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Fターム[5F136FA12]の内容

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【課題】パワー半導体パッケージを冷却する冷却装置において、薄く形成した絶縁板の強度と絶縁性を確保することが可能な技術を提供する。
【解決手段】本明細書は、パワー半導体素子を収容したパワー半導体パッケージを冷却する冷却装置を開示する。そのパワー半導体パッケージは、平板状に形成されており、放熱部を備えている。その冷却装置は、内部に冷却水が流れる冷却器と、パワー半導体パッケージの放熱部と冷却器の間に挟み込まれる絶縁板を備えている。その冷却装置では、絶縁板の端部に、パワー半導体パッケージに向けて突出するリブが形成されている。 (もっと読む)


【課題】本明細書は、半導体カードと冷却プレートを交互に積層し、その積層体を積層方向に付勢して密着する半導体モジュールに関し、半導体カードと冷却プレートの間に挟んだ絶縁板を破損から保護する技術を提供する。
【解決手段】半導体モジュール100は、複数の平板型の冷却プレート2と半導体素子を収めた複数の平板型の半導体カード3を交互に積層したものである。その半導体モジュール100は、半導体カード3を冷却プレート2から絶縁する絶縁板4を、冷却プレートと半導体カードの間に挟んでいる。積層体は、板バネ14によりその積層方向に付勢され、冷却プレート2、絶縁板4、半導体カード3の密着が維持される。半導体モジュール100では、絶縁板4と対向する冷却プレート表面に窪み2aが設けられており、その窪み2aは、その縁の少なくとも一部が半導体カード3の端部よりも内側に位置するように配置されている。 (もっと読む)


【課題】絶縁層の熱伝導性が高く、かつ絶縁層と導電層との接着性が高い積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る積層体1は、熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体2と第1の絶縁層3と第2の絶縁層4とを備える。第1,第2の絶縁層3,4は、同一の硬化性組成物を用いて形成されている。第1,第2の絶縁層3,4はそれぞれ、熱伝導率が10W/m・K以上である無機フィラーを含む。第1の絶縁層3の硬化率が50%以上であり、第2の絶縁層4の硬化率が80%未満である。上記硬化性組成物は、25℃での粘度が15000mPa・s以下である液状エポキシ化合物を含むか、又は融点が140℃未満である結晶性エポキシ化合物を含む。 (もっと読む)


【課題】冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面に発生するしわが抑制される電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板(11)の少なくとも一方の面に電子素子(18)を搭載するアルミニウム回路層(12)がろう付された電子素子搭載用基板(1)であって、前記アルミニウム回路層(12)は、母材(20)の電子素子搭載面側に高強度層(21)が一体に積層された積層材で構成され、前記高強度層(21)の引張強さX(N/mm)と母材(20)の引張強さY(N/mm)とがX/Y≧1.1の関係を満足する。 (もっと読む)


【課題】絶縁基板とアルミニウム回路層との接合界面に余剰ろう材が残存せず、かつ冷熱サイクルにおいてアルミニウム回路層の電子素子搭載面のしわが抑制される電子素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板(11)の少なくとも一方の面に電子素子(18)を搭載するアルミニウム回路層(12)がろう付された電子素子搭載用基板(1)であって、前記アルミニウム回路層(12)は、ろう付後の結晶粒の平均粒径が10〜500μmとなされ、かつ引張強さが45N/mm以上となされたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】パワーデバイスを備えるパワーモジュールを十分に冷却する手段を提供する。
【解決手段】パワー半導体パッケージ300は複数のパワーデバイスを有するパワーモジュール322を備える。複数のパワーデバイスのそれぞれはパワースイッチであってもよい。パワー半導体パッケージは、上部324が複数のパワーデバイス上面に接触し、下部326がパワーモジュールの下面に接触する両面ヒートシンク320をさらに備える。パワー半導体パッケージは、両面ヒートシンクの上部および下部をパワーモジュールに押し付ける少なくとも1つの固定用クランプ330を備えることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体素子から多層基板への熱拡散性能の向上、および、多層基板と半導体素子との接合強度の向上。
【解決手段】半導体パワーモジュール10は、セラミックス多層基板100と、接合層110と、拡散層120と、半導体素子130を備える。接合層110は、セラミックス多層基板100の第1の面105上に配置され、半導体素子130とセラミックス多層基板100とを電気的に接続する導電接合部111と、半導体素子130とセラミックス多層基板100とを絶縁する絶縁接合部112とを備える平面状の薄膜層である。こうすれば、半導体素子130とセラミックス多層基板100との間における空隙の発生を抑制しつつ接合することができ、半導体素子130からセラミックス多層基板100への熱拡散性能、および、セラミックス多層基板100と半導体素子130との接合強度を向上できる。 (もっと読む)


【課題】 蓋体部と、側壁部と、底板部とで構成され、内部に電子部品を冷却するための気体や液体等の流体を流すための流路を備えた流路部材において、熱交換効率の高い流路部材を提供する。
【解決手段】 本発明の流路部材1は、蓋体部1aと、側壁部1cと、底板部1bとで構成され、内部に流体が流れる流路3を有する流路部材1であって、前記流路3を形成する面の少なくとも一部に流体が流れる方向に沿って延びる凹凸2を有していることにより、流路3と流体との接触面積が大きくなり、流路部材1との熱交換効率を高くすることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体素子が搭載された半導体装置の上下の主面から効率よく放熱を行う。
【解決手段】半導体装置1は、絶縁基板10Aと、絶縁基板10Aに対向するように配設された絶縁基板10Bと、絶縁基板10Aと絶縁基板10Bの間隙に配置され、コレクタ電極とコレクタ電極とは反対側に配設されたエミッタ電極を有した半導体素子20と、を備え、コレクタ電極が絶縁基板10Aに配設された金属箔10acに電気的に接続されると共に、エミッタ電極が絶縁基板10Bに配設された金属箔10bcに電気的に接続されている。これにより、半導体素子20から発生した熱が、半導体装置1の上下の主面から効率よく放熱されるようになる。 (もっと読む)


【課題】ろう付中の被ろう付部材の位置ずれを抑制しうるろう付治具を提供する。
【解決手段】ろう付治具10は、第1金属板1、絶縁板2および第2金属板3を、隣り合うものどうしの間に所定大きさの平面が面接触した面接触部分を有するように積層した状態でろう付する際に用いられる。ろう付治具10は、第1金属板1、絶縁板2および第2金属板3を支持する支持部材11と、支持部材11に支持された第1金属板1上に載せられる押圧板12と、支持部材11の上方に間隔をおいて上下動自在に配置される加圧部材13と、押圧板12と加圧部材13との間に配置されたコイルばね14とを備えている。コイルばね14は、加圧部材13が下降した際に圧縮されるとともに、圧縮された際の反発力を押圧板12に伝える。押圧板12とコイルばね14との間に球体15を配置する。 (もっと読む)


【課題】金属ーセラミック基板と金属体との接合方法に関する。
【解決手段】少なくとも1つの面上にメタライゼーション1,4を有する金属−セラミック基板を、金属合金4によって金属体5に接合する方法であって、(a)厚みが1mm未満である金属体を使用し、(b)(b−1)アルミニウムを含み、(b−2)液相温度が450℃より高い金属合金を、金属−セラミック基板と金属体との間に配置し、(c)ステップ(b)が提供する配置を450℃より高い温度に加熱する。 (もっと読む)


【課題】回路基板及びリードフレームの放熱性を高め、且つ装置全体の大型化を効果的に抑制し得る構成を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、電子部品8が実装される回路基板9と、回路基板9の一部と電気的に接合されると共に、ヒートシンク2に接合されるリードフレーム5と、ヒートシンク2、及びリードフレーム5を一体的に封止するモールド樹脂7とを備えている。そして、ヒートシンク2の第1の接合面2aが回路基板9の一方面に接合され、第2の接合面2bがリードフレーム5に接合されており、リードフレーム5が第2の接合面2bに接合されてなる接合部20と回路基板9とが回路基板9の板面と直交する方向において少なくとも部分的に重なっている。 (もっと読む)


【課題】熱源の熱を効率よく伝導し、且つ、グラフェンシートが積層された構造体と異種部材との接合部分の強度を高め、しかも、容易に製造することが可能な異方性熱伝導素子を提供する。
【解決手段】グラファイト複合体11は、プレート状のグラファイト構造体20と、構造体20の両平面に接合された銅板24,25とにより構成されている。構造体20は、積層方向と交差する方向の厚みが薄く形成されている。銅板24,25は、チタンを含むインサート材35を構造体20との間に介在させた状態で、銅板24,25の外側から加圧され、真空環境及び所定の温度環境のもとで加圧加熱接合される。 (もっと読む)


【課題】放熱が効率的に行われる半導体装置を提供する。
【解決手段】セラミックス基板CSの一方の表面には、アルミニウム回路基板ASがはんだ付けされている。セラミックス基板CSの他方の表面には、アルミニウムベースABが接合されている。アルミニウムベースABのうち、長手方向の一端側の外周部分の1箇所に貫通孔AHが形成されている。その貫通孔AHに雄ねじを挿通して放熱フィンFNに設けた雌ねじに螺合することにより、アルミニウムベースABが放熱フィンFNに固定されている。 (もっと読む)


【課題】高い熱伝導性と低誘電率性を両立した層間充填材組成物により充填された三次元集積回路積層体を提供する。
【解決手段】半導体デバイス層が形成された半導体基板を少なくとも2層以上積層した半導体基板積層体を有し、該半導体基板間に、樹脂(A)及び誘電率が6以下の無機フィラー(B)を含有する第1の層間充填材層を有する三次元集積回路積層体。 (もっと読む)


【課題】放熱体の冷却性能に優れたヒートシンクを提供すること。
【解決手段】発熱体(例えば、電子部品)2を冷却する冷媒4が流れる流路11を内部に有し、流路11が互いに対向する2つの流路壁面11a、11bを有するヒートシンク10において、発熱体2が取り付けられる側の一方の流路壁面11aには、複数の柱状フィン21、22が立設されており、複数の柱状フィン21、22は、長柱状フィン21と短柱状フィン22を含み、他方の流路壁面11bには、長柱状フィン21の先端部21aが挿入される凹部31が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】面方向の熱伝導性に優れるとともに、内部の空隙が低減された熱伝導性シートおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂および熱伝導性無機粒子を含有する樹脂組成物を準備し、その樹脂組成物を熱プレスし、溶融状態から半固形状態にした後、さらに、粘度を増加させることによりシート化して、厚み方向に対する直交方向の熱伝導率が10W/m・K以上の熱伝導性シートを製造する。このような熱伝導性シートの製造方法では、厚み方向に直交する面方向の熱伝導性に優れるとともに、絶縁耐力(絶縁破壊電圧)などの各種電気特性に優れる熱伝導性シートを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】歪み、反りを抑制可能な金属ベース回路基板を提供する。
【解決手段】熱膨張係数の大きな絶縁層Aを熱膨張係数の小さな絶縁層Bで挟み込む構造としたため、絶縁層Aの収縮/膨張を絶縁層Bが打ち消すように収縮/膨張し、応力を打ち消す方向で緩和させることにより、熱膨張の影響を軽減できる。このため、反りや歪みを極力抑制する一方で、上下層の接合強度が保たれ、設計の自由度を損なわない、信頼性のある回路構成とすることができる。 (もっと読む)


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