【課題】
金属マトリックス中に金属被覆ダイヤモンド粒子を含有してなる複合ヒートシンク材において、熱伝導性の改良されたヒートシンク材を提供すること。
【解決手段】
本発明のヒートシンク材は次の各工程を経て製造される：
1. 整粒されたダイヤモンド粒子の全表面に、パイロゾル法によって金属炭化物層を形成することによって被覆ダイヤモンド粒子を得る工程、
2. 前記被覆ダイヤモンド粒子とマトリックス金属材の粉末とを密に混合して混合粉とし、焼結反応容器内に充填する工程、
3. 前記混合粉を還元性雰囲気中で加熱することによって酸素を除去する工程
4. 前記反応容器をマトリックス金属材の融点以上の加熱温度及び100ＭＰa以上の焼結圧力に供し、該金属材を溶融して被覆ダイヤモンド粒子間の空隙に流入・充填し、金属炭化物層を介してダイヤモンド粒子及び金属材を一体化させる工程。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の最高温部の温度を測定可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と接するように設けられ、前記半導体素子の温度を検出する温度検出素子と、前記半導体素子の一方の面に第１の接合部を介して接合される放熱板と、前記半導体素子の他方の面に第２の接合部を介して接合される金属板と、を有し、前記金属板から前記放熱板に至る何れかの位置であって、前記温度検出素子と平面視において重複する位置に、前記金属板及び前記放熱板よりも熱伝導率の低い低熱伝導部を設けた。 （もっと読む）

【課題】本明細書は、半導体カードと冷却プレートを交互に積層し、その積層体を積層方向に付勢して密着する半導体モジュールに関し、半導体カードと冷却プレートの間に挟んだ絶縁板を破損から保護する技術を提供する。
【解決手段】半導体モジュール１００は、複数の平板型の冷却プレート２と半導体素子を収めた複数の平板型の半導体カード３を交互に積層したものである。その半導体モジュール１００は、半導体カード３を冷却プレート２から絶縁する絶縁板４を、冷却プレートと半導体カードの間に挟んでいる。積層体は、板バネ１４によりその積層方向に付勢され、冷却プレート２、絶縁板４、半導体カード３の密着が維持される。半導体モジュール１００では、絶縁板４と対向する冷却プレート表面に窪み２ａが設けられており、その窪み２ａは、その縁の少なくとも一部が半導体カード３の端部よりも内側に位置するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】電気的不具合の発生が抑えられた、高品質、高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０Ａは、基板１１の上方に配設された半導体素子１２と、半導体素子１２の上方に配設された熱伝導材１６と、熱伝導材１６の上方に配設された放熱体１７とを含む。放熱体１７は、半導体素子１２との対向領域の外側に配設されて基板１１側に突出する複数の突起１７ｂを有する。製造時に半導体素子１２上から熱伝導材１６が流出する場合でも、その流出する熱伝導材１６を突起１７ｂにより放熱体１７側に濡れ拡がらせ、基板１１側への熱伝導材１６の流出や飛散、それによる電気的不具合の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに備えられる回路や配線の設計に影響を与えることなく、半導体チップの表面側から、半導体チップからの発熱を効率良く放熱させることができる構造体を提供する。
【解決手段】半導体装置２を、絶縁膜５と、配線６と、絶縁膜５の表面上に全面にわたって設けられた複数の第１電極７とを含む配線層８を備える半導体チップ２と、絶縁膜５の表面上の第１電極７が設けられていない領域に貼り付けられ、絶縁膜５よりも高い熱伝導率を有する高熱伝導部材１５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】 ロジックチップとメモリチップとを実装しながら、メモリチップで誤動作を生じさせない電子部品及びその製造方法を提供することにある
【解決手段】 放熱部材３００がロジックチップ９０Ａ及びメモリチップ９０Ｂ上に取り付けられる。放熱部材３００には、メモリチップ９０Ｂの上面と当接する部位に開口３０８が設けられている。このため、ロジックチップ９０Ａからの熱が放熱部材３００を介してメモリチップ９０Ｂへ伝わり難いため、ロジックチップからの熱的影響でメモリチップが誤動作し難くなる。 （もっと読む）

【課題】温度差が生じても従来よりは絶縁部材の剥離を抑止することができる半導体モジュールを提供することである。
【解決手段】複数の半導体素子１６と、各半導体素子１６で生じる熱を放出する放熱部１５と、少なくとも半導体素子１６を覆う絶縁部材１４とを備える半導体モジュール１０において、絶縁部材１４は、半導体モジュール１０の全表面を覆うか、または、複数面を周回して覆うことを特徴とする構成である。この構成によれば、絶縁部材１４は半導体モジュール１０の全表面を覆うか、または、複数面を周回して覆う。放熱部１５と絶縁部材１４との間に生じる温度差に基づく線膨張係数差による応力が発生しても、従来よりは絶縁部材１４の剥離を抑止することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、その金属フィルムが接着剤を介せずに黒鉛の表面に直接且つ緊密に形成されている放熱装置、及び該放熱装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、電子部品を搭載し、作動中の該電子部品から生じる熱を発散させるための放熱装置であって、積層構造を有する黒鉛により平板状に形成された本体と、電気メッキによって前記本体の表面に形成されている金属層とからなっている放熱装置、及び、本体を洗浄する本体の洗浄工程と、本体の洗浄工程において洗浄した本体の表面に、電気メッキによって金属層を形成する金属電気メッキ工程とを備える、放熱装置の製作方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】発熱する電子部品自体および樹脂成形品にも使用でき、放熱効果の高い放熱部材を得ること。
【解決手段】放熱部材１０は、斜方晶系のケイ酸塩鉱物からなるフィラー１１と光硬化性樹脂１３とを含有する樹脂組成物を硬化させて得られる硬化膜１４と；硬化膜１４により被膜された金属板１５とを備える。放熱部材１０は、金属板１５と硬化膜１４との組み合わせにより、効率のよい優れた放熱効果を有する。なお、「ケイ酸塩鉱物」とは、天然、人工のいずれであってもよく、アルミノケイ酸塩鉱物や、さらには鉱物以外のケイ酸塩化合物をも含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体パッケージおよび半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ１は、基板２１と、基板２１の一方の面側に設けられた第１導体パターン２２１と、基板２１の他方の面側に設けられ、第１導体パターン２２１と電気的に接続された第２導体パターン２２４とを備える配線基板２と、基板２１の一方の面に接合され、第１導体パターン２２１に電気的に接続される半導体素子３と、配線基板２に接合され、配線基板２よりも熱膨張係数の小さい金属製の補強部材４、５と、補強部材４の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６１と、補強部材５の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】冷却水の流れ圧力損失を最小化するとともに、放熱効果を増大できるだけでなく、発熱部の全体面積の温度偏差を最小化することができるヒートシンクを提供する。
【解決手段】本発明のヒートシンク１００は、冷却水の流入部分に連結され、第１フィン１０１が多数個配列された第１領域と、冷却水の排出部分に連結され、第１フィン１０１より表面積が大きい第２フィン１０３が多数個配列された第２領域とを含むものである。 （もっと読む）

【課題】コイル導体の特性を考慮しつつ、ＩＣ素子およびコイル導体の放熱性を向上させること。
【解決手段】コイル内蔵基板１は、フェライト基体11と、フェライト基体11内に設けられたコイル導体12と、フェライト基体11の上面に設けられたＩＣ素子用導体層14と、ＩＣ素子用導体層14およびコイル導体12に熱的に結合されておりフェライト基体11の表面に熱を伝導するようにフェライト基体11内に設けられた熱伝導経路13とを含んでいる。熱伝導経路13は、フェライト基体11よりも低い比透磁率およびフェライト基体11よりも高い熱伝導率を有する材料を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の熱伝導性及び接着性が高いパワー半導体モジュール用部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るパワー半導体モジュール用部品１１の製造方法では、熱伝導体２と無機フィラーを含む第１，第２の絶縁層３，４とを備える積層体１であって、第１，第２の絶縁層３，４が、同一の硬化性組成物を用いて形成されており、第１，第２の絶縁層３，４がそれぞれ、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーを含み、第１の絶縁層３の硬化率が５０％以上であり、第２の絶縁層４の硬化率が８０％未満であり、上記硬化性組成物が、２５℃での粘度が１５０００ｍＰａ・ｓ以下である液状エポキシ化合物又は融点が１４０℃未満である結晶性エポキシ化合物を含む積層体１を用いる。 （もっと読む）

【課題】金属・ダイヤモンド複合体にその本来の熱伝導率に近い熱伝導率を発揮させることを可能にするヒートシンクを提供する。
【解決手段】このヒートシンク１１は、デバイスを搭載するための搭載面１１ａを有しており該ベース１３の主面１３ａに設けられた金属領域１５を備える。この主面１３ａには、ダイヤモンド粒子１７による突起２３ａ〜２３ｃと突起２３ａ〜２３ｃの間に位置する窪み２５ａ〜２５ｄとを含むけれども、半田材と異なり該半田材より高い融点の金属からなる金属領域１５は窪み２５ａ〜２５ｄを埋めて、搭載面１１ａは突起２３ａ〜２３ｃ及び窪み２５ａ〜２５ｄによって構成されるラフネスより小さいラフネスに再構成される。これ故に、デバイスの実装面とヒートシンク１１の表面１１ａとの実効的な接触面積を、デバイスの実装面の面積に近づけることができる。 （もっと読む）