【課題】電気的不具合の発生が抑えられた、高品質、高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０Ａは、基板１１の上方に配設された半導体素子１２と、半導体素子１２の上方に配設された熱伝導材１６と、熱伝導材１６の上方に配設された放熱体１７とを含む。放熱体１７は、半導体素子１２との対向領域の外側に配設されて基板１１側に突出する複数の突起１７ｂを有する。製造時に半導体素子１２上から熱伝導材１６が流出する場合でも、その流出する熱伝導材１６を突起１７ｂにより放熱体１７側に濡れ拡がらせ、基板１１側への熱伝導材１６の流出や飛散、それによる電気的不具合の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の最高温部の温度を測定可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と接するように設けられ、前記半導体素子の温度を検出する温度検出素子と、前記半導体素子の一方の面に第１の接合部を介して接合される放熱板と、前記半導体素子の他方の面に第２の接合部を介して接合される金属板と、を有し、前記金属板から前記放熱板に至る何れかの位置であって、前記温度検出素子と平面視において重複する位置に、前記金属板及び前記放熱板よりも熱伝導率の低い低熱伝導部を設けた。 （もっと読む）

【課題】金属・ダイヤモンド複合体にその本来の熱伝導率に近い熱伝導率を発揮させることを可能にするヒートシンクを提供する。
【解決手段】このヒートシンク１１は、デバイスを搭載するための搭載面１１ａを有しており該ベース１３の主面１３ａに設けられた金属領域１５を備える。この主面１３ａには、ダイヤモンド粒子１７による突起２３ａ〜２３ｃと突起２３ａ〜２３ｃの間に位置する窪み２５ａ〜２５ｄとを含むけれども、半田材と異なり該半田材より高い融点の金属からなる金属領域１５は窪み２５ａ〜２５ｄを埋めて、搭載面１１ａは突起２３ａ〜２３ｃ及び窪み２５ａ〜２５ｄによって構成されるラフネスより小さいラフネスに再構成される。これ故に、デバイスの実装面とヒートシンク１１の表面１１ａとの実効的な接触面積を、デバイスの実装面の面積に近づけることができる。 （もっと読む）

【課題】 両面冷却型の半導体パワーモジュールにおいて、半導体チップの放熱性や信頼性の低下を抑えつつ、溢れたはんだによるリードフレーム間のショートや半導体チップ面内でのショートの発生を防止する。
【解決手段】 半導体素子と、第１の突起面が半導体素子の一方の面に形成された電極部とはんだで接続されている第１のリードフレームと、半導体素子の前記一方の面と反対側の面に形成された電極部とはんだで接続されている第２のリードフレームと、第１のリードフレームと熱的に接続された第１の放熱部材と、第２のリードフレームと熱的に接続された第２の放熱部材とを備えた両面冷却型半導体パワーモジュールにおいて、第１の突起面は半導体素子の一方の面に形成されたはんだ接続する電極部よりも小さい形状を有し、第１の突起面と電極部との形状の寸法差が第１の突起面の方向により異なるように構成した。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板の両面に異なる厚さの金属層を積層する場合に、接合時に発生する反りを低減することができ、接合の信頼性を高めることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の両面に異なる厚さの金属層６，７が積層されたパワーモジュール用基板３の製造方法であって、両金属層６，７をセラミックス基板２の両面に配置し、これらを加熱して接合した後に、厚さ方向に加圧した状態で冷却して、金属層６，７に塑性変形を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】はんだのボイドの発生を抑制し、パワー素子と基材との密着性を高めることができるパワーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】固相状態の金属粉末を圧縮された搬送ガスと共に吹き付けることにより、パワー素子１５をはんだ付けするための金属皮膜を、基材１１の表面に成膜する成膜工程は、搬送ガスが内包されるような吹き付け圧で基材１１の表面に金属粉末を吹き付けることにより、基材１１の表面に、金属粉末からなる第１の金属皮膜１２を成膜する第１成膜工程と、第１成膜工程における前記金属粉末の吹き付け圧よりも低い吹き付け圧で、金属粉末を前記第１の金属皮膜１２の表面に吹き付けることにより、第１の金属皮膜の表面に、前記金属粉末からなる第２の金属皮膜１３を成膜する第２成膜工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】優れた放熱性能を有し、製造コストの低いヒートシンク一体型の電力変換用パワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】組立ての完了した半導体装置の金属ベース板と、ヒートシンクとの間に、はんだ板と熱源となる反応性金属箔を挿入して加圧し、反応性金属箔に電流を通電して発火させてはんだ板を溶融させ、室温下で瞬時に金属ベース板とヒートシンクを接合する。 （もっと読む）

【課題】組み立て時の熱伝導材の飛散に起因した不具合の発生を抑えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、基板１１に搭載された半導体素子１２、その半導体素子１２を覆う放熱体１３、及び半導体素子１２の上面と該上面に対向する放熱体１３の接続領域１３ａとを接続する熱伝導材１４を含む。放熱体１３は、その接続領域１３ａに突起１３ｂを有する。放熱体１３が熱伝導材１４を挟んで半導体素子１２側に押圧されると、突起１３ｂで熱伝導材１４の酸化膜１４ａが破られ、そこから熱伝導材１４が濡れ広がり、酸化膜１４ａで覆われた熱伝導材１４の破裂、飛散が抑制される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を高温で動作させても封止樹脂の剥離を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子１と、半導体素子１が実装された回路基板２と、回路基板２が実装された放熱性を有するベース板３と、ベース板３に設置され、かつ回路基板２を囲む空間４を有するケース材５と、ベース板３に設置され、空間４を回路基板２の配置された第１の領域Ｒ１とその他の第２の領域とを有するように区画する仕切り板６と、第１の領域Ｒ１においては半導体素子１を覆うように、仕切り板６で区画された第１および第２の領域の各々を封止する封止樹脂７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱性を有し、かつ小型化・薄型化可能な電子デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０の上面にフリップチップ実装されたパワーアンプ２０と、絶縁性基板１０上に設けられ、パワーアンプ２０を封止し、パワーアンプ２０より高い熱伝導率を有する封止部材２２と、絶縁性基板１０を貫通し、封止部材２２と接触し、絶縁性基板１０より高い熱伝導率を有するビア配線１６ｃと、を具備する電子デバイスである。 （もっと読む）

【課題】熱媒体流路内にインナーフィンを複数段設けた熱交換器において、熱交換効率を向上させる。
【解決手段】流路管３内に、熱媒体流路３０を複数の細流路３３３に分割するとともに、熱媒体と電子部品２との熱交換を促進するインナーフィン３３を設け、インナーフィン３３を、流路管３と電子部品２との配置方向に複数段積層し、複数段のインナーフィン３３のうち、電子部品２に最も近い側に位置するインナーフィン３３Ａにおける熱媒体の通過抵抗を、他のインナーフィン３３Ｂにおける熱媒体の通過抵抗よりも低くする。 （もっと読む）

【課題】電子部品をはんだ付けする際の接合信頼性を低下させたり、外観品質を低下させたりすることのないパワーモジュール用基板の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】第１ろう材を介在させてセラミックス基板２と金属層６，７とを積層してなる積層体３０を複数積み重ねた状態で厚さ方向に加圧する加圧装置１１０と、グラファイト層４１の両面にカーボン層４２が第２ろう材によりろう付けされてなり、積み重ねられた複数の積層体３０間に配置されるクッションシート４０とを備え、セラミックス基板２と金属層６，７とをろう付けしてパワーモジュール用基板３を製造する装置であって、第２ろう材は、金属層６，７を形成する材質よりも酸素との親和性が高く、接合時の真空度における蒸発温度が第１ろう材の固相線温度よりも低い金属材料を含んで形成されている。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクル試験とパワーサイクル試験の双方を満足する絶縁基板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板５０は、第１配線層５２と絶縁層５４と第２配線層５６を備えている。第１配線層５２は、１又は複数の層で構成されている。第２配線層５６は、１又は複数の層で構成されている。第１配線層５２を構成する前記１又は複数の層のそれぞれの０．２％耐力と厚みの積の合計が、第２配線層５６を構成する前記１又は複数の層のそれぞれの０．２％耐力と厚みの積の合計よりも小さい。これにより、絶縁基板５０は、放熱器３０側に向けて凸状に反っていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】金属板と一体化した絶縁層を有するタイプの半導体モジュールを備え、従来よりも製品の高信頼化を実現可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体モジュール１０１において露出する金属板５と冷却装置１０２とが接合材７にて接合され、金属板５は、接合される接合領域５２と、接合しない非接合領域５３とを有する。このような半導体装置１１０において、非接合領域、接合材の周囲領域５４、及び冷却装置において接合された部分の周囲の接合周囲領域６３に対してさらに樹脂剤９を備えた。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層上に配設され、焼成によって前記回路層表面に自然発生したアルミニウム酸化皮膜と反応して前記回路層と導通する導電接合層を形成することが可能な導電性組成物を提供する。
【解決手段】銀粉末と、ＺｎＯを含有する無鉛ガラス粉末と、樹脂と、溶剤と、を含有し、前記銀粉末及び前記無鉛ガラス粉末からなる粉末成分の含有量が、６０質量％以上９０質量％以下とされ、前記粉末成分中における前記銀粉末の重量Ａと前記無鉛ガラス粉末の重量Ｇの比Ａ／Ｇが、８０／２０から９９／１の範囲内に設定されており、焼成することにより生成される前記導電接合層が、前記無鉛ガラス粉末が軟化して形成される無鉛ガラス層と、前記無鉛ガラス層上に銀粉末が焼結されたＡｇ層と、を備えており、前記無鉛ガラス層内部に導電性粒子が分散されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクル負荷時において、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、冷熱サイクル信頼性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面に回路層１２が接合されてなり、この回路層１２の表面に電子部品が搭載されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、アルミニウムの母相中に析出物粒子が分散された析出分散型のアルミニウム合金で構成されており、回路層１２の断面の走査型電子顕微鏡観察において、回路層１２のうちセラミックス基板１１との接合界面部分には、粒径０．１μｍ以上の析出物粒子の存在比率が３％未満とされた析出物欠乏層１２Ａが形成されており、回路層１２の一方の面側においては、粒径０．１μｍ以上の析出物粒子の存在比率が３％以上とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱性および絶縁破壊強度の両方に優れた絶縁材、これを用いた金属ベース基板および半導体モジュール、並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁材は、エポキシ樹脂と、このエポキシ樹脂に分散された、１〜９９ｎｍの平均粒径を有する第１の無機フィラーと、０．１〜１００μｍの平均粒径を有する第２の無機フィラーとを含む。第１及び第２の無機フィラーは、互いに独立して、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＢＮ、ＡｌＮ及びＳｉ₃Ｎ₄からなる群から選択される少なくとも１つであり、絶縁材における第１及び第２の無機フィラーの配合割合は、それぞれ、０．１〜７重量％及び８０〜９５重量％である。この絶縁層１１の両面に、金属箔１２と金属ベース１３を形成し、金属ベース基板１０とすることができる。 （もっと読む）

【課題】金属板を両面に接合したセラミック基板からなる絶縁基板の一方の面に半導体素子を、他方の面に金属製の放熱板を鉛フリーはんだを介して接合した半導体装置において、基板サイズの小型化を達成し、鉛フリーはんだの使用によっても、ボイドに因る放熱性の低下を防止しながらはんだの熱応力を低減して耐久性向上を図る。
【解決手段】半導体素子Ｓ，Ｓ′は、一枚の絶縁基板Ｐに対し同種の半導体素子が２個以上は搭載されないようにして、絶縁基板Ｐに接合され、第２金属板Ｍ２の放熱板Ｂとの対向面の面積Ａが、半導体素子Ｓ，Ｓ′の総面積Ａｔの１〜２．５倍に設定される。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクと第二の金属板との接合界面におけるボイドの発生を抑制してヒートシンクと第二の金属板とを強固に接合できるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第二の金属板の他面にヒートシンクを接合するヒートシンク接合工程は、第二の金属板の他面とヒートシンクの接合面のうち少なくとも一方にＳｉ層を形成するＳｉ層形成工程Ｓ０１と、Ｓｉ層を介して第二の金属板とヒートシンクとを積層するヒートシンク積層工程Ｓ０２と、第二の金属板とヒートシンクとを積層方向に加圧するとともに加熱し、Ｓｉ層のＳｉを第二の金属板及びヒートシンクに拡散させることによって溶融金属領域を形成するヒートシンク加熱工程Ｓ０３と、この溶融金属領域を凝固させることによって第二の金属板とヒートシンクとを接合する溶融金属凝固工程Ｓ０４と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容易に、かつ、低コストで、金属板とセラミックス基板とが確実に接合された冷熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板を得ることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の接合面及び金属板の接合面のうち少なくとも一方にＳｉを固着させて、０．００２ｍｇ／ｃｍ^２以上１．２ｍｇ／ｃｍ^２以下のＳｉを含むＳｉ層を形成するＳｉ固着工程Ｓ１と、Ｓｉ層を介してセラミックス基板と金属板と積層する積層工程Ｓ２と、セラミックス基板と金属板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程Ｓ３と、溶融金属領域を凝固させることによってセラミックス基板と金属板とを接合する凝固工程Ｓ４と、を有し、加熱工程Ｓ３において、Ｓｉ層のＳｉを金属板側に拡散させることにより、セラミックス基板と金属板との界面に溶融金属領域を形成する。 （もっと読む）