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Fターム[5F136FA41]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 放熱部材の材料 (10,071) | 金属と非金属の複合体 (197)

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【課題】絶縁層の熱伝導性が高く、かつ絶縁層と導電層との接着性が高い積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る積層体1は、熱伝導率が10W/m・K以上である熱伝導体2と第1の絶縁層3と第2の絶縁層4とを備える。第1,第2の絶縁層3,4は、同一の硬化性組成物を用いて形成されている。第1,第2の絶縁層3,4はそれぞれ、熱伝導率が10W/m・K以上である無機フィラーを含む。第1の絶縁層3の硬化率が50%以上であり、第2の絶縁層4の硬化率が80%未満である。上記硬化性組成物は、25℃での粘度が15000mPa・s以下である液状エポキシ化合物を含むか、又は融点が140℃未満である結晶性エポキシ化合物を含む。 (もっと読む)


【課題】良好な放熱性を提供可能な構造の半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ11はサブマウント7とヒートシンク9との間に設けられる。III族窒化物半導体レーザ11はpアップ形態でサブマウント7上に搭載されるので、レーザ導波路からの熱は、レーザ構造体13を介してサブマウント7に伝わる。レーザ導波路からの熱は、高い温度のレーザ導波路からオーミック電極15及びパッド電極45を介して低い温度のヒートシンク9に伝わり、この熱は、オーミック電極15から離れたヒートシンク端に向けてヒートシンク内を伝搬していき、ヒートシンク9の温度分布はレーザ導波路上の中央部からヒートシンク端に向けて低くなる。III族窒化物半導体レーザ11の両端の近傍では、III族窒化物半導体レーザ11の温度はヒートシンク9の温度より低いので、ヒートシンク9の熱はIII族窒化物半導体レーザ11に伝搬する。 (もっと読む)


【課題】高熱伝導性及び高電気絶縁性の材料を提供すること。
【解決手段】銅からなるコア粒子中に炭化ケイ素微粒子が含有されてなる複合銅粒子から構成される複合銅粉である。熱伝導率が25℃・1気圧において10W/mK以上であり、体積抵抗率が25℃・100f/kgにおいて1×105Ωcm以上である。複合銅粒子においては、炭化ケイ素微粒子が、その表面の一部を露出してコア粒子の表面に包埋されていることが好適である。 (もっと読む)


【課題】発熱体からの熱を効果的に放熱する電子機器を提供する。
【解決手段】発熱体24と、発熱体24に接する熱拡散板23と、熱拡散板23に接する放熱構造29を有する電子機器であって、放熱構造29は凸型グラファイト複合フィルム28であり、熱拡散板23の熱輸送能力が0.014W/K以上であり、凸型グラファイト複合フィルム28の断面における高さ28Bの方向の長さが断面の全長の20%以上であり、凸型グラファイト複合フィルム28の該凸型断面に垂直な方向が電子機器の高さ方向に設置されている。 (もっと読む)


【課題】電子装置の放熱装置において、放熱装置と発熱源との接合部分の熱疲労によるクラック発生を防止する。
【解決手段】放熱装置1は、放熱フィンなどの放熱部112を設けた放熱部材11を有し、放熱部材11の放熱部112の反対側の面に導熱部111を形成して、セラミック本体12を接続する。放熱装置1の導熱部111はセラミック本体12を介して発熱源と接合することにより、両者は熱膨張係数がほぼ等しいため、熱疲労を解消できる。
放熱部材11とセラミック本体12とは半田接合などにより直接接合される。 (もっと読む)


【課題】 低コストにて熱伝導絶縁基板と銅箔を接着する方法を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム基板、窒化珪素基板、アルミナ基板等の熱伝導性絶縁基板、該熱伝導性絶縁基板上に形成されたポリエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、PPS樹脂等の樹脂接着剤層、該樹脂接着剤層上に形成された銅箔層を備えてなる銅箔付き熱伝導性絶縁基板であり、低コストであって熱伝導率が高く、耐熱性、接着性の十分な銅箔付き熱伝導性基板となる。 (もっと読む)


【課題】複数の半導体素子をより均等な温度に冷却する半導体素子の冷却構造、を提供する。
【解決手段】半導体素子の冷却構造は、電流が流れる半導体素子23と、半導体素子23よりも大きい電流が流れる半導体素子21と、半導体素子23を搭載する絶縁基板38および伝熱板43と、半導体素子21を搭載する絶縁基板36および伝熱板41と、絶縁基板38および伝熱板43に対して、半導体素子23の反対側に設けられ、絶縁基板38および伝熱板43を通じて伝えられた半導体素子23の熱を放熱し、絶縁基板36および伝熱板41に対して、半導体素子21の反対側に設けられ、絶縁基板36および伝熱板41を通じて伝えられた半導体素子21の熱を放熱するヒートシンク51とを備える。絶縁基板36および伝熱板41は、それぞれ、絶縁基板38および伝熱板43よりも大きい体積を有する。 (もっと読む)


【課題】冷却性に優れコンパクトな半導体装置の提供。
【解決手段】半導体チップ2の上面に形成された電極パッド3a、3bには、それぞれ金属ワイヤ4によってリード端子5aおよび制御リード端子5bが接続されている。半導体チップ2の裏面電極3cには、はんだ6を介して導電性金属により形成されたダイパッド7が接合されている。ダイパッド7の下面には、セラミックス板により形成され、所定の強度と絶縁性を備えた絶縁板8が接合されている。この状態で合成樹脂材料が充填され、樹脂筐体9によって、半導体チップ2、電極パッド3a、3b、裏面電極3c、金属ワイヤ4、リード端子5a、制御リード端子5b、ダイパッド7および絶縁板8が覆われる。ダイパッド7の下方に配置された絶縁板8の底面は、樹脂筐体9から露出している。 (もっと読む)


【課題】 異種材料で構成された基板とヒートシンクの間の接合部の信頼性が向上された半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明による半導体装置1は、半導体素子が配置される基板20,22と、基板における半導体素子の配置側とは逆側に接合され、基板よりも熱膨張係数が大きいヒートシンク40と、ヒートシンクに設けられ、ヒートシンクよりも熱膨張係数が小さく、ヒートシンクと基板の間の接合面に平行な方向のヒートシンクの熱膨張を抑制する熱変形抑制部材70(710,720,730,740)と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】カーボン材を使用した放熱板の機械的強度の向上と製造コストの低減を両立させる。
【解決手段】この発明の放熱板11は、板状のカーボンベース体1、およびカーボンベース体1の周囲を覆った状態で密閉される高熱伝導性シール材2,3を有する。カーボンベース体1は、例えば、カーボン粒子を板状に圧縮固形化したものを好適に使用できる。高熱伝導性シール材2,3は、熱伝導率が高く、展性に優れた金属製の板金を好適に使用できる。このような金属としては、アルミニウム、アルミニウム合金、銅または銅合金などが挙げられる。 (もっと読む)


【課題】
高熱伝導率と半導体素子に近い熱膨張率を兼ね備え、さらには、半導体素子のヒートシンク等として使用するのに好適なように、表面のめっき性及び表面粗さを改善したアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド粒子とアルミニウムを主成分とする金属とを含む平板状のアルミニウム−ダイヤモンド系複合体であって、ダイヤモンド粒子の含有量が、40〜70体積%であり、両側表面に厚さ0.01〜0.3mmのアルミニウムを主成分とする表面層3a、3bを有し、複合体の少なくとも1方の表面に直線状または断続的な欠陥を導入後、表面に、厚さ0.5〜15μmのNiめっき層又はNi+Auの二層のめっき層を設け、更に欠陥に沿って割断して、側面の一部が複合化部2が露出する構造であるアルミニウム−ダイヤモンド系複合体を提供する。 (もっと読む)


【課題】熱伝導シートを金属板の間に挟んで積層状に構成したコンパクトな積層体であって、層間の熱流動ネックを招くことなく積層体の全体に及ぶ良好な熱伝導を確保することができる簡易な構成の複合熱伝導部材を提供する。
【解決手段】複合熱伝導部材は、2枚の金属板(2,3)と、これら両金属板(2,3)間に密接挟着した熱伝導シート(4)とから積層状に構成され、上記熱伝導シート(4)に透孔(4a)を形成し、この透孔(4a)内で上記両金属板(2,3)の間に介設して一体に固定するための金属板固着部(6)を一方の金属板面に薄膜状に形成し、この金属板固着部(6)は、熱伝導シート(4)を両金属板(2,3)の間に圧接した押圧状態で固化形成したものである。 (もっと読む)


【課題】優れた接着強度を有する金属樹脂複合構造体及びその製造方法、並びにバスバ、モジュールケース及び樹脂製コネクタ部品を提供する。
【解決手段】融点が500℃以上の高融点金属を含む金属部材1と樹脂部材2とを一体化した金属樹脂複合構造体10において、金属部材1と樹脂部材2との間に、500℃未満の融点を有する低融点金属を含んでなる合金層3が設けられ、合金層3と樹脂部材2との接合面において、合金層3の平均表面粗さが5nm以上1μm未満であり、合金層3の接合面に形成される凹凸の凹凸周期が5nm以上1μm未満であることを特徴とする、金属樹脂複合構造体。 (もっと読む)


【課題】従来の放熱体では、放熱性を向上させようとすると、形状が大型化するという課題があった。
【解決手段】発熱体に接する金属からなる熱伝導体11と、この熱伝導体11に接する放熱シート12と、この放熱シート12を挟んで熱伝導体11に固定された複数個の開口部14を有する保持体13とを備え、放熱シート12の単位体積あたりの熱容量を熱伝導体11の単位体積あたりの熱容量よりも小さいものとしたものであり、このようにすることにより、熱を効率良く放熱することができるとともに、小型化、薄型化を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】ベースプレートと放熱器との間の向上された接触を可能にし、そしてさらに、強化された耐久性を提供する。
【解決手段】ベースプレート34、特にパワーモジュールの為のベースプレート34、に関係しており、金属、特にアルミニウム、で形成された母材38を備えていて、ここにおいては少なくとも2つの補強材42が母材38中において互いに隣り合わせに設けられていて、そしてここにおいては、補強材42が互いに離れているベースプレート34とする。 (もっと読む)


【課題】厚さの異なる両金属層に対するエッチングマスクを同様の基準で設計することができ、製造が容易であるとともに、エッチング加工精度を高める。
【解決手段】セラミックス基板2と、セラミックス基板2の一方の面に積層されたアルミニウムからなる第1金属層7と、セラミックス基板2の他方の面に積層されたアルミニウムからなる第2金属層8とを備え、第1金属層7の厚さよりも第2金属層8の厚さの方が大きく形成されるとともに、第2金属層8は、第1金属層7よりもFe及びSiの含有量が多い。 (もっと読む)


【課題】熱放射性を一層向上することが可能な放熱部品及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本放熱部品は、第1の金属からなる基材と、前記基材上に形成された、第2の金属中に炭素材料が分散された複合めっき層である第1めっき層と、前記第1めっき層上に形成された第2めっき層と、を有し、前記第1めっき層は、前記炭素材料の一部が前記第2の金属の表面から突出した複数の突出部を含み、前記第2めっき層は、隣接する前記突出部間を充填せずに、前記突出部の表面及び前記第2の金属の表面を覆うように形成されている。 (もっと読む)


【課題】セラミックス基板、ダイヤモンド基板等の無機系材料の放熱材料は硬度が高く難加工性であり、グラファイトフィルム、カーボンナノチューブ等の炭素系材料は放熱性が低かった。
【解決手段】アルミニウム含浸グラファイト基板の表面に析出したアルミニウムを塩酸によるウェットエッチング法によって除去する(ステップ101)。次に、アルミニウム含浸グラファイト基板の表面にナノメートルのオーダの凹凸構造を加工する(ステップ102)。 (もっと読む)


【課題】ハーフモールド構造を有する電子装置において、ヒートシンクと放熱部材との接触を適切に確保する。
【解決手段】回路基板10をその第1の板面11にてヒートシンクの第1の板面31に接着したものを、モールド樹脂40により封止するとともに、ヒートシンク30の第2の板面32をモールド樹脂40より露出させ、このヒートシンク30の第2の板面32に放熱部材70の一面71を接触させてなる電子装置において、モールド樹脂40のうち回路基板10の他方の板面12側に位置する部位の厚さT1を、モールド樹脂厚さT1としたとき、モールド樹脂厚さT1とヒートシンク30の板厚T2との比T1/T2が、1.8以上である。 (もっと読む)


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