続材５０を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブの形成方法及び熱拡散装置に関し、カーボンナノチューブの直径の制御性を高め且つ成長密度を高める。
【解決手段】 基板表面に平均周期が２０ｎｍ〜１００ｎｍの微細な凹凸を有する凹凸形成層を形成し、前記凹凸形成層の表面上に前記凹凸の形状に沿った形状を有する酸素含有皮膜を形成し、前記酸素含有皮膜上に触媒金属層を形成したのち、熱処理を行うことによって前記触媒金属層を溶融して孤立した複数の触媒微粒子にし、炭素含有ガスを利用した化学気相成長法により、前記触媒微粒子上にカーボンナノチューブを成長させる。 （もっと読む）

【課題】組み立て時の熱伝導材の飛散に起因した不具合の発生を抑えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、基板１１に搭載された半導体素子１２、その半導体素子１２を覆う放熱体１３、及び半導体素子１２の上面と該上面に対向する放熱体１３の接続領域１３ａとを接続する熱伝導材１４を含む。放熱体１３は、その接続領域１３ａに突起１３ｂを有する。放熱体１３が熱伝導材１４を挟んで半導体素子１２側に押圧されると、突起１３ｂで熱伝導材１４の酸化膜１４ａが破られ、そこから熱伝導材１４が濡れ広がり、酸化膜１４ａで覆われた熱伝導材１４の破裂、飛散が抑制される。 （もっと読む）

【課題】放熱及び電磁シールドの機能を有する半導体装置を、部材数を抑えて実現する。
【解決手段】半導体装置１０Ａは、基板１１と、基板１１の上方に設けられた半導体素子１２を含み、更に、半導体素子１２を被覆し、且つ、基板１１に設けられた接続パッド１１ｂに接続された、はんだ材料からなる熱伝導材１５を含む。このような熱伝導材１５の上方に放熱体１７が設けられる。半導体素子１２と放熱体１７の間を熱的に接続する熱伝導材１５によって、半導体素子１２からの電磁的ノイズの放射や半導体素子１２への電磁的ノイズの入射を抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の温度上昇を許容範囲に抑え、放熱部材の熱膨張によるパッケージ基板の反り量の影響を回避した信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、複数の有機樹脂層が積層されてなるパッケージ基板２と、パッケージ基板２上面の第１の領域上に設けられた半導体素子１と、パッケージ基板２上面の第２の領域上に固着された固着部４ｂと、半導体素子１のパッケージ基板２に接続された面の反対側の面と熱伝導部材を介して接触する被覆部４ａとを有する放熱部材４とを備えている。第２の領域の直下方には、複数の有機樹脂層の各々に埋め込まれた第１のビアが、複数の有機樹脂層の厚さ方向に積層されることで構成されるスタックドビア構造体９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】小型化された半導体装置においても、効率よく放熱することが可能であり、放熱不足による劣化や故障を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体素子１０の一面が半田バンプ２０を介してプリント基板２にフリップチップ実装された半導体装置１Ａ（１）であって、前記半導体素子の他面が、弾性を有する放熱体３を介して前記半導体素子及び前記プリント基板とは異なる物体４に接触し、かつ、接触したときに前記放熱体が弾性変形した状態にあること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと放熱部材間の熱接続の信頼性を高める手段を提供する。
【解決手段】ドライバアセンブリは、リード配線１２が設けられたシート状の配線シート１０と、配線シート１０上に実装され、リード配線１２に対して電気接続されるドライバチップ２０と、ドライバチップ２０を部分的に収容する収容部３６が設けられ、かつドライバチップ２０に対して熱接続された放熱板３０と、を備え、配線シート１０と放熱板３０とは、収容部３６に収容されたドライバチップ２０を挟持するように互いに固着され、収容部３６の深さは、ドライバチップ２０から離間する方向へ配線シート１０が延在するに応じて、放熱板３０側へ配線シート１０が近接するように設定されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路チップを実装基板に封止樹脂を用いて接合させた時などに、チップを構成する半導体基板に印加される応力を緩和し、応力による半導体素子特性のバラツキを低減させ、また回路動作中に効率的に放熱できるようにする。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板１の表面上に形成された半導体回路形成層２、
半導体回路形成層２内に形成され、半導体回路を構成するトランジスタ、半導体回路形成層２上に形成され、半導体回路と電気的に接続された電極５とを有する。さらにこの半導体装置において、半導体基板１の裏面側には凹部７が形成され、凹部７を含む裏面上に金属膜６が形成される。一例として半導体装置はその電極５と配線基板本体８のパッド電極９とが熱圧着されると共に封止樹脂１０で配線基板に接合される。 （もっと読む）

【課題】 信頼性を向上可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体パッケージ１は、パッケージ基板８０、およびパッケージ基板８０の上に実装されるチップ積層体１０を備える。チップ積層体１０とパッケージ基板８０とは、チップ積層体１０の第１半導体チップ１００とパッケージ基板８０との間に配置されるソルダボール１１０を介して電気的に連結される。第１半導体チップ１００の上には第２半導体チップ２００が積層される。第２半導体チップ２００の上面２００ｓは、平坦化されたモールディング膜３５０に覆われることなく露出し、放熱膜４０１と直接接触する。これにより、第１半導体チップ１００および第２半導体チップ２００で発生する熱は、放熱膜４０１を通じて容易に放出することができる。 （もっと読む）

【課題】低コストな手段で放熱性の高い、小型・薄型のフリップチップ実装構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子と配線基板とがバンプを介して接合されたフリップチップ実装構造において、前記配線基板の前記半導体素子と対向する面にランドが設けられ、前記ランド上には金属部材が設けられ、前記金属部材は前記半導体素子の表面の一部と接触している。またその製造方法において、前記配線基板を前記金属部材の融点以上まで加熱し、前記ランド上に設けられた前記金属部材が溶融した状態で前記半導体素子と前記配線基板とを前記バンプを介して接合する。 （もっと読む）