【課題】セラミックス基板、ダイヤモンド基板等の無機系材料の放熱材料は硬度が高く難加工性であり、グラファイトフィルム、カーボンナノチューブ等の炭素系材料は放熱性が低かった。
【解決手段】アルミニウム含浸グラファイト基板の表面に析出したアルミニウムを塩酸によるウェットエッチング法によって除去する（ステップ１０１）。次に、アルミニウム含浸グラファイト基板の表面にナノメートルのオーダの凹凸構造を加工する（ステップ１０２）。 （もっと読む）

【課題】ジグのコストを節減可能で、加工の利便性を向上させられ、金属粉末の均一敷設を達成し、放熱片の移動による金属粉末の移動を効果的に防止することができる放熱板製造方法を提供することである。
【解決手段】放熱板製造方法は、放熱片2を粉充填設備1の下ジグ11に設置し、粉充填設備1の上ジグ12と下ジグ11とを相互に緊密に結合させ、上ジグ12が延伸する間隔部品121を放熱片2に緊密に接合させ、金属粉末3を上ジグ12の入粉口122から、正圧方式により放熱片2上に充填し、放熱片2に震動を与え、金属粉末3を放熱片2上に均一に塗布し、上ジグ12を取り出し、放熱片2上に充填した金属粉末3に対して有機液体4を噴射し、金属粉末3は放熱片2上において定型化し、最後に放熱片2を下ジグ11から取り外し焼結を行うものである。 （もっと読む）

【課題】炭素元素の線状構造体を用いた熱伝導度及び電気伝導度が極めて高いシート状構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２上に炭素元素の線状構造体１６を形成し、基板１２上に形成した線状構造体１６を熱収縮性を有する基板２０上に転写し、線状構造体１６を転写した基板２０を加熱して収縮させ、収縮した基板２０上に形成された線状構造体１６間に線状構造体１６を支持する充填層２８を形成する。 （もっと読む）

【課題】比較的面積の大きくても、セラミック基板の反り、割れの発生を抑制することが可能なパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板の製造方法及び、このパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１と、このセラミックス基板１１の一方の面上に配設され、銅または銅合金からなる回路層１２と、を備え、セラミックス基板１１が、Ｓｉ_３Ｎ_４または強化Ａｌ_２Ｏ_３のいずれかで構成されており、回路層１２の厚さｔｃが、０．８ｍｍ≦ｔｃ≦２．０ｍｍの範囲内に設定されるとともに、セラミックス基板１１の一方の面の面積の２５％以上６０％以下を占めるように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的面積の大きくても、セラミック基板の反り、割れの発生を抑制することが可能なパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板の製造方法及び、このパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】アルミニウム又はアルミニウム合金の板材からなる金属層１３と、この金属層１３の一方の面に配設されたセラミックス基板と、このセラミックス基板の上に配設され、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層と、を備え、金属層１３は、セラミックス基板よりも面積が大きく設定されており、金属層１３には、前記一方の面側部分において、アルミニウムの母相中に第２相が分散した硬化層３１と、アルミニウムの単一相からなる軟質層３２と、が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷却装置を提供する。
【解決手段】本冷却装置１０は、外側平坦表面１８に接合された金属層２２を有するセラミック基板１６を含む。本冷却装置１０はまた、セラミック基板１６の反対側面に接合されたチャネル層２４と該チャネル層２４の外側表面２８に接合されたマニフォルド層２６とを含む。基板層１６、２２、２４、２６は、ろう付けのような高温処理法を用いて互いに接合されて単一の基板組立体１４を形成する。プレナムハウジング３０は、接着剤接合のような低温接合法により単一の基板組立体１４に接合され、また延長マニフォルド層入口及び出口ポート３２、３４を形成するように構成される。 （もっと読む）

【課題】絶縁シートの外形加工が簡便で、外形加工した絶縁シート片とヒートシンクとの一体化が容易に行える、絶縁層付きヒートシンクの製造方法、ボイドの少ない絶縁層とすることにより熱伝導性に優れた絶縁層付きヒートシンクとし得る、絶縁層付きヒートシンクの製造方法を提供することを課題としている。
【解決手段】無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む絶縁組成物をシート状に成形して絶縁シートを形成し、該絶縁シートを外形加工して絶縁シート片を切り出し、該絶縁シート片をヒートシンクと一体化させて絶縁層を形成し、しかも、発熱素子が実装されたモジュールに対して前記絶縁層が接着されて用いられ得るように、未硬化の前記熱硬化性樹脂で前記絶縁層を形成する、絶縁層付きヒートシンクの製造方法であって、前記外形加工する前に前記絶縁シートを少なくとも１回熱プレスする熱プレス工程を実施する絶縁層付きヒートシンクの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】各種電子機器内のＩＣチップ周辺などを局所的に冷却する冷却性能の優れた電子機器用冷却装置を提供する。
【解決手段】ＩＣチップなどの発熱源５０に直接又は間接的に接触させると共に、そのベース部２１に多数の冷却フィン２２を適宜間隔で平行に立設させてなるヒートシンク２０を用いた電子機器用冷却装置１０において、ヒートシンク２０の多数の冷却フィン２２の一方側に、多数の冷却フィン２２、２２間の間に冷風を送る冷却送風装置３０を設置させると共に、ヒートシンク２０の反対側の多数の冷却フィン２２側から、多数の冷却フィン２２、２２間の間に、板状圧電素子への交流電圧の印加により平板状の弾性金属板４３が振動する圧電ファン装置４０を挿入させた電子機器用冷却装置１０にあり、これらの配置構造により、各部品の冷却性能の相乗効果により、大きな冷却性能を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 熱伝導効率を大幅に高め、折り曲げ箇所においてグラファイトの密度低下による熱伝導効率の低下が発生せず、挿入した放熱部材が安定するグラファイト熱伝導片の加工方法を提供する。
【解決手段】 一定の輪郭の外形を有するグラファイト熱伝導片の加工方法であって、
対応するオス型とメス型によってグラファイト熱伝導板材を挟み、押し圧して裁断し、
一定の輪郭の外形を有し、かつ第１の厚さを具えるグラファイト熱伝導片を形成するステップと、該オス型とメス型によって該グラファイト熱伝導片を継続して押し圧して、該第１の厚さから予め設定された第２の厚さにするとともに、該第２の厚さにした状態におけるグラファイトの密度を該第１の厚さの状態に比して高くするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ガルバニック腐食による水路内壁の構造劣化を防止し、信頼性の向上を図ることができるようにする。
【解決手段】水路３内を、接合部４の端部４１のわずかな部分を除いて、各層２１〜２５を構成する薄板（母材）の表面が露出する構成とする。これにより、接合金属５を用いた接合を行っているにもかかわらず、接合金属５の露出は最小限に抑えられ、水路３内には実質的にほとんど異種金属が存在しない構造となる。これにより、ガルバニック腐食による信頼性への影響を少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、コスト面でも有利なプリント配線基板へのダイオードの実装構造を提供する。
【解決手段】ダイオード１のリード線１ａ，１ａをプリント配線基板２の貫通孔２ａ，２ａに挿通して配線パターンに半田３ａ，３ａで固定する実装構造において、ダイオード１が嵌め込まれる凹部４ａを備えた放熱板４をプリント配線基板２のダイオード実装箇所に立設してダイオード１を凹部４ａに嵌め込み、リード線１ａ，１ａを放熱板４に半田３ｂ，３ｂで密着固定した、プリント配線基板へのダイオードの実装構造とする。ダイオード１で発生した熱が、リード線１ａと半田３ｂで形成される熱伝導経路を通って放熱板４にすみやかに伝導され、放熱板４の表面から効率良く放熱される。従って、ダイオードとして放熱性の良くない安価な所謂ストレート品を使用できるのでコスト面でも有利となる。 （もっと読む）

【目的】 金属板に形成されたキャビティ部底面に形成された回路に半導体素子等の部品を搭載する。金属基板の有する高い熱伝導性、電気特性を確保して、一括の積層を行った後にキャビティ加工を行う事から絶縁の信頼性および接続の信頼性に優れた電子部品用パッケージを低コストにて提供することを可能とする。
【構成】 厚い金属板（０．２ｍｍ〜４．０ｍｍ）を用い、この金属板にエッチング等を用いて絶縁間隔となる凹みを形成した後に、前記金属板の片面もしくは両面に電気的絶縁層を積層被着させ、その後絶縁層の表層に単層または複数層の回路を形成し、さらに必要箇所はレーザービア等を用いて前記金属板と接続させる。
しかる後に金属板の凹みを形成した逆面より、ザグリ等を用いて前記凹の底面より多く削り込み、前記金属板の一部厚さ部分を残してキャビティ部を形成し、この残された金属部分を回路として用いる事を特徴とする。 （もっと読む）

電子装置用の熱伝播器は、連続的で制御されないピット又は孔が無く、ダイヤモンド装填材料上に成長したＣＶＤダイヤモンド層を有する。ダイヤモンド装填材料は、母材中のダイヤモンド粒子の塊を含み、露出したダイヤモンド粒子を備える表面を有し、その上にＣＶＤダイヤモンドが成長する。ＣＶＤダイヤモンド層は少なくとも部分的にエピタクシによってダイヤモンド装填材料の露出したダイヤモンド粒子に結合する。 （もっと読む）