【課題】優れた放熱性能を有し、製造コストの低いヒートシンク一体型の電力変換用パワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】組立ての完了した半導体装置の金属ベース板と、ヒートシンクとの間に、はんだ板と熱源となる反応性金属箔を挿入して加圧し、反応性金属箔に電流を通電して発火させてはんだ板を溶融させ、室温下で瞬時に金属ベース板とヒートシンクを接合する。 （もっと読む）

【課題】基板の厚みを低減させることなく、放熱性を向上させたパワーモジュール用のセラミックス焼結板を提供する。
【解決手段】少なくとも針状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子と粒状非晶質Ｓｉ_３Ｎ_４粒子とが焼結されたセラミックス焼結板であって、針状Ｓｉ_３Ｎ_４粒子がＣ軸配向し、かつ、相対密度が９４〜９８％であるセラミックス焼結板により、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】組み立て時の熱伝導材の飛散に起因した不具合の発生を抑えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、基板１１に搭載された半導体素子１２、その半導体素子１２を覆う放熱体１３、及び半導体素子１２の上面と該上面に対向する放熱体１３の接続領域１３ａとを接続する熱伝導材１４を含む。放熱体１３は、その接続領域１３ａに突起１３ｂを有する。放熱体１３が熱伝導材１４を挟んで半導体素子１２側に押圧されると、突起１３ｂで熱伝導材１４の酸化膜１４ａが破られ、そこから熱伝導材１４が濡れ広がり、酸化膜１４ａで覆われた熱伝導材１４の破裂、飛散が抑制される。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールの使用時に絶縁回路基板の絶縁層に割れが発生することを防止しうる絶縁回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁回路基板４は、絶縁板５の一面に導電層６がろう付されたものであり、導電層６における絶縁板５にろう付された面とは反対側の面が電子素子搭載面８となっている。導電層６の輪郭を形成しかつ導電層６の厚み方向に幅を持つ輪郭面９に、ろう材を、絶縁板５に対して非接触状態で溜めるろう材貯留部11を形成する。導電層６の輪郭面９に、絶縁板５側の端部から電子素子搭載面８に向かって所定の幅を有し、かつろう材貯留部11内のろう材と絶縁板５との接触を抑制する接触抑制部12を設ける。ろう材貯留部11は、輪郭面９における接触抑制部12よりも電子素子搭載面８側の部分に形成し、かつ接触抑制部12に対して凹んだ凹部13からなる。 （もっと読む）

【課題】高い冷却性能を有し、外層を半導体素子に電圧を印加するための電極を兼ねた構成とすることができるヒートシンク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ヒートシンク１００は、冷媒循環用の流路９ａに設けられる積層体１２を備え、積層体１２は、金属から形成され、内側が流路９ａとなる管体９と、管体９の外側に形成された絶縁層１０と、絶縁層１０の外側に形成され、表面に冷却対象の半導体素子１の電極、例えばエミッタ電極１ｂが接合される接合面である上面１１ａを有する導体１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱媒体流路内にインナーフィンを複数段設けた熱交換器において、熱交換効率を向上させる。
【解決手段】流路管３内に、熱媒体流路３０を複数の細流路３３３に分割するとともに、熱媒体と電子部品２との熱交換を促進するインナーフィン３３を設け、インナーフィン３３を、流路管３と電子部品２との配置方向に複数段積層し、複数段のインナーフィン３３のうち、電子部品２に最も近い側に位置するインナーフィン３３Ａにおける熱媒体の通過抵抗を、他のインナーフィン３３Ｂにおける熱媒体の通過抵抗よりも低くする。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル寿命の低下を抑制しうる絶縁回路基板、ならびにパワーモジュール用ベースおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁回路基板４は、セラミック製絶縁板５と、絶縁板５の一面にＳｉを含むろう材によりろう付された純アルミニウム製回路板６とを備えている。絶縁板５と回路板６との間にＳｉ粒子を含む残存ろう材層12が存在している。残存ろう材層12の厚さは３μｍ以下であり、残存ろう材層12に含まれるＳｉ粒子の面積率は２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル時の接合強度を向上することのできる両面基板、半導体装置、半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ヒートシンク２０の上面には、第１のアルミニウム層３２、第２のアルミニウム層３３、セラミック基板３１からなる両面基板３０が接合されている。第１のアルミニウム層３２は、ヒートシンク側および基板側アルミニウム層３２ａ，３２ｂを積層してなる。ヒートシンク側アルミニウム層３２ａは純度９９．９９ｗｔ％以上のアルミニウム（４Ｎ−Ａｌ）であるとともに、基板側アルミニウム層３２ｂは純度９９．５ｗｔ％以上９９．９ｗｔ％未満のアルミニウム（２Ｎ−Ａｌ）である。 （もっと読む）

【課題】炭素系材料からなる熱拡散部材を用いつつ、接合界面の熱応力を抑制することができる熱拡散部材の接合構造、発熱体の冷却構造、及び熱拡散部材の接合方法を提供する。
【解決手段】炭素系材料を用いて板状に形成され、表面に金属薄膜を有し、板状の厚さ方向に熱を伝導させる熱拡散部材としての第１部材は、少なくとも第２部材との対向面に、金属薄膜を有する。そして、第１部材の金属薄膜形成面と第２部材における金属薄膜形成面の対向面との間に、接合部材として金属粒子の焼結体が介在されている。 （もっと読む）

【課題】 接合部における不要なはみ出しを少なくできるとともに、活性金属の酸化による接合強度低下の少ないろう材を提供する。また、このろう材を用いることにより、隣り合う回路部材の間隔が狭くなっても短絡のおそれが少なく、高集積化に対応することができ、回路部材および放熱部材と支持基板との接合強度の高い回路基板を提供する。さらに、この回路基板における回路部材上に電子部品を搭載した電子装置を提供する
【解決手段】 主成分として銀および銅を含むとともに、インジウム，亜鉛および錫から選択される少なくとも１種の元素Ａと、チタン，ジルコニウム，ハフニウムおよびニオブから選択される少なくとも１種の元素Ｂの水素化合物と、モリブデン，オスミウム，レニウムおよびタングステンから選択される少なくとも１種の元素Ｃとを含むろう材である。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム部材と電気絶縁部材とのろう付において、電気絶縁部材へのフラックス作用を殆どないものにして良好なろう付が可能であり、また、接合位置精度に優れたろう付を可能にするアルミニウム部材および電気絶縁部材を提供する。
【解決手段】アルミニウム部材または電気絶縁部材の表面にろう材とフラックスとを含むろう付用組成物が塗布され、該ろう付用組成物における前記ろう材と前記フラックスの塗布質量比が、前記ろう材を１．０として、前記フラックスが１．６以上であり、アルミニウム部材と電気絶縁部材とのろう付において、良好なろう付が可能であり、アルミニウム部材を冷却器や放熱器として用いる場合、冷却、放熱特性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム部材と電気絶縁部材をろう付する際に、接合面内に発生するボイドが少なく、電気絶縁部材へのフラックス作用が殆どなく、また、接合位置精度に優れたろう付を可能にする熱交換器用アルミニウム部材および熱交換器用電気絶縁部材を提供する。
【解決手段】芯材にろう材がクラッドされたアルミニウム部材または電気絶縁部材の表面のうち、ろう付接合される接合面のみを対象にしてフラックスが部分的に塗布されており、該フラックスが塗布された塗膜は、好適には面方向内側から外周輪郭縁に亘って貫通する未塗布部を有しており、アルミニウム部材と電気絶縁部材のろう付に際し、電気絶縁部材にフラックスの作用が及ぶのを防止し、接合位置の精度を向上させ、アルミニウム部材を冷却器や放熱器として用いる場合、冷却、放熱特性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】伝導冷却パッケージレーザーのパッケージ方法を提供して、半導体レーザー特性が製造工程における高熱に影響されることを低減し、且つ半導体レーザーが生じる脆化・破砕の状況を低減する。
【解決手段】伝導冷却パッケージレーザー２００のパッケージ方法及び構造であって、半導体レーザー素子２１０を第１のヒートスプレッダ２３０に溶接するステップと、アルミニウムニッケル多層薄膜複合材料２４０によって第１のヒートスプレッダ２３０を第２のヒートスプレッダ２５０に固定するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】回路基板において搭載部材に搭載される電子部品の実装信頼性を向上させること。
【解決手段】回路基板10は、絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に設けられたろう材層２と、ろう材層２によって絶縁基板１の上面に接合されており電子部品20が搭載される搭載部材３とを備えている。搭載部材３は、金属から成る第１の部材31と、第１の部材31よりも小さい熱膨張係数を有しているとともに平面視において第１の部材31の中心部を囲むように第１の部材内31に設けられた第２の部材32とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体モジュールの動作中に生じる高温度の変動を伴う頻繁な温度変化に対する耐性を改善する。
【解決手段】パワー半導体モジュール１において、銅含有第１のはんだ付け母材２０ｂ、接続層１４、および、銅含有第２のはんだ付け母材１１９は、連続的に配置されて、固定して互いに接続されている。上記接続層は、少なくとも９０重量％の金属間化合物銅錫相の一部を有する。このようなパワー半導体モジュールを製造するために、２つの上記はんだ付け母材と、これら２つのはんだ付け母材の間に配置されたはんだとを、所定の圧力で互いに加圧しあい、該はんだを溶融させる。所定の時間が終了した後、この液状のはんだから拡散された銅および錫が、金属間化合物銅錫相を含む接続層を形成する。該接続層の一部は、上記はんだ層から生成された接続層の少なくとも９０重量％である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と、フレームあるいは基板、または、金属板と金属板との接合を、鉛を使用しない材料を用い、かつ、高い信頼性を確保する。
【解決手段】半導体素子と、フレームあるいは基板との接合材料として、Zn系金属層101がAl系金属層102a，102bによって挟持され、さらにAl系金属層102a，102bの外側がX系金属層103a，103b（X=Cu、Au、Ag、Sn）によって挟持された積層材料を接合材料として用いることによって、高酸素濃度雰囲気においても、表面のX系金属層が、当該接合材料が溶融する時点まで、ZnとAlを酸化から保護し、当該接合材料のはんだとしての濡れ性、接合性を保つことができ、接合部の高い信頼性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱抵抗が低く、かつ信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる半導体装置は、半導体チップと金属板の間に絶縁シートを有するモジュールと、該モジュールを冷却する冷却フィンとを有する。そして、該モジュールの該金属板と、該冷却フィンがはんだで接続され、該はんだの内部には該はんだの高さを均一化する金属網が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安価であると共に、Ａｇのマイグレーションを防止する信頼性の高い高放熱型電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】平板状からなるヒートシンク板１２の上面に窓枠形状からなるセラミック枠体１３の一方の主面の全面と、セラミック枠体１３の他方の主面の所定面に１、又は複数の平板状からなる外部接続リード端子１５の先端部下面とが、それぞれの間に接合材層１４、１４ａを設けて接合される高放熱型電子部品収納用パッケージ１０であって、接合材層１４、１４ａが、ヒートシンク板１２、及び／又はセラミック枠体１３に、Ｃｕ金属粉末に無鉛ガラス粉末と溶剤を混合させたＣｕペーストで印刷して形成するＣｕメタライズ膜を設けた後、ヒートシンク板１２、セラミック枠体１３、及び外部接続リード端子１５を重ね合わせてＣｕメタライズ膜を焼成して設けられている。 （もっと読む）

【課題】金属製部材を強固に熱衝撃性よく接合できるペースト状銀粒子組成物、接合強度と熱衝撃性が優れた金属製部材接合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】(A)平均粒径が０.３μｍを越え１０μｍ以下であり、アスペクト比（平均粒径／平均厚さ）が５以上１００以下である加熱焼結性フレーク状銀粒子と、(B)平均粒径（メディアン径Ｄ50）が０.００５μｍ以上０.１μｍ未満である加熱焼結性銀微粒子と（(A)と(B)の質量比が、５０：５０から９５：５の範囲内である）、(C)揮発性分散媒とからなるペースト状銀粒子組成物、該ペースト状銀粒子組成物の加熱焼結により複数の金属製部材を接合する金属製部材接合体の製造方法、その製造方法による金属製部材接合体。 （もっと読む）

【課題】 気密性を向上させることが可能な実装構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】 実装構造体１であって、放熱基板２と、放熱基板２上に低融点合金３を介して実装された電子部品４と、放熱基板２上に電子部品４を取り囲むように設けられ、低融点合金３よりも高融点の熱硬化性樹脂５を介して接合されたセラミック枠体６と、セラミック枠体６上に設けられ、セラミック枠体６の内外を電気的に接続する接続端子７と、セラミック枠体６上に設けられ、電子部品４を被覆するようにセラミック枠体６と重なる領域に設けられた蓋体８と、を備えている。セラミック枠体６内の気密性を向上させることが可能な実装構造体１となる。 （もっと読む）