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Fターム[5F136EA13]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 放熱部材、発熱体の取付 (3,558) | 発熱体への放熱部材の取付 (2,546) | 接着による取付 (1,492) | ロウ材、半田を用いる取付 (838)

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【課題】モールド成形時に均一に加圧でき絶縁材が均一に貼着された半導体装置を提供する。
【解決手段】第1の基板30の一方の面に第1の半導体素子10が接合され、他方の面に第1の絶縁材50を介して第1の放熱板70が接合され、種類の異なる複数の端子90、91、92が側方に延び、モールド成形された第1のユニット170と、第2の基板40の一方の面に第2の半導体素子20が接合され、他方の面に第2の絶縁材60を介して第2の放熱板80が接合され、種類の異なる複数の端子100、101、102が側方に延び、モールド成形された第2のユニット180とを有し
、前記第1のユニットと前記第2のユニットが対向して固定され、前記種類の異なる複数の端子のうち、前記第1のユニットと前記第2のユニットとの接続が必要な端子90、100は重なって配置され、前記第1のユニットと前記第2のユニットとの接続が不要な端子は重ならずに配置される。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の発する熱の熱伝導率の低下を抑制しつつ、熱応力を緩和すること。
【解決手段】半導体モジュールは、回路基板と、回路基板上に半田付けにより接合された半導体素子と、回路基板に接合されたフィンユニット13とから構成されている。回路基板は、セラミックス基板14の表裏両面に表金属板と裏金属板16を接合して構成されている。裏金属板16には、側面視凹凸形状をなすフィンユニット13が接合されている。裏金属板16においてフィンユニット13とフィンユニット13の間には、半導体素子の発する熱により生じる熱応力を緩和するフィン間溝23が形成されている。 (もっと読む)


【課題】フィンと天板や底板とのろう付け接合をより確実に行なえるようにする。
【解決手段】天板28には、ろう付け接合前において、フィン32と天板28との接合部の延在方向と同一方向に延在して底板26側に突出する突出部29が形成されている。これにより、冷却装置20の製造工程のうち底板26と天板28とによってフィン32を挟むときにフィン32と天板28との相対的な位置決めをより容易に行なうことができる。また、底板26と天板28とによってろう材34を介してフィン32を挟んだ状態で底板26の周縁部27と天板28の周縁部30とを固定して全体を加熱したときに、天板28とフィン32とが離れてしまうのを抑制してフィン32と天板28や底板26とのろう付け接合をより確実に行なえるようにすることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体モジュールをヒートシンクに組み付けるときの位置決めが容易にでき、放熱特性に優れた半導体装置を得る。
【解決手段】半導体モジュール1の一面側に形成された放熱面1aをヒートシンク3の面に当接させ、放熱面1aの反対側の面から押さえ板4で押さえて保持し、押さえ板4をヒートシンクに固定して、半導体モジュール1をヒートシンク4に固定する半導体装置であって、半導体モジュール1の放熱面1aとは反対側の面に、位置決のための突起部1bを有し、押さえ板4には係合穴4cが形成され、突起部1bと係合穴4cとが係合されて半導体モジュール1がヒートシンク3に位置決めされている。 (もっと読む)


【課題】回路層を、変形抵抗が大きな銅または銅合金で構成しても、セラミックス基板の一方側と他方側とで絶縁性を確保することができるパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を用いたヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板11の一方の面側に回路層12が形成され、この回路層12の一方の面に電子部品3が搭載されるパワーモジュール用基板10であって、回路層12は、銅または銅合金で構成されており、セラミックス基板11と回路層12との間には、セラミックス基板11の一方の面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなる緩衝アルミ層16と、回路層12の他方の面に接合された補助セラミックス板17と、が介装されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】コストを抑えつつ伝熱シートの位置ずれを防止した回路構成体を提供する。
【解決手段】回路構成体は、電子部品26が接続された回路基板21と、回路基板21および電子部品26から発生する熱を放熱する放熱部材28と、回路基板21と放熱部材28との間に配される熱伝導性材料からなる伝熱シート29と、回路基板21を保持するとともに、放熱部材28が取り付けられる合成樹脂製のケース11と、を備える。ケース11には伝熱シート29を位置決めする位置決め部13Bが設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】セラミックス基板に大きな反りが生じることがなく、かつ、金属層においてブローホール等の欠陥が発生することなく、回路層が銅板で構成されるとともに金属層がアルミニウム板で構成されたパワーモジュール用基板を安定して製造することができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板11の一方の面に、銅又は銅合金からなる銅板22を接合して回路層12を形成する銅板接合工程と、セラミックス基板11の他方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム板23を接合して金属層13を形成するアルミニウム板接合工程と、を有し、前記銅板接合工程では、銅板22とセラミックス基板11とを、液相温度が前記アルミニウム板の融点未満とされた接合材24を用いて接合する構成とされており、銅板接合工程とアルミニウム板接合工程とを同時に行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】LED照明が、普及しつつあるが、発熱量が大きいため素子の耐久性が短く、その普及を妨げている。効率よく放熱させる構造の照明機器の製造方法を提供することにより、LEDチップの輝度低下、寿命低下の改善によって、マーケットの拡大を実現する。
【解決手段】熱伝導性の悪い絶縁シート層を使用しない構造の基板とする改良と熱伝導性の良好な銅板による放熱を実現するために、ガラエポ基板8上の銅箔3と、LEDチップの電極6とをハンダでつなぎ、電極の端を熱伝導性ゲル12で銅板10と結合させて、放熱し易い構造を実現した。樹脂層の使用をできるだけ避けることにより冷却器に熱を伝えて、効率よく放熱させる構造の照明機器の製造方法を確立した。高い放熱性を有する新規なガラエポ基板8を有するLED照明器の製造法である。 (もっと読む)


【課題】 絶縁性能を損なうことなく、冷却性能が向上したパワーモジュールを提供する。
【解決手段】 第1のヒートスプレッダ4と半導体チップ1,2と第2のヒートスプレッダ8とをこの順に重ね合わせ、第1のヒートスプレッダ4の一方の主面に第1の固定板11と一体化された未硬化の熱硬化性樹脂からなる第1の絶縁シート9を接着し、第2のヒートスプレッダ8の一方の主面に第2の固定板12と一体化された未硬化の熱硬化性樹脂からなる第2の絶縁シート10を接着することにより構成される構造体を形成する工程と、上記構造体をモールドプレスの金型のキャビティに収納する工程と、上金型14と下金型15を型締めする工程と、金型の温度を上げると共にキャビティに熱硬化性樹脂からなる未硬化のモールド樹脂を注入することにより、第1の絶縁シート9、第2の絶縁シート10及びモールド樹脂を硬化させる工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 セラミック基板にクラックが発生するのを抑制することが可能な半導体モジュール基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体モジュール基板1は、矩形状のセラミック基板2と、セラミック基板2の上面に設けられた、半導体素子3が実装される第1金属板4と、セラミック基板2の下面に設けられた第2金属板5とを備え、第2金属板5の下面には、複数の同心円状の溝Dが設けられているとともに、複数の溝Dの最外周に位置する溝D1が、第2金属板5の外周の一部と重なって切欠きになっている。 (もっと読む)


【課題】素子で生じた熱を放出し易くでき、かつ、基板からの実装高さを低くすること。
【解決手段】一方主面20aと他方主面20bと貫通孔22とを有する基板20と、貫通孔22を塞ぐように配設され、基板20の一方主面20aよりも他方主面20b側に凹む実装面32を有する熱伝導部30と、実装面32上に固定された素子40とを備えている。貫通孔22に、内周配線29が形成され、熱伝導部30が貫通孔22に挿入されることにより、内周配線29に熱伝導部30の側壁部36が接触することで、熱伝導部30が、側壁部36を介して第2の配線28に電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】絶縁基板とアルミニウム回路層との接合界面に余剰ろう材が残存せず、かつ冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面のしわが抑制される電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板(11)の少なくとも一方の面に電子素子(18)を搭載するアルミニウム回路層(12)がろう付された電子素子搭載用基板(1)であって、前記アルミニウム回路層(12)は、ろう付後の結晶粒の平均粒径が10〜500μmとなされ、かつ引張強さが45N/mm以上となされたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体素子と実装基板との間の接合材層に生じた応力を緩和できる半導体装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】実装基板4と、前記実装基板上に、電気伝導性を有する熱可塑性接合材層5を介して実装された半導体素子2,3と、前記半導体素子を通電制御する制御手段6と、を備えた半導体装置において、前記制御手段は、所定条件で前記熱可塑性接合材層を少なくとも軟化させる応力緩和制御を実行する。 (もっと読む)


【課題】金属細線流れによる不良を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】IGBT1を電力用リード4上に固着し、IGBT1を制御する制御用半導体素子3を制御用リード5上に固着し、制御用リード5と制御用半導体素子3を金属細線11により接続する。IGBT1と制御用半導体素子3との間において制御用リード5上に保護部材14を固着する。これらの構成をキャビティ19内に配置する。IGBT1側からキャビティ19内に樹脂16を注入する。この際に、保護部材14がキャビティ19の天井に接するため、IGBT1側から制御用半導体素子3側に向かう樹脂16の横方向の流れは保護部材14により防止される。従って、樹脂16は、IGBT1側から制御用リード5の下側に流れた後に、制御用リード5の間隙21を通って制御用リード5の下側から上側に流れて制御用半導体素子3及び金属細線11を封止する。 (もっと読む)


【課題】容易な構成でパワー半導体チップを効率よく冷却できる冷却手段を備えた電力変換装置及びそれを備えた冷凍装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置(30)は、パワー半導体チップ(50)と、該パワー半導体チップ(50)が接続される主回路が形成された主基板(51)とを備えている。電力変換装置(30)に、表面(52b)に絶縁層(54)を介してパワー半導体チップ(50)が実装され、裏面(52a)に冷却用流体が流通する冷却管(23a)が嵌め込まれる凹溝(52c)が形成されると共に、主基板(51)とは別部材で形成された放熱基板(52)と、該放熱基板(52)が主基板(51)と異なる面に位置するように放熱基板(52)を主基板(51)に固定する固定部材(53)とを設ける。 (もっと読む)


【課題】冷熱サイクルにおける接合強度が高く、かつ冷却効率の高い放熱構造体、パワーモジュール、放熱構造体の製造方法およびパワーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】パワーモジュール1は、絶縁性を有するセラミックス基板10と、該セラミックス基板10の表面にろう材により接合された金属又は合金からなる金属部材50と、該金属部材50の表面に、金属又は合金からなる粉末をガスと共に加速し、表面に固相状態のままで吹き付けて堆積させることによって形成された放熱部40とを備え、放熱部40内部にはヒートパイプ60が埋設されている。 (もっと読む)


【課題】半導体装置で発生する異常発熱をより確実に検出し得る構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置2は、半導体素子10と、一対の信号パッド12、14と、温度検出ダイオードD1〜D5と、を備える。温度検出ダイオードD1〜D5は、それぞれ、一対の信号パッド12、14間に並列に接続されている。そのため、一対の信号パッド12、14間に一定の電圧を印加すると、温度検出ダイオードD1〜D5のそれぞれにおいて、温度検出ダイオードD1〜D5の近傍の温度に応じた電流I1〜I5が流れる。従って、一対の信号パッド12、14間を流れる電流Iは、各温度検出ダイオードD1〜D5を流れた電流I1〜I5の和となる。 (もっと読む)


【課題】表裏両面に電極を備えた半導体素子が発する熱に起因する応力による半導体モジュールの損傷を抑制する。
【解決手段】半導体モジュールは、放熱器と、配線パターンが形成され、表裏両面に電極を有する配線基板と、配線基板の所定面側に配置された半導体素子と、配線基板の所定面上に配置され、半導体素子と配線パターンとを接続するための配線部、および配線基板の周囲に位置する絶縁接合部を有する接合部と、前記半導体素子の所定面側に配置された電極配線と、前記放熱器に接着されることなく載置された絶縁層と、を備える。 (もっと読む)


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