【課題】基板設計や放熱手段の設計の自由度が増し、小型化が容易な電力変換装置、およびそれを備えた空気調和装置を得ること。
【解決手段】第１のパワーモジュール７，１０と、第１のパワーモジュール７，１０よりも高耐熱な第２のパワーモジュール８と、第１のパワーモジュール７，１０と第２のパワーモジュール８とが混載される基板と、第１のパワーモジュール７，１０および第２のパワーモジュール８が発する熱を放熱する放熱手段１５と、第１のパワーモジュール７，１０と放熱手段１５とを密着固定する固定手段２０と、を備え、第２のパワーモジュール８は、第１のパワーモジュール７，１０の放熱面と放熱手段１５とが固定手段２０により密着固定されることにより、第２のパワーモジュールの放熱面と放熱手段１５とが密着する。 （もっと読む）

【課題】 ロジックチップとメモリチップとを実装しながら、メモリチップで誤動作を生じさせない電子部品及びその製造方法を提供することにある
【解決手段】 放熱部材３００がロジックチップ９０Ａ及びメモリチップ９０Ｂ上に取り付けられる。放熱部材３００には、メモリチップ９０Ｂの上面と当接する部位に開口３０８が設けられている。このため、ロジックチップ９０Ａからの熱が放熱部材３００を介してメモリチップ９０Ｂへ伝わり難いため、ロジックチップからの熱的影響でメモリチップが誤動作し難くなる。 （もっと読む）

【課題】発熱量が異なる複数の半導体素子を冷却器とともに備える半導体装置において，半導体素子ごとの発熱量に応じた適切な冷却性能と，工程数やコストの削減とを両立すること。
【解決手段】本発明の半導体装置７０１は，内部に冷媒を通す冷却器７１と，半導体素子とを積層してなるものであって，半導体素子として，動作時の発熱量が大きい回路５を構成するとともに，両面が放熱面とされ両方の放熱面がいずれも冷却器７１と接触するように配置されている両面放熱半導体素子７２と，動作時の発熱量が小さい回路４を構成するとともに，一方の面が放熱面とされその放熱面が冷却器７１と接触するように配置されている片面放熱半導体素子８２とを有している。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れた発熱デバイスを提供すること。
【解決手段】発熱デバイス１は、板状をなすベース基板２と、ベース基板２の一方の面側に配置され、通電により発熱する第１の発熱体４ａと、ベース基板２の一方の面側に第１の発熱体４ａに対し離間して配置され、通電により発熱する第２の発熱体４ｂと、少なくとも第１の発熱体４ａと第２の発熱体４ｂとの間をつなぐように設けられ、第１の発熱体４ａと第２の発熱体４ｂとからそれぞれ発生する熱を放熱する、主として樹脂材料で構成された放熱体５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、配線基板１０と、配線基板１０上に実装された第１半導体チップ２１と、配線基板１０上に実装され、第１半導体チップ２１と比べて発熱量が小さい第２半導体チップ２２と、第１半導体チップ２１及び第２半導体チップ２２の上方に配置された放熱板３０とを有している。放熱板３０は、第１半導体チップ２１に熱的に接続され、第２半導体チップ２２と対向する位置に開口部３０Ｘが形成されている。また、第２半導体チップ２２は、その上面の全てが放熱板３０の開口部３０Ｘから露出されている。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子をより均等な温度に冷却する半導体素子の冷却構造、を提供する。
【解決手段】半導体素子の冷却構造は、電流が流れる半導体素子２３と、半導体素子２３よりも大きい電流が流れる半導体素子２１と、半導体素子２３を搭載する絶縁基板３８および伝熱板４３と、半導体素子２１を搭載する絶縁基板３６および伝熱板４１と、絶縁基板３８および伝熱板４３に対して、半導体素子２３の反対側に設けられ、絶縁基板３８および伝熱板４３を通じて伝えられた半導体素子２３の熱を放熱し、絶縁基板３６および伝熱板４１に対して、半導体素子２１の反対側に設けられ、絶縁基板３６および伝熱板４１を通じて伝えられた半導体素子２１の熱を放熱するヒートシンク５１とを備える。絶縁基板３６および伝熱板４１は、それぞれ、絶縁基板３８および伝熱板４３よりも大きい体積を有する。 （もっと読む）

【課題】光源の熱を放散させる放熱部材と光源の点灯を制御する制御回路の熱を放散させる放熱部材とを、スペースを有効に利用して配置する。
【解決手段】アタッチメントユニット３３において、第１ヒートシンク３２は、ＬＥＤによって構成される発光素子２０の熱を放散する。第２ヒートシンク６２は、発光素子２０の点灯を制御する制御回路基板４２の熱を放散し、制御回路基板４２と平行な方向から見て第１ヒートシンク３２と重なるよう配置される。第１ヒートシンク３２は、制御回路基板４２と垂直な方向から見て制御回路基板４２の両端部近傍と重なるよう設けられている。アタッチメントは、第１ヒートシンク３２および第２ヒートシンク６２よりも熱伝導率が低い。第１ヒートシンク３２と第２ヒートシンク６２とは、アタッチメントを介して互いに固定されている。 （もっと読む）

【課題】 消費電力の大きい半導体デバイスを積層した構成を持つ場合であっても、それら半導体デバイスの発熱に伴う温度上昇を抑えて安定に動作させることができる積層モジュールを提供する。
【解決手段】
積層モジュール４０ｂは、インターポーザ３０ａと、インターポーザ３０ａの片側に配置された１個以上の第１半導体デバイス１１ｂと、インターポーザ３０ａの第１半導体デバイス１１ｂとは反対側に配置された１個以上の第２半導体デバイス１２ｂとを備える。インターポーザ３０ａは、流体が流れるチャネル３１を持つ本体と、そのチャネル３１を画定する本体の内壁の所定領域に配置された熱放射層６１ｂ及び熱反射層６１ａの少なくとも一方とを有する。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性のベース板に回路基板を接着固定して、回路部品をモールド樹脂で一体化した樹脂封止形電子制御装置の小型化を図る。
【解決手段】ベース２０は、第一の露出部２１ａ及び第二の露出部２１ｂと、中間窓穴２２ａに隣接した隣接平坦部２２ｂを有しており、背高の低発熱部品である第一の回路部品３１は、中間窓穴２２ａに配置されており、背低の高発熱部品である第二の回路部品３２は、隣接平坦部２２ｂに配置されている。背高の第一の回路部品３１の高さ寸法は、ベース板２０の厚さ寸法と重なっているので、全体としての厚さ寸法が抑制されるとともに、高発熱部品と低発熱部品とが分離配置されているので、低発熱部品の実装密度を高めて回路基板３０の面積を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】比較的高温の動作環境下においても、発熱部品から発生した熱を効率よく放熱させることにより、信頼性を安定して保持することが可能な電子機器を提供する。
【解決手段】このフィルタモジュール（電子機器）１０１は、コイル１１、抵抗２およびコンデンサ３を含むフィルタ回路と、フィルタ回路のコイル１１および抵抗２に近接して配置され、コイル１１および抵抗２から発生する熱を放熱する放熱板７とを備える。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスの冷却に用いられるヒートシンクの種別が増えることを抑えつつ、ロボットコントローラーの小型化を図ることの可能なロボットコントローラーを提供する。
【解決手段】複数の交流モーターを有したロボットの動きを複数の交流モーターの各々の駆動によって制御するロボットコントローラーであって、直流電圧を多相交流電圧に変換して交流モーターに出力する複数のパワーデバイス４３Ｂ，４３Ｆと、パワーデバイス４３Ｂ，４３Ｆが実装される複数のモータードライバー基板４０とを備え、複数のモータードライバー基板４０の各々は、１つのヒートシンク４４と、１つのヒートシンク４４に取り付けられた２つのパワーデバイス４３Ｂ，４３Ｆとを備える。 （もっと読む）

【課題】省スペース化が図られるとともに、複数の半導体素子が偏りなく冷却される半導体素子の冷却構造、を提供する。
【解決手段】半導体素子の冷却構造は、ヒートパイプ７０（７０Ａ）と、ヒートパイプ７５（７５Ａ）と、半導体素子５１と、半導体素子５１と発熱の特性が異なる半導体素子６１と、空冷用フィン９０とを備える。ヒートパイプ７０（７０Ａ）は、端部７１および端部７２を有する。ヒートパイプ７５（７５Ａ）は、端部７１と対向して配置される端部７６と、端部７２に対向して配置される端部７７とを有する。半導体素子５１は、端部７１および端部７６の間に設けられる。半導体素子６１は、端部７２および端部７７の間に設けられる。空冷用フィン９０は、端部７１と端部７２との間および端部７６と端部７７との間に配置され、ヒートパイプ７０（７０Ａ）およびヒートパイプ７５（７５Ａ）に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性を向上可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体パッケージ１は、パッケージ基板８０、およびパッケージ基板８０の上に実装されるチップ積層体１０を備える。チップ積層体１０とパッケージ基板８０とは、チップ積層体１０の第１半導体チップ１００とパッケージ基板８０との間に配置されるソルダボール１１０を介して電気的に連結される。第１半導体チップ１００の上には第２半導体チップ２００が積層される。第２半導体チップ２００の上面２００ｓは、平坦化されたモールディング膜３５０に覆われることなく露出し、放熱膜４０１と直接接触する。これにより、第１半導体チップ１００および第２半導体チップ２００で発生する熱は、放熱膜４０１を通じて容易に放出することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の発熱部品を共通して放熱する放熱手段において、放熱手段の温度分布の所望の分布にする技術を提供する。
【解決手段】基板２の上には、第１のＩＣ３と第２のＩＣ４が実装されている。第２のＩＣ４が第１のＩＣ３より発熱量が大きい部品である。第１のＩＣ３と第２のＩＣ４の上には、それらを共通に放熱板５が取り付けられ、ビス８により基板２に固定されている。放熱板５には、発熱量の小さい第１のＩＣ３を囲うように、略コの字状のスリット６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ファンレス装置等の筺体への放熱において、筺体へ効率的にバランス良く放熱を実施し、発熱による性能低下を最小限に抑えることが可能な電子機器を提供する。
【解決手段】 電子機器（ファンレス装置１）は、複数の発熱デバイス（ＣＰＵ１１、ＧＰＵ１２、ＤＳＰ１３）における発熱をファンレスにて放熱する。また、電子機器（ファンレス装置１）は、複数の発熱デバイスにおけるシステムレベルでの発熱状況を検知する検知手段（温度制御ＩＣ１６、電力制御ＩＣ１８）と、検知手段による検知結果に基づいて複数の発熱デバイスに対する放熱制御を総合的に行う手段（ヒートパイプ１４、可動スイッチ１５、温度制御ＩＣ１６）とを有する。 （もっと読む）

【課題】冷却性能を調整することができる半導体冷却器を提供すること。
【解決手段】半導体冷却器２の冷媒流路２６ａ〜２６ｃは、隣り合う放熱フィン２５の隙間と冷却板２３と側壁部２４１と対向壁部２４２とによって形成される。また、放熱フィン２５の立設方向における冷媒流路２６ａ〜２６ｃの流路高さが異なるように形成される。ここで、冷媒流路２６ａ〜２６ｃの流路高さを調整することによって、冷媒流路２６ａ〜２６ｃに導入される冷却媒体の導入量を調整することができる。よって、半導体冷却器２に形成される複数の冷媒流路２６ａ〜２６ｃの冷却性能を調整することができる。 （もっと読む）

【目的】Ｓｉ−半導体素子とＳｉＣ−半導体素子を有する半導体装置において、それぞれの半導体素子を動作可能温度で動作させることができて、冷媒の圧力損失を小さくできるフィン付ベースを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ−ＩＧＢＴチップ４同士をまとめ、ＳｉＣ−Ｄｉチップ５同士をまとめることで、ＳｉＣ−Ｄｉチップ５下のフィン１ａ間隔を広くすることができる。その結果、Ｓｉ−ＩＧＢＴチップ４は１７５℃まで動作させ、ＳｉＣ−Ｄｉチップ５は２５０℃まで動作させることができる。また、Ｓｉ−ＩＧＢＴチップ４とＳｉＣ−Ｄｉチップ５に接続する配線バー５６，５７，５９を介しての相互の熱干渉６５，６６，６７を小さくするができる。その結果、全体のフィン１ａ間隔を広くすることができて圧力損失を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】伝熱部の熱劣化を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子１０が設置される基板２０と、基板２０の半導体素子１０の設置面とは反対側の面に設置される伝熱部３０と、基板２０と伝熱部３０を接続する接続部２５と、伝熱部３０の基板２０の設置面とは反対側の面に設置される冷却器４０と、を備える。この半導体装置１００の基板２０の一部は、接続部２５を介さずに伝熱部３０と接続する。これにより、半導体素子１０の直下における伝熱部３０の温度上昇を低減でき、伝熱部３０の熱劣化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易的な構成で複数の発熱部品の放熱を効果的に行う技術を提供する。
【解決手段】電子回路装置１には、発熱する複数の電子部品として第１のＩＣ５１と第２のＩＣ５２が備わる。そして、第１のＩＣ５１と第２のＩＣ５２には複合放熱板１０が共通に取りつけられ、ビス９１、９２によって基板８０に固定されている。なおここでは、第１のＩＣ５１の発熱量が第２のＩＣ５２の発熱量より多い。複合放熱板１０は、第１の放熱板２０と第２の放熱板３０とを備えており、それらは、熱分離部材４０を介して一体になっている。 （もっと読む）

【課題】多数の接続パッドを有する回路素子が実装される薄型の基板を備えると共に、装置全体の剛性が確保された回路装置を提供する。
【解決手段】回路装置１０は、基板１２と、回路基板１２の上面に実装された信号処理用素子１６等の回路素子と、回路素子を包囲するように基板１２の上面に配置されたケース材１４とを主に備えている。更に、基板１２の下面に設けられる外部接続バンプ３２の一部は、ケース材１４の側面部１４Ｂと重なりあう箇所に配置されている。 （もっと読む）